FET ( Field Effect Transistor )Dan

Tabung Vakum

KELOMPOK 4• Khairul Amri (1004105010015)• Safwan ( 1004105010060 )• Rafiqa Shahnaz Noor (1004105010071)

Tujuan

• Memahami Pengertian FET• Mempelajari cara Kerja FET• Mengetahui Struktur Dari Jenis-jenis FET• Memahami Pengertian Tentang Tabung Vakum

Kata Kunci

• Struktur FET atau JFET• Operasi FET• Simbol Dan Karakteristik• Fabrikasi JFET dan MOSFET• Simbol• Tabung Vakum

Defenisi• Field Effect Transistor (FET) merupakan suatu jenis

transistor khusus. Tidak seperti transistor biasa, yang akan menghantar bila diberi arus basis, transistor jenis ini akan menghantar bila diberikan tegangan (jadi bukan arus). Kaki-kakinya diberi nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

• Kanal n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.

6

FIELD EFFECT TRANSISTOR

p p

n

G

S

D

VDS

VGS

STRUKTUR FET

7

OPERASI FET

G

n

S

D

VDS

VGS

p p

n

S

D

VDS

VGS

p pG

n

S

D

VDS

VGS

p pG

VGS = 0 VGS = -2V VGS = -4V

8

OPERASI FET

G

n

S

D

VDS

VGS

p p

n

S

D

VDS

VGS

p pG

n

S

D

VDS

VGS

p pG

VDS = 1V VDS = 2V VDS = 4V

VGS = 0V VGS = 0V VGS = 0V

9

KURVA KARAKTERISTIK

IDSS

ID

VDS

Daerah aktif

Daerah Ohmic

VPVDS(maks)

DaerahBreakdown

VGS(off) = -4V

VGS = 0V

VGS = -1V

VGS = -2V

VGS = -3V

ID

VP = 4V

Kurva drain dengan

beberapa nilai VGS

VDS

Kurva drain dengan gate

dan source dihubung singkat

VP = - VGS(off)

10

SIMBOL DAN POLARITAS

D

G

S

D

G

S

kanal

kanal

D

G

S

D

G

S

ID

ID

+

_

_

+

VDS

VGS

_

+

+

_

VDS

VGS

11

KURVA TRANSKONDUKTANSI

2

)off(GS

GSDSSD V

V1.II

VGS(off) = -4V

VGS = 0V

VGS = -1V

VGS = -2V

VGS = -3V

ID

VP = 4V

Kurva transkonduktansi dari kurva drain

VGS( V ) -4 -3 -2 -1 0

IDSS

12

NORMALISASI

2

)off(GS

GS

DSS

D

V

V1

I

I

ID

IDSS

1 3/4 2/4 1/4 0

1

9/16

4/16

1/16

VGS

VGS(off)

13

CONTOH

+ VDD

VGS = - 2V

RD

Tentukan arus drain pada rangkaian disamping ini jika arus drain maksimum IDSS = 2 mA,

VGS(off) = -4 volt.

mA5.0I

)25.0).(mA2(I

V4

V21.mA2I

V

V1.II

D

D

2

D

2

)off(GS

GSDSSD

Pabrikasi JFET

Pabrikasi MOSFET

Simbol

Simbol Grafis (a) n-channel depletion type MOSFET (b) p-channel depletion type MOSFET

Tabung Vakum

• Dalam elektronika, sebuah tabung vakum adalah sebuah alat yang biasanya digunakan untuk menguatkan sinyal. Dahulu digunakan di banyak alat-alat elektronik tapi kini tabung vakum hanya digunakan dalam aplikasi khusus. Untuk banyak tujuan, tabung vakum telah diganti oleh transistor yang murah dan jauh lebih kecil, baik sebagai alat terpisah maupun dalam sirkuit terpadu.

Tabung Vakum

Kesimpulan

• FET jenis transistor yang hanya mengantar bila di beri tegangan

• FET hanya akan mengantar jika gatenya bernilai negatif• Jika tegangan Gate menjadi positif maka FET akan berfungsi

sebagai Dioda• FET memiliki input Impedansi besar dan disipasi daya yang

kecil• Tabung Vakum adalah awal dari sebuah Transistor• Tabung Vakum juga berfungsi seperti dioda dan transistor,

karna transistor sendiri juga berasal dari dioda dengan bahan yang sama, yaitu semikonduktor.

Daftar Pustaka

• http://toribhamzah.wordpress.com/materi-kuliah/

• http://sofyanaghfar.blogspot.com/2011/11/tentang-tabung-vakum.html

• http://ripanimusyaffalab.blogspot.com/2011/04/kode-warna-tabung-vakum.html

• http://ermach.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/16147/BAB5.pdf

• http://adharul.lecture.ub.ac.id/files/2010/12/PrinsipkerjaFET1.pdf

• http://kambing.ui.ac.id/onnopurbo/orari-diklat/teknik/elektronika/elektronika-dasar-I-univ-negeri-jember/bab12-transistor-efek-medan.pdf