prasikap transistor

Laporan Praktikum

Dasar Elektronika

Percobaan III

Prasikap Transistor

Oleh

Nama : Muhammad Rizki Kurniawan

NIM : 2106011130078

Kelompok : 26

Jurusan Teknik Elektro

Fakultas Teknik

Universitas Diponegoro

2012

4.1 Tujuan

1. Untuk mengetahui daerah kerja transistor

2. Untuk menganalisa ketiga konfigurasi transistor

3. Untuk mempelajari arus pada kaki-kaki transistor

4.2 Alat dan Bahan

Percobaan prasikap transistor menggunakan alat ukur multimeter untuk

mengukur besaran-besaran yang diambil sebagai data untuk dianalisis.

Komponen dan alat ukur yang digunakan adalah :

1. Rsistor (10,20,46,470 kὨ)2. Transistor NPN 90133. Power Supply4. Kabel Jumper5. Multimeter6. Protoboard

4.3 Rangkaian Percobaan

Pada unit percobaan ini digunakan tiga konfigurasi transistor yang dirangkai

seperti gambar berikut :

4.3.1 Gambar Rangkaian percobaan Common Emiter (CE)

Gambar 3.1 Rangkaian konfigurasi Common Emiter (CE)

4.3.2 Gambar Rangkaian percobaan Common Collector (CC)

Gambar 3.2 Rangkaian konfigurasi Common Collector (CC)

4.3.3 Gambar Rangkaian percobaan Common Base (CB)

Gambar 3.3 Rangkaian konfigurasi Common Base (CB)

4.4 Langkah Percobaan

Dengan menggunakan ketiga konfigurasi rangkaian di atas percobaan ini

dimulai dengan langkah – langkah sebagai berikut :

4.1.1 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Base.

1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common basis.

2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan

Ground dengankabel jumper.

3. Hubungkantengangan -12volt denganRE ,5voltdengan RC dan Ground

dengan RB.

4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter.

5. TentukanDaerah kerja transistor.

4.1.2 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Emittor

1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common emotor.



3. Hubungkantengangan -12volt denganRC ,5voltdengan RB dan

Ground dengan RE.



4.4.3 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Collector

1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common collector.



3. Hubungkantengangan -12volt denganRE ,5voltdengan RB dan

Ground dengan RC.



4.5 Data Percobaan

4.5.1 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Emitter

Tabel 4.1 Data Percobaan Konfigurasi Common Emitor

Tegangan VB (Volt) VC (Volt) VE (Volt)

CE daerah mati

RE = 4 kΩ

RB = 200 kΩ

RC = 20 kΩ

4,35

10 4,6

CE daerah hidup

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

5,2

10

4,69

CE daerah jenuh

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

4,54 5,15 4,59

4.5.2 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Collector

Tabel 4.2 Data Percobaan Konfigurasi Common Collector


CC daerah mati

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

-8,12

-8,88

-8,84

CC daerah hidup

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

-0,27

0,1

-9,45

CC daerah jenuh

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

-10,14

-10,78

-10,79

4.5.3 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Base

Tabel 4.3 Data Percobaan Konfigurasi Common Basis


CB daerah hidup

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

12,9

13,5

13,3

CB daerah jenuh

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

-1,48

-0,9

-10,27

CB daerah mati

RE = 3,24 kΩ

RB = 5,52 kΩ

RC = 9,84 kΩ

-1,08

-1,84

-9,80

4.6 Analisa dan Pembahasan

TEORI SINGKAT TENTANG UNIT PERCOBAAN

Transistor adalah komponen aktif tiga terminal disebut transistor

persambungan bipolar (BJT). Ketiga terminal tersebut adalah Basis (B), Colektor (C)

dan Emitor (E). Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT (Bipolar Junction Transistor)

, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p dan dibuat dua buah bahan semikonduktor dengan

dua tipe berbeda (semi konduktor tipe –n dan semi konduktor tipe –p) yang disusun

demikian sehingga tipe –n mengapit tipe –p atau sebaliknya. Apabila semi konduktor

tipe –n yang mengapit tipe –p maka disebut transistor NPN, dan sebaliknya apabila

semi konduktor tipe –p yang mengapit tipe –n maka disebut transistor PNP.

Gambar 3.4 Struktur Fisis Transistor tipe NPN

Gambar 3.5 Struktur Fisis Transistor tipe PNP

Kaki-kaki pada transistor :

Emiter : Pemancar muatan

Colector : Pengumpul muatan

Basis : Pengendali

(a) (b)

Gambar 3.6 Representasi rangkaian dari tipe transistor (a) PNP; (b) NPN

Tanda anak panah menunjukan arah aliran arus. Untuk jenis transistor P-N-P

, transistor transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode.

Setiap diode diberi prasikap maju atau prasikap mundur. Demikian juga untuk

transistor n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti

diode. Setiap diode dapat diberi prasikap maju atau prasikap mundur, sehingga

transistor dapat memiliki empat daerah kerja

Daerah kerja transistor ada 4 daerah yaitu :

Tabel 4.4 Daerah kerja transistor

No JE JC Keterangan

1 maju mundur Transistor pada daerah Jenuh

2 maju maju Transistor pada daerah Aktif

3 mundur maju Transistor pada daerah Anti Aktif

4 mundur mundur Transistor pada daerah Mati

Untuk daerah pada nomor 3 menyebabkan transistor bekerja menyalahi

aturan yaitu :

Emiter berfungsi sebagai pengumpul muatan

Kolektor berfungsi sebagai pemancar muatan

Komponen-komponen arus pada transistor :

Gambar 3.7 Komponen arus pada transistor

Gambar komponen arus diatas hanya berlaku apabila transistor PNP diberi

prasikap maju pada JE dan mundur pada JC

Hukum Khircoff arus pada Transistor :

Pada Emiter :

Pada Basis :

Pada Kolektor :

Arus-arus InE, IpB, dan Ico nilainya sangat kecil sehingga :

Jika diambil : , maka :

atau

dengan adalah peroleh arus sinyal kecil (narrow signal current gain),

secara umum ditulis :

Dengan IEo = nilai arus emiter awal sehingga

Konfigurasi untuk transistor dipengaruhi oleh arus-arus pada basis, kolektor,

dan emiter tidak hanya itu konfigurasi pada transistor ditandai dengan tembok

potensial yang meninggi / merendah. Jika arus pada kolektor lebih positif dari pada

basis JE akan maju maka tembok potensial merendah, untuk arus pada kolektor lebih

negatif dari pada basis maka JC mundur maka tembok potensial meninggi.

Konfigurasi Transistor

Konfigurasi Transistor ada 3 macam :

1. Transistor dengan konfigurasi basis bersama (CB)

Pada konfigurasi ini dapat diketahui dengan melihat basis sebagai acuan

tegangan atau basis yang diketanahkan.

2. Transistor dengan konfigurasi emitter bersama (CE)

Dalam hal ini emitor sebagai acuan tegangan atau yan diketanahkan karena

emitter terangkai pada masukan dan keluaran.

3. Transistor dengan konfigurasi kolektor bersama (CC)

Dengan kolektor sebagai acuan tegangan (V=0).

Gambar 3.8 Transistor dengan konfigurasi emiter bersama

(Common emitter)

Gambar 3.9 Transistor dengan konfigurasi basis bersama

(Common Base)

Gambar 3.10 Transistor dengan konfigurasi kolektor bersama

(Common Collector)

Tabel 4.5 Watak transistor

Watak CE CC CB

Masukan VBE=F(iB,VCE)│VCETetap VBC=F(iB,VEC)│VECTetap VBB=F(iE,VCB)│VCBTetap

Keluaran IC=F(iB,VCE) │IBTetap IE=F(iB,VEC) │IBTetap IC=F(iE,VCB) │IETetap

Grafik

Watak

Masukan

Grafik

Watak

Keluaran

Untuk analisis pada rangkaian transistor ada 2 yaitu :

1. Analisis statis (DC) atau analisis prasikap (biasing) yaitu analisis untuk

menentukan titik kerja transistor yang dinginkan atau analisis untuk memberi

prasikap pada transistor.

2. Analisis dinamis (AC) yaitu analisis untuk mencari keluaran bila masukannya

sinyal berfrekuensi.

Pada analisis statis (DC) pada rangkaian transistor dimaksudkan intuk

memberi prasikap transistor yaitu transistor tersebut akan dipekerjakan pada

daerah apa apakah daerah aktiv, daerah jenuh, ataupun daerah mati, dan

selanjutnya titi kerja transistor dapat ditentukan. Titik kerja transistor

biasanya ditandai dengan symbol Q (Operating Point / Quotient Point / titik

terang ).

4.6.1 Perhitungan Arus Transitor

Perhitungan arus-arus yang ada pada transistor dilakukan dengan menerapkan

hukum-hukum Kirchoff baik itu Hukum Kirchoff Tegangan (HKP) maupun Hukum

Kirchoff Arus (HKA) pada masing-masing konfigurasi rangkaian.

4.6.1.1 Konfigurasi Common Emitter

Pada konfigurasi emitter bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :

Gambar 3.9 Rangkaian konfigurasi

Common Emitter

Rangkaian tersebut dapat kita sederhanakan atau kita buat ekivalensinya sebagai

berikut :

Gambar 3.10 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Emitter

Contoh perhitungan :

CE daerah mati

RB = 200 kΩ

RE = 4 kΩ

RC = 20 kΩ

VBE = VB – VE

= 4,35 – 4,6

= -0,25 Volt

VBC = VB – VC

= 4,35 – 10

= -5,65 Volt

VCE = VC – VE

= 10 – 4,6

= 5,4 Volt

Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian

di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC.

Pada loop I

IBRB + VBE - IERE + 5 = 0

200.103 IB - 0,25 - 4.103 IE +5= 0

200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75…………………(1)

Pada loop II

12 + IERE - VCE – ICRC = 0

12 + 4.103 IE – 5,4 – 20.103 IC = 0…………...(2)

HKA pada transistor

IC + IB + IE = 0

IC = - IB – IE…………………………………….. .(3)

Persamaan (3) masuk (2)

12 + 4.103 IE – 5,4– 20.103 IC = 0

4.103 IE – 20.103 IC = - 6,6

4.103IE – 20.103 ( - IB – IE ) = - 6,6

4.103 IE + 20.103 IB + 20.103 IE = - 6,6

20.103 IB + 24.103 IE = - 6,6……..…………… (4)

Persamaan (1) dan (4)

200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75 | x 6

20.103 IB + 24.103 IE = - 6,6 | x 1

1.200.103IB – 24.103 IE = - 28,5

20. 103 IB +24.103 IE = - 6,6 +

1220 IB = - 35,1

IB = - 0,028 mA

Persamaan (1)

200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75

200.103 (- 0,028 ) - 4.103 IE = - 4,75

5,75. 103- 4.103 IE = - 4,75

- 4.103 IE = -10,5

IE = 2,62 mA

Persamaan (3)

IC = - IB – IE

= - 0,028 +2,62

IC = 2,598 mA

Jadi, arus-arus pada konfigurasi common emitter daerah mati adalah

sebagai berikut : IB = - 0,028mA; IE = 2,62 mA; dan IC = 2,598 mA

Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja

transistor rangkaian CE dapat dilihat pada tabel berikut :

Tabel 4.6 Hasil perhitungan nilai IB, Ic, IE rangkaian transistor konfigurasi CE

Daerah

Kerja

RB

(k)

IB

(mA)

IE

(mA)

Ic

(mA)

Mati 200 - 0,028 2,62 2,598

Hidup 10 0,476 -0,12 0596

Jenuh 4,7 - 0,795 - 0,755 1,5505

4.6.1.2 Konfigurasi Common Collector

Pada konfigurasi kolektor bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :

Gambar 3.11 Rangkaian konfigurasi Common Collector

Rangkaian tersebut dapat kita sederhanakan atau kita buat ekivalensinya sebagai

berikut :

Gambar 3.12 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Collector


CC daerah mati

RB = 2 kΩ

RE = 386 kΩ

RC = 14,8 kΩ

VBE = VB – VE

= -8,12 + 8,84

= 0,72 Volt

VBC = VB – VC

= - 8,12 +8,88

= 0,76 Volt

VCE = VC – VE

= -8,88+ 8,84

= 0,04 Volt



Pada loop I

IBRB + VBC – ICRC +5 = 0

2.103 IB + 0,76 – 14,8. 103 IC +5= 0

2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76…………………… (1)

Pada loop II

12 + ICRC + VCE – IERE = 0

12 + 14,8.103 IC + 0,04 – 0,386. 103IE= 0…………............ (2)

HKA pada transistor

IC + IB + IE = 0

IE = - IB – IC…………………………………….. (3)


12 + 14,8.103 IC + 0,04 – 0,386. 103IE= 0

14,8.103 IC – 0,386. 103 IE = - 12,04

14,8.103 IC – 0,386. 103 ( - IB – IC ) = - 12,04

14,8.103 IC + 0,386. 103 IB + 0,386. 103 IC = - 10,87

15,186.103 IC + 0,386. 103 IB = - 10,87………………………. (4)


2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76 │x 0,386

0,386. 103 IB + 15,186.103 IC = - 10,87 │x 2

0,772.103 IB - 5,7128.103 IC = -2,223

0,772.103 IB + 30,372.103 IC = - 21,74 _

- 36,0848 IC = 19,517

IC = - 0,54 mA

Persamaan (1)

2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76

2.103 IB - 14,8.103 (- 0,54.103) = -5,76

2.103 IB = -5,76+15,34

IB = -9,58 mA

Persamaan (3)

IE = - IB – IC

= 9,58 + 0,54

IE = 10,12 mA

Jadi, arus-arus pada konfigurasi common collector daerah mati adalah

sebagai berikut : IB = -9,58 mA; IE = 10,12 mA; dan IC = - 0,54 mA


transistor rangkaian CC dapat dilihat pada tabel berikut :

Tabel 4.7 Hasil perhitungan nilai IB, IE, IC rangkaian transistor konfigurasi CC

Daerah

Kerja

RB

(k)

IB

(mA)

IE

(mA)

Ic

(mA)

Mati 2 -9,58 10,12 - 0,54

Hidup 1,5 - 1.334 0,019 1,315

Jenuh 86 0,22 0,461 -0.681

4.6.1.3 Konfigurasi Common Base

Pada konfigurasi kolektor bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :

Gambar 3.13

Rangkaian konfigurasi

Common Base

Rangkaian tersebut dapat kita

analisis dengan menggunakan

loop sebagai berikut :

Gambar 3.14 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Base


CB daerah mati

RB = 20 kΩ

RE = 2 kΩ

RC = 47 Ω

VBE = VB – VE

= 12,9 – 13,3

= -0,4 Volt

VBC = VB – VC

= 12,9– 13,5

= -0,6 Volt

VCE = VC – VE

= 13,5– 13,3

= 0,2Volt



Pada loop I

-12 + IERE - VBE – IBRB = 0

-12 + IE . 2 +0,4– IB . 20 = 0

2.103 IE - 20.103 IB = 6,6………………. (1)

Pada loop II

- 5 + IBRB + VBC – ICRC = 0

- 5 + 20.103 IB -0,6– 0,047.103 IC = 0

20.103 IB - 0,047.103 IC = -5,6…………..........(2)

HKA pada transistor

IC + IB + IE = 0

IC = - IB – IE…………………………………….. (3)


20.103 IB - 0,047.103 IC = -5,6

20.103 IB - 0,047.103 (- IB – IE ) = -5,6

20.103 IB + 0,047.103 IE + 0,047.103 IB = -5,6

20,047.103 IB + 0,047.103 IE = -5,6…………….. (4)


2.103 IE - 20.103 IB = 6,6 │x 0,047

0,047.103 IE + 20,047.103 IB = -5,6 │x 2

0,094.103 IE - 0,94.103 IB = 0,31

0,094.103 IE + 40,094.103 IB = -5,6 _

- 41,034IB = 5,91, IB = -0,144 mA

Persamaan (1)

2.103 IE - 20.103 (-0,144. 10 -3 ) = 6,6

2.103 IE + 2,88 = 6,6

2.103 IE = 6,6 -2,88

2.103.103 IE = 3,72

IE = 1,86 mA

Persamaan (3)

IC = - IB – IE

= 0,144 – 1,86

IC = -1,716 mA

Jadi, arus-arus pada konfigurasi common base daerah mati adalah sebagai

berikut : IB = -0,144 mA; IE = 1,86 mA; dan IC = -1,716 mA


transistor rangkaian CB dapat dilihat pada tabel berikut :

Tabel 4.8 Hasil perhitungan nilai IB, IE, IC rangkaian transistor konfigurasi CB

Daerah Kerja

Transitor

RB

(k)

IB

(mA)

IE

(mA)

IC

(mA)

Mati 20 -0,144 1,86 -1,716

Hidup 10 -0,42 0,91 - 1,33

Jenuh 10 - 0,53 0,76 - 1,82

4.6.2 PERHITUNGAN DAYA PADA KAKI-KAKI TRANSISTOR

Untuk menghitung daya pada kaki-kaki transistor, digunakan rumus sebagai

berikut :

P = I 2.R

dimana : P = Daya pada kaki transistor (W)

I = Arus pada kaki-kaki transistor (A)

R = Hambatan pada kaki transistor ()

6.2.1 Konfigurasi Common Emitter

Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CE ini didapat

parameter-parameter sebagai berikut :

Tabel 4.9 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CE

Daerah

Kerja

Transitor

RB

(k)

RE

(k)

RC

(k)

IB

(mA)

IE

(mA)

IC

(mA)

Mati200

4 20- 0,028 2,62 2,598

Hidup 10 4 20 0,476 -0,12 0,596

Jenuh 4,7 2 200 - 0,795 - 0,755 1,5505


CE daerah mati

Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut:

PB = IB2 RB

= (- 0,028.10-3)2 x 200.103 Ω= 0,1568.10-3 W

PE = IE2 RE

= (2,62.10-3)2 x 4.103 Ω = 27,4576.10-3 WPC = IC

2 RC

= (2,598 .10-3)2 x 2.103 Ω = 13,49.10-3 WHasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor

rangkaian CE adalah sebagai berikut:

Tabel 4.10 Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CE

Daerah

Kerja

PB

(Watt)

PE

(Watt)

PC

(Watt)

Mati 0,1568.10-3 27,4576.10-3 13,49.10-3

Hidup 2,26.10-3 0,05.10-3 50,47.10-3

Jenuh 2,97.10-3 1,14.10-3 480.10-2

6.2.2 Konfigurasi Common Collector

Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CC ini didapat


Tabel 4.11 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CC

Daerah

Kerja

Transitor

RB

(k)

RE

(k)

RC

(k)

IB

(mA)

IE

(mA)

IC

(mA)

Mati 2 0,386 14,8 -9,58 10,12 - 0,54

Hidup 1,5 0,228 2 - 1.334 0,019 1,315

Jenuh 86 1,2 20 0,22 0,461 -0.681


CC daerah mati


PB = IB2 RB

= (-9,58.10-3)2 x 2. 103 Ω = 183,55.10-3 WPE = IE

2 RE

= (10,12.10-3)2 x 0,386.103 Ω = 29,53.10-3 WPC = IC

2 RC

= (- 0,54.10-3)2 x 14,8. 103Ω = 4,31.10-3 W

Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor

rangkaian CC adalah sebagai berikut:

Tabel 4.12Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CC

Daerah

Kerja

PB

(Watt)

PE

(Watt)

PC

(Watt)

Mati 183,55.10-3 29,53.10-3 4,31.10-3

Hidup 2,65.10-3 8,2.10-8 3,45.10-3

Jenuh 4,16.10-3 0,255.10-3 9,27.10-3

6.2.3 Konfigurasi Common Base

Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CB ini didapat


Tabel 4.13 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CB

Daerah

Kerja

Transitor

RB

(k)

RE

(k)

RC

(k)

IB

(mA)

IE

(mA)

IC

(mA)

Mati 20 2 0,047 -0,144 1,86 -1,716

Hidup 10 1,8 20 -0,42 0,91 - 1,33

Jenuh 10 20 47 - 0,53 0,76 - 1,82


CB daerah mati


PB = IB2 RB

= (-0,144.10-3)2 x 20.103 Ω = 0,414.10-3 W

PE = IE2 RE

= (1,86.10-3)2 x 2.103 Ω = 6,91.10-3 W

PC = IC2 RC

= (-1,716.10-3)2 x 47.10-3 Ω = 1,38.10-3 W

Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor

rangkaian CB adalah sebagai berikut:

Tabel 4.14 Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CB

Daerah

Kerja

PB

(Watt)

PE

(Watt)

PC

(Watt)

Mati 0,414.10-3 6,91.10-3 1,38.10-3

Hidup 1,764.10-3 1,49.10-3 26,6.10-3

Jenuh 2,809.10-3 11,552.10-3 155,68.10-3

4.7 KESIMPULAN

1. Transistor adalah komponen aktif tiga terminal: Basis (B), Colektor

(C) dan Emitor (E), dibuat dari dua buah bahan semikonduktor dengan dua

tipe berbeda (semi konduktor tipe –n dan semi konduktor tipe –p) yang

disusun demikian sehingga tipe –n mengapit tipe –p atau sebaliknya

2. Transistor memiliki 3 rangkaian prasikap yaitu emiter sekutu, kolektor

sekutu dan basis sekutu.

3. Tiap rangkaian prasikap transistor memiliki 4 daerah kerja yaitu

daerah mati, daerah aktif, daerah jenuh dan daerah inactive, tetapi dalam

praktikum ini hanya dibahas 3 daerah saja yang ditentukan oleh kombinasi

hambatan yang akan memberikan prasikap pada sambungan emiter dan

sambungan kolektor.

4. Arus pada kolektor akan lebih besar dari arus basis hal ini

dikarenakan adanya penguatan β. Hal ini akan berakibat daya pada kaki

kolektor lebih besar daripada kaki basis.

5. Arus pada emiter memiliki nilai yang hampir sama dengan nilai arus

kolektor, hal ini dikarenakan arus emiter merupakan penjumlahan dari arus

basis yang relatif kecil dengan arus kolektor yang jauh lebih besar

6. Transistor dapat digunakan sebagai saklar jika dipekerjakan pada

daerah mati dan jenuh.

prasikap transistor

Documents