transistor -...
TRANSCRIPT
OUTLINE
▪ Sejarah
▪ Teori
▪ Tipe Transistor
▪ Properti BJT
▪ Aplikasi BJT
▪ FET dan aplikasinya
▪ Transistor Daya & Aplikasinya
APA ITU TRANSISTOR?
Transistor adalah suatu devaiselektronik yg terdiri dari lapisan2
material semikonduktor yang mengatur aliran arus atau tegangan
dan bertindak sebagai saklar ataugerbang untuk rangkaian elektronik.
SEJARAH TRANSISTOR
▪ P-N Junction : Russell Ohl 1939
▪ First Transistor : Bell Labs 1947 Shockley, Brattain, and Bardeen
▪ First Solid State : Transistor - 1951
Bahan Transistor
• Terdiri dari semikonduktor tipe P dan N.• Semikonduktor tipe N mempunyai
kelebihan elektron.• Semikonduktor tipe P kekurangan
elektron (mempunyai hole).
Bahan transistor
Persambungan P-N (diode dasar):-Menghubungkan
semikonduktor tipe P dantipe N.
-Membentuk daerahpengosongan.
Karakteristik transistor
• Dibias balikTidak ada arus• Menerapkan tegangan negatif (-V) ke
Anoda, meningkatkan tegangan barrierdan menghalangi aliran arus.
Karakteristik transistor
• Dibias maju arus akan mengalir• Menerapkan tegangan positif ke Anoda,
mengurangi tegangan barrier sehingga arusmengalir.
Aplikasi BJT : Penguat sinyal kecil
c
e
c
e
e
e
ee
be
BBb
RZout
RRZin
R
RGain
I
mVR
R
VI
VVV
VRR
RV
21
21
2
//
'
25'
7,0
Aplikasi BJT : Darlington
• Penguatan arus : β1*β2• R dipilih sehingga titik saturasi dapat mencapaiR = (V-2*0,7)/(Ib(in)*β1)
Dasar-Dasar FETManfaat :-Daya rendah- Impedansi gerbangtinggi- Resistansi Source /Drain rendah
Kegunaan : -Amplifier- Saklar Analog
Desain :-Gate-Base-Source-Emitter- Drain-Collector
Simbol-simbol FET
▪ Arah panah Gate tipe-P atau tipe-N
▪ Pemisahan Gate/SourceMOSFET atau JFET
▪ Jalur Source/Drain patahmode peningkatan(enhancement mode) atau mode pengosongan(depletion mode).
▪ Jalur Gate dibuat offset terhadap Source.
Transistor DAYA▪ Secara Umum
Ada perbedaan fabrikasi untuk rugi-rugi dan panas. Penguatan lebih rendah drpd transistor sinyal.
▪ BJTUmumnya sama dengan BJT level sinyal.BJT daya tidak dapat digerakkan secara langsungoleh mikrokontroller.
▪ MOSFETDiode base (flyback).Memenuhi syarat arus yg besar : gunakan MOSFET paralel.