pertemuan 21 field effect transistor ( fet )
DESCRIPTION
Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET ). Matakuliah: H0014/Elektronika Diskrit Tahun: 2005 Versi: 1. Learning Outcomes. Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa akan mampu : Menjelaskan struktur, tipe dan cara kerja dari FET. Outline Materi. Struktur FET. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
![Page 1: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/1.jpg)
1
Pertemuan 21FIELD EFFECT TRANSISTOR
( FET )
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit
Tahun : 2005
Versi : 1
![Page 2: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/2.jpg)
2
Learning Outcomes
Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa
akan mampu :
Menjelaskan struktur, tipe dan cara kerja dari FET.
![Page 3: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/3.jpg)
3
Outline Materi
• Struktur FET.
• Simbol dan tipe FET.
• Cara kerja FET.
![Page 4: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/4.jpg)
4
FIELD EFFECT TRANSISTORFIELD EFFECT TRANSISTOR
p p
n
G
S
D
VDS
VGS
STRUKTUR FET
![Page 5: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/5.jpg)
5
OPERASI FETOPERASI FET
G
n
S
D
VDS
VGS
p p
n
S
D
VDS
VGS
p pG
n
S
D
VDS
VGS
p pG
VGS = 0 VGS = -2V VGS = -4V
![Page 6: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/6.jpg)
6
OPERASI FETOPERASI FET
G
n
S
D
VDS
VGS
p p
n
S
D
VDS
VGS
p pG
n
S
D
VDS
VGS
p pG
VDS = 1V VDS = 2V VDS = 4V
VGS = 0V VGS = 0V VGS = 0V
![Page 7: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/7.jpg)
7
KURVA KARAKTERISTIKKURVA KARAKTERISTIK
IDSS
ID
VDS
Daerah aktif
Daerah Ohmic
VPVDS(maks)
DaerahBreakdown
VGS(off) = -4V
VGS = 0V
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
ID
VP = 4V
Kurva drain dengan
beberapa nilai VGS
VDS
Kurva drain dengan gate
dan source dihubung singkat
VP = - VGS(off)
![Page 8: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/8.jpg)
8
SIMBOL DAN POLARITASSIMBOL DAN POLARITAS
D
G
S
D
G
S
kanal
kanal
D
G
S
D
G
S
ID
ID
+
_
_
+
VDS
VGS
_
+
+
_
VDS
VGS
![Page 9: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/9.jpg)
9
KURVA TRANSKONDUKTANSIKURVA TRANSKONDUKTANSI
2
)off(GS
GSDSSD V
V1.II
VGS(off) = -4V
VGS = 0V
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
ID
VP = 4V
Kurva transkonduktansi dari kurva drain
VGS( V ) -4 -3 -2 -1 0
IDSS
![Page 10: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/10.jpg)
10
NORMALISASINORMALISASI
2
)off(GS
GS
DSS
D
V
V1
I
I
ID
IDSS
1 3/4 2/4 1/4 0
1
9/16
4/16
1/16
VGS
VGS(off)
![Page 11: Pertemuan 21 FIELD EFFECT TRANSISTOR ( FET )](https://reader036.vdokumen.com/reader036/viewer/2022082417/56813b27550346895da3e888/html5/thumbnails/11.jpg)
11
CONTOHCONTOH
+ VDD
VGS = - 2V
RD
Tentukan arus drain pada rangkaian disamping ini jika arus drain maksimum IDSS =
2 mA, VGS(off) = -4 volt.
mA5.0I
)25.0).(mA2(I
V4
V21.mA2I
V
V1.II
D
D
2
D
2
)off(GS
GSDSSD