nano fabrication

Click here to load reader

Download Nano Fabrication

Post on 30-Sep-2015

253 views

Category:

Documents

15 download

Embed Size (px)

DESCRIPTION

kjbajksdbkjabsjdkbajksbdkja ajskdbjkasjkbsakjbfkja kjzsbfjkasbkjfbajksbf ajksfbkjasbfjkbasjkf akjsfjkabskjfbsajkbfjka ajkfjkasjkfbaskjfbsaj uwabfkwjabfjbs kjasbjkabsfkj

TRANSCRIPT

  • *

  • Diagram blok ini merupakan gambaran proses photolithography secara keseluruhan. *

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • 1.Substrate CleaningTujuannya adalah agar wafer dalam kondisi yang benar-benar murni tanpa mengandung pengotor sedikitpun.Wafer yang sudah didiamkan dalam waktu yang cukup lama, membutuhkan pembersihan menggunakan cairan asam.*

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • Tujuannya adalah agar wafer diselimuti photoresist yang seragam.Caranya adalah dengan memutar wafer dengan kecepatan yang konstan.*2. Wafer Coating

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • * Before spin After spin PR Wafer PR ChuckProses Spin CoatingKita dapat menggunakan proses spin coating dengan kecepatan 1000 - 6000 rpm dalam waktu 20 - 60 detik untuk menghasilkan thin film yang seragam dengan ketebalan 0.3 - 2.5 mm.

  • Tujuannya adalah menguatkan ikatan adhesi pada photoresistTemperatur kerjanya berkisar 90-100C*3. Pre-Bake ( Soft-Bake )

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • Tujuannya adalah untuk menentukan photoresist yang tidak dibutuhkan dengan cara menyinari photoresist menggunakan sinar UV.

    *4. Expose

    SUBSTRATE

    CLEANING

    STRIP

    INSPECTION

    ETCH

    POST-BAKE

    DEVELOP

    EXPOSE

    SPIN COAT

    PRE-BAKE

  • Proses ini adalah mengangkat bagian photoresist yang tidak dibutuhkan menggunakan cairan tertentu sebagai pelarutnya.Untuk positive photoresist, bagian photoresist yang terkena sinar UV akan terangkat setelah dilarutkan dengan cairan tertentu.Sedangkan untuk negative photoresist, bagian photoresist yang tidak terkena sinar UV akan terangkat setelah dilarutkan dengan cairan tertentu.*5. Develop

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • Proses ini berjalan selama 30 menit dengan temperatur kerja 100-120C*6. Post-Bake

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • Tujuannya adalah agar mengetahui apakah wafer sudah siap untuk proses selanjutnya, etching.Apabila, ada bentuk photoresist yang tidak sesuai dengan keinginan / mask yang digunakan, maka harus dibuat ulang dari langkah awal.*

    7. Inspection

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • Proses etching dibagi 2, yaitu Dry Plasma Etch dan Wet Chemical Etch. Sesuai dengan namanya, dry plasma etch memanfaatkan metode ion bombardment untuk melepaskan ikatan antar atomnya. Sedangkan wet chemical etch menggunakan cairan kimia tertentu untuk melarutkannya.*

    8. Etch

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • *

    9. Strip Strip adalah proses terakhir dalam photolithography, yaitu di mana photoresist dilepas seluruhnya.Sama seperti proses etch, strip dapat dibagi menjadi dry plasma strip dan wet chemical strip.

    SUBSTRATE

    CLEANING

    PRE-BAKE

    SPIN COAT

    DEVELOP

    EXPOSE

    INSPECTION

    POST-BAKE

    ETCH

    STRIP

  • SILICON P-N JUNCTION DIODE WITH BOTH ELECTRICAL CONTACTS ON THE TOP SURFACE OF THE WAFER *Contoh proses Photolithography

  • Dimulai dari wafer p-doped silicon biasa yang kemudian dioksidasi. *

  • Yang kita butuhkan pertama-tama adalah membuat lubang pada SiO2 agar silicon tersebut dapat kita difusikan dopant n. *

  • Bagian penting dari proses lithography itu sendiri adalah mask.Mask adalah sebuah kaca yang dilapisi dengan thin film yang tidak tembus cahaya.Guna dari mask ini sendiri adalah untuk menentukan cahaya UV akan menyinari bagian mana dari wafer. Sehingga akan terbentuk pola yang sesuai dengan kita inginkan. *

  • Untuk contoh kali ini, berikut adalah mask yang kita gunakan *

  • Pertama-tama kita lapisi wafer dengan photoresist secara keseluruhan. *

  • Wafer ini dipanaskan dengan temperatur 70 -90C (soft bake or pre-bake) untuk menguatkan ikatan adhesi pada photoresist itu sendiri. *

  • Kemudian, mask yang kita miliki tadi, kita letakkan sesuai dengan tempat yang diinginkan untuk melewatkan cahaya UV nya.*

  • Bagian dari photoresist yang tidak tertutup oleh opaque metal pada mask akan terkena cahaya UV. *

  • Kemudian, dalam proses develop, bagian dari photoresist tersebut yang terkena sinar UV dilarutkan dengan cairan kimia sehingga terbentuklah semacam lubang pada tempat tersebut. *

  • Kemudian, wafer dipanaskan lagi dengan temperatur 120 - 180C. Tujuannya adalah untuk kembali menguatkan ikatan pada photoresist tersebut.*

  • Bagian dari SiO2 yang tidak terselimuti photoresist maka dihilangkan dengan proses etching dengan larutan kimia HF (secara wet chemical etch) ataupun dengan dry plasma etch (menggunakan CF4 ). *

  • Bagian photoresist sekarang sudah tidak digunakan lagi dan dapat dihilangkan dengan menggunakan aseton (wet strip) ataupun plasma O2 (dry strip).*

  • Sekarang, kita dapat mendifusikan Fosfor, sebagai donor dopant melewati window yang sudah dibuat sebelumnya. *

  • Dengan cara yang sama, kita buat window terhadap p-substratnya. Kemudian, kita sekarang akan membuat contact pada substrat dan n-dopant yang kita gunakan. *

  • Bahan contact yang kita gunakan adalah aluminium (Al). Pada awalnya, aluminium akan tersebar secara merata pada wafer. Selanjutnya kita tentukan 2 tempat yang akan digunakan sebagai contact kemudian dengan proses sputtering akan membuat sedikit lubang pada aluminium tersebut. *

  • Dengan cara yang sama seperti sebelumnya, kita buat photoresist kita sedemikian rupa sehingga terbentuk seperti pada gambar di bawah ini. *

  • Bagian aluminium yang tidak terlindungi oleh photoresist kemudian kita dapat etch, baik secara dry plasma maupun wet chemical. *

  • Yang terakhir adalah photoresist tersebut kita strip. *

  • Silicon Nanowire

    Carbon Nano Tube

    Prosesor berkecepatan tinggi

    *

  • Kecepatan prosesor yang terus bertambah dengan semakin kecilnya lebar gate yang dapat dibuat.Kemampuan partikel emas (Ag) yang dapat membawa obat lewat peredaran darah ke titik-titik penyakit tertentu dalam tubuh. *

    *1