7/24/2019 CdTe Semcon Tipe n Dgn Band Gap 2

1/2

CdTe semcon tipe n dgn band gap 2,4eV

energi surya mengenai sel surya, kemudian akan dihasilkan arus difusi dan

arus generasi sebagai arus foto. Serapan energi surya sangat dipengarui oleh

energi gap material. Dengan demikian untuk meningkatkan esiensi konversi sel

surya dapat dilakukan dengan memilih material dengan energi gap yang tepat

atau dengan sistem tandem sehingga mampu menyerap sebagian besar

spektrum energi surya.

STRUKTUR

1. Substrat/Metal bacing!suatu material "g memilii onduti#itas listri "g bai$sbg onta terminal % sel

sur"a&seperti indium tin o'ide !(T)&adalah aterial yang konduktif tapi juga transparan.

2. Material semiondutor

- CdTe merupakan material direct band gap- Nilai energi bandgap 1. e! yang secara sempurna tepat dengan

spektrum surya. "oesien absorpsi CdTe berada dalam rentang 1#per

cm$

*. window layerumumnya menggunakan CdSsebagai material %indo% layer untuk

meneruskan cahaya yang diserap oleh CdTe

+V

Deposisi CdTe memerlukan temperature yang tinggi #degC selama 1

'am (1gr). *ada kondisi temperatur tinggi, Cd yang menguap dan Cd yangmengalami kekosongan tergabung dalam kisi yang dihasilkan dalam

konduktivitas tipe p. 1# +nergi ikat CdTe yang besarnya .& e! membuatnya

stabil secara termal

7/24/2019 CdTe Semcon Tipe n Dgn Band Gap 2

2/2

tipe-n=elebian eletrondalam struktur atomnya.

tipe-p=elebian ole dalam struktur atomnya.

h = 6,63 10-34 Js