Disusun oleh :

Nama Mahasiswa : Yafi Akhmad FaridNim/Prodi : 1410502052/Teknik MesinDosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng

UNIVERSITAS TIDAR2015:

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

DAFTAR ISI

Halaman Sampul ............................................................... 1Daftar Isi ............................................................... 2Pengertian Transistor ............................................................... 3Karakteristik Transistor ............................................................... 4Penutup ............................................................... 5

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi

tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya

Pengertian Transistor

Ada 2 Type Transistor :

Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor.

Karakteristik Transistor

Data kurva kolektor CE diperoleh rangkaian seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda. 

Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap, kemudian VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.

Kurva Kolektor

Ganbar 1

Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil.Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V(silikon) untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.

Gambar 2

Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCEuntuk IB = 20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Kenaikan VCE juga menghasilkan pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis sedikit.

Gambar 3

kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai

parameter seperti terlihat pada kurva diatas.

Kurva basis

silikon

Gambar Karakteristik Transistor

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter. Kurva kolektor terbagi menjadi empat daerah yaitu jenuh, aktif, dadal dan cut- off.

Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt.

Daerah Jenuh

Daerah Aktif

Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down) VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus balik. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.

Daerah dadal (breakdown) adalah daerah dimana arus atau tegangan dari transistor melebihi batas atau terlalu besar. Jika transistor berada di daerah tersebut, maka transistor dipastikan rusak.

Daerah dadal(breakdown)

Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.

Daerah cut-off (putus)

TERIMA KASIH