praktikum ke 1 karakteristik tr basis ditanahkan

LAPORAN SEMENTARA

PAGE 16

LAPORAN SEMENTARA

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II

Praktikum Ke 1

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN

(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)

Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.

A.TUJUAN

1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.

2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.

B.DASAR TEORI

Gambar 1. Penguat basis ditanahkan jenis pnp dan npn.

Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis IB dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.

Tampak bahwa arus kolektor : IC = IE - IB. Arus basis ini sebanding dengan arus emitor, yaitu IC = (IE. Parameter ( disebut penguat arus untuk basis ditanahkan, oleh karena pada rangkaian di atas basis dihubungkan dengan tanah. Parameter ( mempunyai nilai hampir sama dengan satu, yaitu :

( = 0,990 - 0,998

1.Ciri Masukan Common Basis

Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis ditanahkan sama dengan lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar maju oleh karena sambungan emitor-basis diberi panjar maju, gambar berikut:

Gambar 2. Lengkung ciri statik masukan transistor basis ditanahka.

Pada ciri statik masukan transistor perlu diperhatikan hal berikut :

a.Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik dioda dalam keadaan panjar maju. Ini tak mengherankan oleh karena sambungan emitor basis merupakan suatu dioda dengan panjar maju.

b.Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai nilai VCB. Hal ini berarti tegangan keluaran (VCB) tak banyak berpengaruh pada masukan. Suatu penguat memang seharusnya demikian. Apa yang terjadi pada keluaran tak terasa pada masukan.

Kedua sifat di atas membuat transistor dapat digunakan untuk memperkuat isyarat. Suatu perubahan kecil pada VCB oleh suatu isyarat masukan yang kecil akan menyebabkan perubahan arus emitor iE yang besar. Perubahan ini diteruskan menjadi arus isyarat iC, yang diubah menjadi isyarat tegangan oleh RC, yaitu vo = iCRC, yang lebih besar daripada tegangan isyarat masukan.

2.Ciri Keluaran Common Basis

Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor iC berubah dengan VCB untuk berbagai nilai arus statik dari emitor IE. Lengkung ciri statik transistor dengan hubungan basis ditanahkan ditunjukkan pada gambar di bawah ini untuk transistor jenis npn.

Gambar 3. Lengkung ciri statik keluaran transistor basis ditanahka.

Pada ciri keluaran transistor dengan hubungan basis ditanahkan perlu diperhatikan hal berikut :

a.iCiE, karena iC = (iEA dan (1. Hal ini juga berarti arus keluaran iC berbanding lurus dengan arus masukan iE. Dikatakan transistor dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.

b.Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat kecil (sangat horizontal). Ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan kebalikan kemiringan ic(vCB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.

C.ALAT-ALAT

1. Circuit Trainer (PH-62)

2. Voltmeter DC (PH-103)

3. Ampermeter DC (PH-104)

4. Power Supply (PH-47)

5. Regulator DC Power Supply (PH-107)

D.BAGAN/RANGKAIAN SET-UP ALAT

1. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan

Gambar 4. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan

2. Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan

Gambar 5. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan

E.PENYAJIAN DATA

1. Karakteristik Statis Masukan

VCB1 = 0 VoltVCB2 = 2 VoltVCB3 = 4 VoltVCB4 = 6 Volt

No.VBE (Volt)IE (mA)

12341234

1.00000000

2.0.10.10.10.10000

3.0.20.20.20.20000

4.0.30.30.30.30000

5.0.40.40.40.40000

6.0.50.50.50.50000

7.0.60.60.60.60000

8.0.70.70.70.711.524.5

9.0.80.80.80.866.57.510

10.0.90.90.90.911.513.51415

2. Karakteristik Statis Keluaran

IE1 = 1 mAIE2 = 2 mAIE3 = 3 mAIE4 = 4 mA

No.VCB (Volt)IC (mA)

12341234

1.-0.6-0.6-0.6-0.61111

2.00001.5234

3.11111.5234

4.22221.5234

5.33331.5234

6.44441.5234

7.55551.5234

8.66661.5234

F.ANALISA DATA

1. Membuat grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana kuat arus emitor (IE) sebagai sumbu Y dan tegangan basis-emitor (VEB) sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga tegangan kolektor-basis (VCB) dalam satu sumbu.

Gambar 6

2. Membuat grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan, dimana kuat arus kolektor (IC) sebagai sumbu Y dan tegangan kolektor-basis (VCB) sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga arus emitor (IE) dalam satu sumbu.

Gambar 7

3. Membandingkan grafik no.1 dengan kurva grafik dioda dicatu maju, dan menafsirkan sudut kemiringan bila tegangan kolektor-basis (VCB) berubah, dalam hubungannya dengan hambatan masukan penguat transistor basis ditanahkan.

Gambar 8. (a). Lengkung Ciri Dioda.

(b). Karakteristik Masukan Transistor Common Basis

Kita dari kedua grafik di atas untuk karakteristik basis ditanahkan mempunyai bentuk kurva yang sama dengan dioda dicatu maju. Penafsiran sudut kemiringan karakteristik masukan Transistor Common Basis bila VCB berubah sudut kemiringannya semakin besar. Dalam hubungannya dengan hambatan masukan, Common Base hambatan masukan adalah kali lebih besar daripada common emitor, karena dengan kemiringan lengkung adalah kali lebih besar, yang berarti hambatan masukan kali lebih besar daripada common emitor.

4. Dari grafik no. 2, menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh transistor basis ditanahkan.

Gambar 9. Karakteristik Keluaran TR common basis

5. Dari grafik no.2 menafsirkan sudut kemiringan untuk arus emitor (IE) berbeda, dalam hubungannya dengan hambatan keluaran penguat transistor basis ditanahkan.

Penafsiran sudut kemiringan untuk arus emitor (IE) berbeda adalah mempunyai sudut kemiringan yang sangat kecil (horizontal), hal ini sesuai dengan teori yang telah dibahas di dasar teori. Dalam hubungannya penafsiran sudut kemiringan dan hambatan keluaran, ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan kebalikan kemiringan ic(vCB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.

G.PEMBAHASAN DAN DISKUSI

1.Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common basis, kita lihat kenaikan/mulai ada arus basis IE saat tegangan basis-emitor VBE = 0,7Volt. Dapat kita ketahui bahan penyusun jenis semikonduktor yang digunakan, nilai tersebut mendekati rentang tegangan basis-emitor VBE untuk bahan silikon antara 0,5 sampai 0,7 Volt. Sedangkan bila dibanding bahan germanium, VBE = 0,7 Volt hasil praktikum berada jauh di atas bahan germanium yaitu 0,1 sampai 0,2 Volt. Sehingga dapat diketahui bahan semikonduktor transistor yang digunakan dipraktikum ini adalah silikon yang mempunyai keadaan aktif VBE = 0,7 Volt.

2.Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common basis, dapat kita peroleh besarnya hib (impedansi masukan dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan masukan terbuka ii=0).

yaitu perubahan VEB jika VCB berubah sebesar (VCB pada nilai arus IE(q). dan adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan pada nilai VCB(q) dan IE(q).

Gambar 10

Dari gambar di atas =0,8-0,775=0,025V dan =6V, maka:

Untuk adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan pada nilai VCB(q) dan IE(q), kalau kita lihat dari grafik ciri statik masukan pada nilai VCB(q) dan IE(q) adalah ciri masukan pada VCB=4 Volt. Kira kira mempunyai kemiringan:

3.Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik keluaran transistor common basis, dapat kita peroleh besarnya hfb (nisbah arus maju dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan terbuka ii=0).

yaitu beda arus kolektor dibagi dengan arus emitor pada titik q. Parameter adalah kemiringan IC(VCB) pada titik q yaitu kemiringan lengkung ciri statik pada titik q pada IE(q) dan VCB(q).

Gambar 11

4.Pada hasil perbandingan grafik karakteristik dioda dicatu maju dengan karakteristik masukan transistor common basis, mempunyai bentuk yang sama. Kenapa hal ini bias terjadi? Kita lihat struktur sambungan semikonduktor dari transistor yang digunakan dalam praktikum adalah jenis NPN, kaki kolektor jenis N, kaki basis jenis P dan kaki emitor jenis N yang dapat memberikan karakteristik sama dengan dioda yang dicatu maju. Hal ini disebabkan karena pada arus basis IB dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.

H.KESIMPULAN

1.Karakteristik masukan transistor basis ditanahkan mempunyai bentuk kurva yang sama dengan karakteristik dioda dicatu maju, dengan kemiringan kali lebih besar dari common emitor, dengan nilai VCB yang berbeda-beda sudut kemiringannya semakin besar.

2.Dari grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan dengan VCB yang berbeda-beda dapat diperoleh nilai hib (impedansi masukan dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan masukan terbuka ii=0).

3.Dari grafik karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan dengan IE yang berbeda-beda dapat diperoleh nilai hfb (nisbah arus maju dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan terbuka ii=0). Dengan sudut kemiringan yang sangat kecil (sangat horizontal), dengan IC berbanding lurus dengan IE, dikatakan transistor dwikutub suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.

4.Dari grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan kita dapat menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh transistor ditanahkan dengan tujuan mengetahui daerah bekerjanya komponen transistor basis ditanahkan.

5.Untuk perancangan pada penguat basis ditanahkan isyarat tegangan keluaran berlawanan fase dengan isyarat tegangan masukan yang dirumuskan .

6.Karakteristik transistor basis ditanahkan jika kita bandingkan dengan transistor emitor ditanahkan. Common basis mempunyai hambatan masukan kali lebih kecil, dan hambatan keluaran kali lebih besar.

I.PENGALAMAN BARU

1.Dari pelaksanaan praktikum karakteristik masukan dan keluaran transistor basisi ditanahkan, kami dapat lebih memahami sifat-sifat dari komponen transistor, khususnya basis ditanahkan.

2.Dalam merangkai rangkaian transistor basis ditanahkan harus benar-benar teliti dan diperhatikan jalur-jalur rangkaian.

J.DAFTAR PUSTAKA

Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya 1. Bandung : Penerbit ITB.

LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA DASAR II

JUDUL PRAKTIKUM



PRAKTIKUM KE-1

KELOMPOK V

NAMA PRAKTIKAN:1.HAIDAR UBAIDILLAHNIM303322466384

2.IRMA APRILDA SINAGANIM303322466387

TANGGAL LAPORAN:KAMIS, 10 MARET 2005

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI MALANG

2005

LAPORAN

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II

Praktikum Ke 1



Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.

A.TUJUAN PRAKTIKUM

3. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.

4. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.

B.ALAT YANG DIGUNAKAN

6. Circuit Trainer (PH-62)

7. Voltmeter DC (PH-103)

8. Ampermeter DC (PH-104)

9. Power Supply (PH-47)

10. Regulator DC Power Supply (PH-107)

C.RANGKAIAN SET-UP

3. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan

Gambar 1. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan

4. Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan

Gambar 2. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan

D.DATA PENGAMATAN

5. Karakteristik Statis Masukan

VCB1 = 0 VoltVCB2 = . VoltVCB3 = . VoltVCB4 = . Volt

No.VBE (Volt)IE (mA)

12341234

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

10.

11.

12.

13.

14.

15.

6. Karakteristik Statis Keluaran

IE1 = 1 mAIE2 = . mAIE3 = . mAIE4 = . mA

No.VCB (Volt)IC (mA)

12341234

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

10.

11.

12.

13.

14.

15.

E.KELOMPOK

Kelompok V:1.HAIDAR UBAIDILLAHNIM : 3033224663842.IRMA APRILDA SINAGANIM : 303322466387

Malang, 10 Maret 2005

Mengetahui

Dosen Pembimbing

AHMAD TAUFIQ

+

-

V

-

+

-

+

V

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

-

V

+

EMBED Equation.3

V

V

-

+

+

-

+

EMBED Equation.3

-

+

-

V

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

EMBED Excel.Chart.8 \s



AKTIF

JENUH

MATI

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

EMBED Equation.3

_1172516156.xlsChart1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

11.524.5

66.57.510

11.513.51415

IE(q)=IC(q)=(Vcc-Vcb)/Rc

VEB(q)

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt

Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)

Kuat Arus Emitor IE (mA)

GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN

Sheet1

00000000

0.10.10.10.10000

0.20.20.20.20000

0.30.30.30.30000

0.40.40.40.40000

0.50.50.50.50000

0.60.60.60.60000

0.70.70.70.711.524.5

0.80.80.80.866.57.510

0.90.90.90.911.513.51415

Sheet1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1 (2)

-0.6-0.6-0.6-0.60000

-0.6-0.6-0.6-0.61111

-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8

00001.5234

11111.5234

22221.5234

33331.5234

44441.5234

55551.5234

66661.5234

Sheet1 (2)

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA

Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)

Kuat Arus Kolektor IC (mA)

GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN

Sheet2

Sheet3

_1172516286.unknown

_1172517082.xlsChart3

0000

1111

1.31.82.83.8

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet1

00000000

0.10.10.10.10000

0.20.20.20.20000

0.30.30.30.30000

0.40.40.40.40000

0.50.50.50.50000

0.60.60.60.60000

0.70.70.70.711.524.5

0.80.80.80.866.57.510

0.90.90.90.911.513.51415

3

0.5

6

Sheet1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1 (2)

-0.6-0.6-0.6-0.60000

-0.6-0.6-0.6-0.61111

-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8

00001.5234

11111.5234

22221.5234

33331.5234

44441.5234

55551.5234

66661.5234

Sheet1 (2)

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet2

Sheet3

_1172518546.xlsChart1

0000

1111

1.31.82.83.8

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet1

00000000

0.10.10.10.10000

0.20.20.20.20000

0.30.30.30.30000

0.40.40.40.40000

0.50.50.50.50000

0.60.60.60.60000

0.70.70.70.711.524.5

0.80.80.80.866.57.510

0.90.90.90.911.513.51415

Sheet1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1 (2)

-0.6-0.6-0.6-0.60000

-0.6-0.6-0.6-0.61111

-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8

00001.5234

11111.5234

22221.5234

33331.5234

44441.5234

55551.5234

66661.5234

Sheet1 (2)

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet2

Sheet3

_1172521845.unknown

_1172517481.unknown

_1172517646.xlsChart1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

11.524.5

66.57.510

11.513.51415

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1

00000000

0.10.10.10.10000

0.20.20.20.20000

0.30.30.30.30000

0.40.40.40.40000

0.50.50.50.50000

0.60.60.60.60000

0.70.70.70.711.524.5

0.80.80.80.866.57.510

0.90.90.90.911.513.51415

Sheet1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt

Tegangan Emitor-Basis VBE (Volt)



Sheet1 (2)

-0.6-0.6-0.6-0.60000

-0.6-0.6-0.6-0.61111

-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8

00001.5234

11111.5234

22221.5234

33331.5234

44441.5234

55551.5234

66661.5234

Sheet1 (2)

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet2

Sheet3

_1172517494.unknown

_1172517455.unknown

_1172516714.unknown

_1172516883.unknown

_1172517072.unknown

_1172516763.unknown

_1172516625.unknown

_1172516235.unknown

_1172516280.unknown

_1172516196.unknown

_1172500411.unknown

_1172500562.unknown

_1172515378.unknown

_1172516100.unknown

_1172515136.unknown

_1172500421.unknown

_1171311666.unknown

_1172343203.doc

_1172499369.unknown

_1172500126.unknown

_1172345715.xlsChart1

0000

1111

1.31.82.83.8

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

1.5234

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet1

00000000

0.10.10.10.10000

0.20.20.20.20000

0.30.30.30.30000

0.40.40.40.40000

0.50.50.50.50000

0.60.60.60.60000

0.70.70.70.711.524.5

0.80.80.80.866.57.510

0.90.90.90.911.513.51415

Sheet1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1 (2)

-0.6-0.6-0.6-0.60000

-0.6-0.6-0.6-0.61111

-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8

00001.5234

11111.5234

22221.5234

33331.5234

44441.5234

55551.5234

66661.5234

Sheet1 (2)

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet2

Sheet3

_1172345858.xlsChart2

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

11.524.5

66.57.510

11.513.51415

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1

00000000

0.10.10.10.10000

0.20.20.20.20000

0.30.30.30.30000

0.40.40.40.40000

0.50.50.50.50000

0.60.60.60.60000

0.70.70.70.711.524.5

0.80.80.80.866.57.510

0.90.90.90.911.513.51415

Sheet1

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

VCB1=0 Volt

VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt

VCB4=6 Volt




Sheet1 (2)

-0.6-0.6-0.6-0.60000

-0.6-0.6-0.6-0.61111

-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8

00001.5234

11111.5234

22221.5234

33331.5234

44441.5234

55551.5234

66661.5234

Sheet1 (2)

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

0000

IE1=1 mA

IE2=2 mA

IE3=3 mA

IE4=4 mA




Sheet2

Sheet3

_1172343342.unknown

_1171311824.unknown

_1171923683.unknown

_1171305301.unknown

_1171305308.unknown

_1171305077.unknown

_1170705500.unknown

praktikum ke 1 karakteristik tr basis ditanahkan

Documents