edas6(bias fet2011)
TRANSCRIPT
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 1/11
PRATEGANGAN FET
Persamaan umum untuk semua FET untuk analisis dcIG ≈ 0Amp = 0 Amp, ID ≈ IS = IS
Persamaan umum untuk JFET dan MOSFET tipe pengosonganID = IDSS (1 -
P
GSS
V
V )2
Untuk MOSFET tipe peningkatan
ID= k(VGS – VT)2
Penyelesaian untuk mencari titk operasi dari FET lebih umum memakai metode grafik dari pada
metode matematis. Konfigurasi bias/prategangan tetap (fixed bias) dan ekivalen untuk analisis dc
nya
Untuk analisis dc
IG = 0 A, VRG = IG R G = 0 V.didapat VGS = - VGG karena VGG fix maka VGS juga fix
Penyelesainnya secara grafis sbb
1. Gambarkan karakteristik transfer sesuai dengan persamaan Schokley
(device)
2. Tentukan titik VGSQ = - VGG dan tarik garis vertical (network) sampaimemotong kurva device
3. Dari titik potong Q point dapatkan IDQ
Tegangan pada output VDS dapat dicari sbb
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 2/11
Karena memerlukan 2 catu daya pemakaian konfigurasi ini agak terbatas
Contoh
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 3/11
Konfigurasi prategangan diri (self bias)
Pada konfigurasi ini tidak lagi memakai dua catudaya, VGS ditentukan daritahanan R S. Analisis dc nya dimulai dengan menganggap C open circuit, karena
IG= 0 maka Gate akan short ke ground. Sehingga didapat
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 4/11
VR S = ID R S, VGS= - VRS = - ID R S , ID = -(VGS/ R S), solusi
matematisnya adalah sbb
ID = IDSS (1 - P
GS
V
V )2
122
2
++−=−
P
GS
P
GS
DSS S
GS
V V
V V
I RV
Didapat untuk rumus ABC; a =2
1
P V , b =
P DSS S V I R
21− , c = 1, nilai a,b, c ini
dimasukkan ke rumus ABC, untuk mendapatkan VGS yang sesuai.
Solusi grafis
1. Gambar karakteristik transfer dari device dari persamaan Schokley2. Tarik garis dari 2 titik pada karakteristik transfer dg persamaan VGS = -
IDR S
3. Titik potong antara garis lurus dengan kurva transfer adalah Q point
Dari gambar di atas VGS = - ID R S dengan VGS = 0 ,ID = 0 maka (0,0) sbg koordianat
titik pertama. Koordinat ke dua adl ID= IDSS/2 maka VGS = - IDSSR S/ 2. Maka Q point
didapat seperti gambar di atas. Tegangan VDS dicari sbb
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 5/11
Contoh
Solusi
Sedangkan karakteristik transfer device dan Q point nya sbb
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 6/11
Prategangan Pembagi Tegangan
Karena IG = 0 maka IR1= IR2 dan VG =21
2
R R
V R DD
+
, VRs= ISR S = IDR S
VGS=VG - VRs = VG- IDR S ini adalah persamaan garis lurus. Secara grafis peyelesaiannya adalah mirip dengan konfigurasi bias diri.yaitu dicari 2 titik dan
ditarik garis lurus yang memotong kurva device pd karakteristik transfer.
Persamaan garis lurusnya: VGS=VG - VRs = VG- IDR STitik potong dg sumbu ID maka VGS = 0 jadi
Titik potong dg sumbu VGS maka ID = 0 jadiVGS=VG- IDR SVGS=VG ID= 0
Kemiringan dari garis lurus VGS= VG- IDR S adalah -1/R S sehingga pembesaran R Sakan menurunkan Q point.
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 7/11
Selanjutnya:VDS= VDD- ID( R S+R D), VD= VDD- IDR D, VS = ID R S
IR1 = IR2 = 21 R R
V DD
+
,
Secara matematis didapatkan (masukan persamaan garis lurus ke persamaan
Schokley) didapat bentuk persamaan kwadrat aVGS
2
+ bVGS + c = 0 dengan a =1/VP
2, b = (-2/VP)+1/(R S+IDSS), c = 1-(VG/(R SIDSS))
Contoh
Solusi
VG =21
2
R R
V R DD
+
=M
Kx
)27,021(
16270
+
= 1,82 Volt
VGS = VG- ID R S = 1,82 – ID 1,5K Dengan ID= 0 mA maka VGS = 1,82 V
Saat VGS = 0 maka ID= 1,21 mA ditarik garis lurus pada karakteristik transfer
dari device seperti berikut
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 8/11
Q point = - 1,8V, 2,4 mA.
VDS dicari dengan
MOSFET TIPE PENGOSONGAN
Karena kurva transfernya sama dg JFET maka analisis dc nya samakecuali tipe pengosongan bisa beroperasi dengan VGS> 0 dan ID > IDSS
Contoh:
Untuk MOSFET pengosongan saluran n bias pembagi tegangan carilahIDQ, VDSQ, VDS
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 9/11
Solusi
VG =21
2
R R
V R DD
+
=)11010(
1810
+
x= 1,5 volt
VGS= VG – IDR S = 1,5 – ID 0,75
Dengan ID= 0 maka VGS = VG = 1,5 VVGS = 0 maka ID = 2 mA
Dari grafis pada karakteristik transfer didapat Q point = ( -0,8 , 3,1 mA)
VDS = VDD – ID ( R D + R S) = 18 – 3,1 (1,8 + 0,75) = 10,1 volt
MOSFET TIPE PENINGKATAN
Konfigurasi umpan balik tegangan dan ekivalen dc nya
Dari rangkaian ekivalen dc nya
IG = 0 A, VR G = 0, VD = VG, VDS = VGS
VDS = VGS = VDD- ID R D
Plot pada karakteritik transfer
VGS= VGG ID= VDD/R DID = 0 VGS = 0
Contoh
Tentukan Q point untuk rangkaian berikut
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 10/11
Gambar dulu kurva device pada karakteristik transfer dan tentukan 2 titik untuk membuat garis
lurus yang memotong kurva device. Maka didapat IDQ dan VGSQ yaitu 6,4V , 2,75 mA
PRATEGANGAN PEMBAGI TEGANGAN
Contoh
5/11/2018 Edas6(Bias FET2011) - slidepdf.com
http://slidepdf.com/reader/full/edas6bias-fet2011 11/11