01 kel08 tt3b dwi ana ambar rofiqoh

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

NOMOR PERCOBAAN : 1

JUDUL PERCOBAAN : PENDEKATAN KARAKTERISTIK DIODA

KELAS / GROUP : TT3B / 8

NAMA PRAKTIKAN : Dw Ana Ambar Rofiqoh

NAMA REKAN KERJA : 1. Al Haris

2. Leli Siska M. S.

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

DEPOK

2015

DAFTAR ISI

I. Tujuan............................................................................................3

II. Dasar Teori....................................................................................3

II.1 Pengertian Dioda........................................................................3

II.2 Fungsi Dioda..............................................................................3

II. 3 Karakteristik Dioda.....................................................................6

III. Alat-Alat yang Digunakan................................................................9

IV. Cara Melakukan Percobaan............................................................9

V. Data Hasil Percobaan..................................................................11

VI. Tugas.........................................................................................13

VII. Analisa dan Pembahasan.............................................................15

VIII. Kesimpulan................................................................................21

Daftar Pustaka..................................................................................22

Lampiran..........................................................................................23

PERCOBAAN 1

2 | P a g e

PENDEKATAN KARAKTERISTIK DIODA

I. Tujuan

- Menunjukkan keadaan dimana karakteristik diode sesungguhnya dapat didekati oleh garis

lurus.

- Mengetahui tegangan knee pada diode silicon dan dioda germanium.

II. Dasar Teori

II.1 Pengertian Dioda

Dioda adalah komponen elektronik yang mempunyai dua buah elektroda yaitu anoda dan

katoda. Anoda untuk polaritas positif dan katoda untuk polaritas negatif. Di dalam dioda terdapat

junction (pertemuan) dimana semikonduktor type-p dan semi konduktor type-n bertemu.

II.2 Fungsi Dioda

Fungsi dioda paling umum adalah untuk memperbolehkan arus listrik mengalir dalam suatu

arah (disebut kondisi panjar maju) dan untuk menahan arus dari arah sebaliknya (disebut kondisi

panjar mundur). Karenanya, dioda dapat dianggap sebagai versi elektronik dari katup pada

transmisi cairan dimana katup akan terbuka jika ada air yang mengalir dari belakang katup menuju

ke depan, sedangkan katup akan menutup oleh air yang mengalir dari depan menuju ke belakang.

Fungsi dioda yang lainnya adalah sebagai penyearah sinyal tegangan AC menjadi sinyal

DC. Untuk dapat digunakan sebagai penyearah setengah gelombang Anda bisa menggunakan

sebuah dioda. Namun jika ingin menjadi penyearah gelombang penuh, Anda harus menggunakan 4

buah dioda yang dirangkai seperti jembatan atau dengan menggunakan 2 buah dioda dengan trafo

yang memiliki center tap (CT).

Dioda semikonduktor hanya dapat melewatkan arus searah saja, yaitu pada saat dioda

diberikan catu maju (forward bias) dari anoda (sisi P) ke katoda (sisi N). Pada kondisi tersebut dioda

dikatakan dalam keadaan menghantar (memiliki tahanan dalam sangat kecil). Sedangkan bila dioda

diberi catu terbalik (reverse bias) maka maka pada kondisi ini dioda tidak menghantar (memiliki

tahanan dalam yang tinggi sehingga arus sulit mengalir).

Untuk dioda silikon arus mulai dilewatkan setelah tegangan ≥ 0.7 Volt DC, sedangkan untuk

dioda Germanium mulai dilewatkan setelah tegangan mencapai ≥ 0.3 Volt DC. Penerapan dioda

3 | P a g e

semi konduktor yang umum adalah sebagai penyearah, selain fungsi lain seperti pembatas

tegangan, detektor dan clipper.

Secara umum, jika diuraikan maka fungsi-fungsi dioda adalah sebagai berikut:

1. Penyearah, contoh : dioda bridge

2. Penstabil tegangan (voltage regulator), yaitu dioda zener

3. Pengaman /sekering

4. Sebagai rangkaian clipper, yaitu untuk memangkas/membuang level sinyal yang ada di atas

atau di bawah level tegangan tertentu.

5. Sebagai rangkaian clamper, yaitu untuk menambahkan komponen dc kepada suatu sinyal

ac

6. Pengganda tegangan.

7. Sebagai indikator, yaitu LED (light emiting diode)

8. Sebagai sensor panas, contoh aplikasi pada rangkaian power amplifier

9. Sebagai sensor cahaya, yaitu dioda photo

10. Sebagai rangkaian VCO (voltage controlled oscilator), yaitu dioda varactor

Untuk mengetahui karakteristik dioda dapat dilkukan dengan cara memasang dioda seri

dengan sebuah catu daya dc dan sebuah resistor. Dari rangkaian percobaan dioda tersebut dapat di

ukur tegangan dioda dengan variasi sumber tegangan yang diberikan. Rangkaian dasar untuk

mengetahui karakteristik sebuah dioda dapat menggunakan rangkaian dibawah. Dari rangkaian

pengujian tersebut dapat dibuat kurva karakteristik dioda yang merupakan fungsi dari arus ID, arus

yang melalui dioda, terhadap tegangan VD, beda tegangan antara titik a dan b.

Rangkaian Pengujian Karakteristik Dioda

4 | P a g e

Karakteristik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang

melalui dioda, yaitu ID. Dapat diubah dengan dua cara, yaitu mengubah VDD. Bila arus dioda ID kita

plotkan terhadap tegangan dioda Vab, kita peroleh karakteristik dioda. Bila anoda berada pada

tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan mendapat bias forward. Bila VD

negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Pada diatas VC disebut cut-in-voltage, IS arus

saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage.

Bila harga VDD diubah, maka arus ID dan VD akan berubah pula. Bila kita mempunyai

karakteristik dioda dan kita tahu harga VDD dan RL, maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan

sebagai berikut. Dari gambar pengujian dioda diats dapat ditentukan beberapa persamaan sebagai

berikut. Bila hubungan di atas dilukiskan pada karakteristik dioda kita akan mendapatkan garis lurus

dengan kemiringan (1/RL). Garis ini disebut garis beban (load line) seperti gambar berikut.

Kurva Karakteristik Dioda Dan Garis Beban

Dari gambar karakteristik diatas

dapat dilihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga VDD yaitu bila arus I=0, dan

memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). Titik potong antara karakteristik dengan garis beban

memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda ID(q). Dengan mengubah harga VDD

maka akan mendapatkan garis-garis beban sejajar seperti pada gambar diatas. Bila VDD<0 dan |

VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir adalah kecil sekali, yaitu arus saturasi IS. Arus ini

mempunyai harga kira-kira 1 μA untuk dioda silikon.

Karakteristik statis diod a ideal :

Jika anoda lebih positif dari pada katoda, maka dioda akan berfungsi seperti Saklar

yang tertutup, pada keadaaan ini tegangan jatuh pada dioda = OV untuk setiap harga arus

5 | P a g e

yang mengalir. Keadaan ini disebut Mode bias maju ( forward bias mode ).

Dan sebaliknya jika Anoda lebih negatif dari pada Katoda, maka dioda akan berfungsi

seperti saklar yang terbuka, dan tidak ada arus yang mengalir melalui dioda untuk setiap

harga tegangan. Keadaan ini disebut Mode bias mundur ( reverse bias mode ).

Pada prakteknya pada keadaan bias maju, untuk membuat dioda berfungsi seperti

saklar yang tertutup, terdapat tegangan penghalang ( barrier potensial ) sebesar 0,3 V untuk

dioda germanium dan 0,7V untuk dioda silicon. Jadi agar dioda dapat mengalirkan arus,

tegangan Anoda – Katoda harus terlampaui sebesar 0,3 V untuk Ge dan 0,7 V untuk Si.

II. 3 Karakteristik Dioda :

Dari grafik terlihat bahwa :

Pada keadaan bias maju, arus forward If yang mengalir sangat kecil sekali secara

eksponensial sampai tegangan Vf sebesar 0,3 V untuk germanium dan 0,7 V untuk Silikon.

Setelah melewati tegangan tsb. arus If naik sangat besar sekali hampir linier.

Pada keadaan bias mundur, arus mundur IR mengalir sangat kecil sekali dan akan

tetap konstan meskipun teg. VR di naikan sampai teg. VR mencapai teg. VBR, dan setelah

melewati teg. tsb ( VBR ) arus akan mengalir sangat besar sekali. Hal ini tidak di perbolehkan

dalam pemakaian diode.

Bentuk kurva karakteristik diode ( bukan linier ) didapat dari persamaan diode yaitu :

If = Is ( - 1 )

Dimana If = arus maju dioda

6 | P a g e

Bias Maju (Forward Bias)

SiGeIF (mA)

IR (nA)

VAKVBR

VR VFBias Mundur

(Reverse Bias)

Ge = 0.3 V

Si = 0.7 V

Is = arus saturasi dioda ( arus bocor )

q = muatan ( 1,6 x 10-19 coulomb )

V = tegangan dioda

K = konstanta Boltzman ( 1,38 x 10-23 J / 0K )

T = ambient Temperature ( 0 K )

Dari persamaan dioda diatas dpt di terangkan mengenai arus forward dioda yaitu :

1. Makin besar arus forward yang mengalir di dapat dengan makin besar tegangan yang

di berikan. Ini terlihat pada kurva karakteristik diatas.

2. Bila dioda memanas ( menghangat ) baik disebabkan oleh aliran arus maupun

pengaruh luar, arus If akan mengecil. Untuk V f yang konstan, If naik jika tempt-nya

naik. Dan jika If konstan, maka Vf akan naik jika temp-nya turun.

Perbandingan antara dioda silicon dan germanium antara lain :

Dioda Germanium Dioda Silkon

1. Teg. Operasi hingga 200 V 1. Teg. Operasi tersedia hingga 1000V

2. Arus forward dalam mA 2. Arus forward hingga 1000 A

3. Aplikasi sinyal kecil 3. Aplikasi sinyal kecil dan besar

4. Respon cepat 4. Respon sedikit lambat

5. Reverse resistansi yang kecil 5. Reverse resistansi yg besar

6. Arus bocor yang besar 6. Arus bocor yang kecil

7. Dependent terhadap temperatur 7. Independent thdp temp. hingga 1500C

Parameter diode yang perlu diketahui :

1. Tegangan jatuh forward ( VF )

2. Tegangan jatuh mundur ( teg.reverse breakdown=VBR)

3. Arus reverse saturasi ( arus bocor = IS )

4. Arus forward maksimum ( IF max )

5. Tahanan dinamis, rd

rd di hitung pada kemiringan kurva diatas “ knee “

rd =

7 | P a g e

Dari percobaan yang dilakukan, (Arus Forward) dalam hal ini (Arus Dioda) dapat dihitung dengan :

III. Alat-Alat yang Digunakan

1. Sumber daya searah ( 1-15 ) V : 1 Buah

2. Mumtimeter analog : 2 Buah

3. Dioda Silikon : 1 Buah

4. Dioda germanium : 1 Buah

5. Resistor : 470 Ω ; 1 K Ω, ; 4.7 K Ω

6. Kabel- kabel penghubung

IV. Cara Melakukan Percobaan

A. Percobaan dengan dioda silicon ( tipe 1N400..)

8 | P a g e

1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1, dengan menggunakan diode silicon (Si) dan R =

470 Ω

Gambar 1. Rangkaian dioda dibias maju

2. Aturlah tegangan power supply sedemikian hingga Vf = 0.35 V

3. Ukurlah arus maju (forward) pada diode dan catatlah pada Tabel 1.

4. Ulangi langkah 2 dan 3 untuk harga Vf yang berlainan

B. Percobaan dengan dioda Germanium ( Tipe ........ )

5. Gantilah diode silicon dengan diode germanium serta ubahlah R menjadi 1 KΩ.

6. Aturlah tegangan power supply sedemikian hingga Vf = 0.1 V. Ukurlah arus maju If

pada diode dan catatlah pada Tabel 2.

7. Ulangi langkah 6 untuk harga Vf yang berlainan

C. Percobaan tegangan jatuh dioda

8. Buat rangkaian seperti gambar 2 dengan menggunakan diode silicon, R = 4.7 KΩ dan

tegangan supply = 14 V.

9 | P a g e

Gambar 2. Pengukuran tegangan jatuh diode dan tegangan beban

9. Ukurlah Vf dan Vo.

10. Selanjutnya turunkan tegangan power supply menjadi 3V. Ulangi langkah 9.

11. Gantilah tahanan R menjadi 470Ω dan jagalah tegangan power supply tetap 3V. Ulangi

langkah 9 dan masukkan hasil percobaan pada Tabel 3.

V. Data Hasil Percobaan

10 | P a g e

No. Percobaan : 1

Judul : Pendekatan Karakteristik Dioda

Pelaksanaan Praktikum : Selasa, 1 September 2015

Penyerahan Praktikum : Selasa, 8 September 2015

Mata Kuliah : Laboratorium Elka Analog

Kelas/Kelompok : TT3B / 8

Nama Kelompok : 1. Dwi Ana Ambar Rofiqoh

2. Al haris

Tabel 1 R = 470Ω

DIODA SILIKONJenis…

Vs (Volt) Vf (Volt) If

0.35 0.35 0.52 µA

0.40 0.40 1.40 µA

0.50 0.45 0.05 mA

0.65 0.50 0.25 mA

0.95 0.55 0.75 mA

1.80 0.60 2.20 mA

3.40 0.65 5.10 mA

11.40 0.70 15.30 mA

- 0.75 -

- 0.85 -

Tabel 2 R = 1 KΩ

DIODA GermaniumJenis…

Vs (Volt) Vf (Volt) If

11 | P a g e

No. Percobaan : 1

Judul : Pendekatan Karakteristik Dioda

Pelaksanaan Praktikum : Selasa, 1 September 2015

Penyerahan Praktikum : Selasa, 8 September 2015

Mata Kuliah : Laboratorium Elka Analog

Kelas/Kelompok : TT3B / 8

Nama Kelompok : 1. Dwi Ana Ambar Rofiqoh

2. Al haris

0.15 0,10 24.5 µA

0.25 0,15 0.12 mA

0.51 0,20 0.35 mA

0.80 0,25 0.51 mA

1.25 0,30 0.95 mA

1.70 0,35 1.30 mA

2.05 0,40 1.60 mA

2.50 0,45 2.05 mA

3.10 0,50 2.50 mA

3,60 0,55 3 mA

Vs

(volt)

R

(Ohm)

Vf (volt) Vo (Volt) If (mA)

Ukur Hitung Ukur Hitung Ukur Hitung

14V 4.7K 0.65 0.70 13.15 13.30 2.75 2.85

3V 4.7K 0.50 0.70 2.25 2.30 0.46 0.53

3V 470 0.65 0.70 2.15 2.30 4.20 5

Tabel 3

VI. Tugas

1. Apa perbedaan dioda silikon dengan dioda germanium?

2. Apa yang dimaksud dengan dioda ideal?

3. Carilah karakteristik dioda yang dipakai di data sheet dan jelaskan!

Jawab :

1. Perbedaan diode silicon dan diode germanium

12 | P a g e

Perbedaan Dioda Silikon Dioda Germanium

Bahan untuk membuatnya Silikon Germanium

Besar arus forward Dalam mA Hingga 1000 AAplikasi Pada sinyal kecil Pada sinyal kecil dan besarRespon Cepat Sedikit lambat

Reverse resistansi Reverse resistansi yang kecil Reverse resistansi yg besar

Arus bocor Arus bocor yang besar Arus bocor yang kecilTegangan operasi Hingga 200V Tersedia hingga 1000V

Terhadap temperature Dependent Independent hingga 150˚C

2. Dalam pendekatan dioda ideal, dioda dianggap sebagai sebuah saklar tertutup jika

diberi bias forward dan terbuka jika di beri bias reverse. Artinya secara ideal, dioda

berlaku seperti konduktor sempurna (tegangan nol) jika bias forward dan seperti

isolator sempurna (arus nol ) saat dibias reverse.

3. Karakteristik Dioda :

Dari grafik terlihat bahwa :

Pada keadaan bias maju, arus forward If yang mengalir sangat kecil sekali secara eksponensial sampai tegangan Vf sebesar 0,3 V untuk germanium dan 0,7 V untuk Silikon. Setelah melewati tegangan tsb. arus If naik sangat besar sekali hampir linier.

Pada keadaan bias mundur, arus mundur IR mengalir sangat kecil sekali dan akan

tetap konstan meskipun teg. VR di naikan sampai teg. VR mencapai teg. VBR, dan setelah

melewati teg. tsb ( VBR ) arus akan mengalir sangat besar sekali. Hal ini tidak di perbolehkan

dalam pemakaian diode.

13 | P a g e

Bias Maju (Forward Bias)

SiGeIF (mA)

IR (nA)

VAKVBR

VR VFBias Mundur

(Reverse Bias)

Ge = 0.3 V

Si = 0.7 V

Bentuk kurva karakteristik diode ( bukan linier ) didapat dari persamaan diode yaitu :

If = Is ( - 1 )

Dimana

If = arus maju dioda

Is = arus saturasi dioda ( arus bocor )

q = muatan ( 1,6 x 10-19 coulomb )

V = tegangan dioda

K = konstanta Boltzman ( 1,38 x 10-23 J / 0K )

T = ambient Temperature ( 0 K )

Dari persamaan dioda diatas dapat di terangkan mengenai arus forward dioda yaitu :

a. Makin besar arus forward yang mengalir di dapat dengan makin

besar tegangan yang di berikan. Ini terlihat pada kurva

karakteristik diatas.

b. Bila dioda memanas ( menghangat ) baik disebabkan oleh aliran

arus maupun pengaruh luar, arus If akan mengecil. Untuk Vf yang

konstan, If naik jika tempt-nya naik. Dan jika If konstan, maka Vf

akan naik jika temp-nya turun.

VII. Analisa dan Pembahasan

Pertanyaan

1. Buatlah Grafik If fungsi Vf (kurva karakteristik diode silicon) pada kertas millimeter dan tentukan besar Vk!

2. Buatlah grafik If fungsi Vf (kurva karakteristik diode germanium) pada kertas millimeter dan tentukan besar Vk!

3. Hitunglah besar Vf dan Vo lalu lengkapi tabel 3 dan bandingkan!4. Mengapa tegangan diode silicon tidak bias mencapai 0.85V dan diode germanium

tidak bias mencapai 0.55

14 | P a g e

Jawaban

1.

Grafik If fungsi Vf Dioda Silikon

Ketika Vf = 0,35 VVk = Vs – Vf

= 0,35 – 0,35 = 0 V


= 0,40 – 0,40 = 0 V


= 0,50 – 0,45 = 0,05 V


= 0,65 – 0,50 = 0,05 V


15 | P a g e

= 0,95 – 0,55 = 0,40 V


= 1,80 – 0,60 = 1,20 V


= 3,40 – 0,65 = 2,75 V


= 11,40 – 0,70 = 10,70 V

2.

16 | P a g e

Grafik If fungsi Vf Dioda Germanium


= 0,15 – 0,10 = 0,05 V


= 0,25 – 0,15 = 0,10 V


= 0,51 – 0,20 = 0,31 V


= 0,80 – 0,25 = 0,55 V


= 1,25 – 0,30 = 0,95 V

17 | P a g e


= 1,70 – 0,35 = 1,05 V


= 2,05 – 0,40 = 1,65 V


= 2,50 – 0,45 = 2,05 V


= 3,1 – 0,50 = 2,60 V


= 3,60 – 0,55 = 3,05 V

18 | P a g e

3.

Tabel perbandingan Vf dan Vo

1. Vo = Vs – Vf= 14 – 0,7= 13,30 Volt

2. Vo = Vs – Vf

= 3 – 0,7= 2,7

3. Vo = Vs – Vf = 3 – 0,7

= 2,7

Perbandingan antara pengukuran dan perhitungan tidak terlalu jauh dan masih dalam batas toleransi. Kesalahan pengukuran dapat terjadi dikarenakan adanya kesalahan alat ukur yang sudah tidak presisi (instrumental error) atau kesalahan dalam membaca alat ukur (human error).

4. Jika tegangan pada dioda silicon diatur mendekati 0,7 dan tegangan pada dioda germanium diatur mendekati 0,3 maka elektron akan bergerak bebas dan mulai mendekati PN junction dalam jumlah besar. Jika tegangan dioda dimasukan lebih dari 0,7 ataupun 0,3 maka penambahan tegangan dioda tersebut akan menghasilkan penambahan arus yang besar sedangkan resistor berbanding terbalik dengan arus dan

tegangan (I=VR

). Tegangan dimana arus bertambah cepat dinamakan tegangan lutut

dioda. Untuk tegangan lutut dioda silikon mendekati 0,7 sedangkan dioda germanium mendekati 0,3. Dioda merupakan komponen non linier. Saat diberikan tegangan diatas tegangan lutut dioda maka tegangan akan semakin meningkat dan arus pun akan semakin bertambah. Jika arus dalam dioda terlalu besar akan menyebabkan panas pada dioda yang berlebihan dan ini akan merusak dioda. Selain itu juga disebabkan karena sebuah dioda memiliki nilai tegangan saturasi ( Vsaturasi ), yaitu titik dimana tegangan dioda sudah mencapai batas maksimalnya/tidak dapat bertambah lagi.

19 | P a g e

Vo (V) Vf (V)

Perhitungan Pengukuran Perhitungan Pengukuran

13,3 13,15 0,7 0,65

2,3 2,25 0,7 0,50

2,3 2,15 0,7 0,65

Analisa pada data yang diperoleh

Pada percobaan yang telah dilakukan pada selasa, 1 september 2015 dapat dianalisa

bahwa pada tabel 1 data tegangan dioda maksimum yang dapat diukur adalah saat Vf = 0,7 dengan

tegangan sumber (If) sebesar 11,4 V dan arus pada dioda (If) sebesar 15,3 mA. Percobaan

dilakukan pada tegagan dioda 0,35 V sampai dengan 0,85 V. Dioda memiliki nilai tegangan saturasi

( Vsaturasi ), yaitu titik dimana tegangan dioda sudah mencapai batas maksimalnya / tidak dapat

bertambah lagi. Dan dari percobaan yang dilakukan didapat Vf maksimum atau lebih tepatnya

Vsaturasi adalah 0,7 V, sesuai dengan tegangan lutut diode. Hal ini menunjukkan bahwa dioda

silicon yang digunakan pada saat praktikum adalah dalam keadaan masih baik/tidak bocor.

Dari kurva karakteristik dioda silikon bahwa arus mulai terbaca saat Vf sebesar 0.5 Volt atau

disebut Vcutoff karena dari Vf sebesar 0.35 - 0.45 Volt nilai arus masih berkisar 0 mA dengan

Vsaturasi adalah 0,7 Volt.

Pada percobaan tabel 2 data tegangan dioda maksimum yang dapat diukur adalah saat Vf

= 0,55 V dengan tegangan sumber (If) sebesar 3,6 V dan arus pada dioda (If) sebesar 3 mA.

Percobaan dilakukan pada tegagan dioda 0,10 V sampai dengan 0,55 V. Dioda memiliki nilai

tegangan saturasi ( Vsaturasi ), yaitu titik dimana tegangan dioda sudah mencapai batas

maksimalnya / tidak dapat bertambah lagi. Dan dari percobaan yang dilakukan didapat Vf

maksimum atau lebih tepatnya Vsaturasi adalah 0,55 V, tidak sesuai dengan tegangan lutut diode

yang seharusnya Vsaturasi sebesar 0,3 V. Hal ini menunjukkan bahwa dioda silicon yang digunakan

pada saat praktikum adalah dalam keadaan tidak baik/sudah bocor.

Dari kurva karakteristik dioda germanium bahwa arus mulai terbaca saat Vf sebesar 0.15

Volt atau disebut Vcut off karena Vf sebesar 0.10 Volt nilai arus masih berkisar 0 mA dengan

Vsaturasi adalah 0,55 Volt.

VIII. Kesimpulan

20 | P a g e

Pada praktikum yang telah dilakukan pada selasa, 1 september 2015 dapat disimpulkan

bahwa :

Pada Tabel 1, tegangan diode maksimum atau tegangan saturasi yang dapat diukur adalah

saat 0,7 Volt dengan arus pada diode sebesar 15,3 mA dan tegangan sumber sebesar 11,4

Volt. Hal tersebut membuktikan bahwa diode silicon yang digunakan selama praktikum

adalah dalam keadaan baik/tidak bocor.

Dari kurva karakteristik dioda silikon bahwa arus mulai terbaca saat Vf sebesar 0,5 Volt atau

disebut Vcutoff karena dari Vf sebesar 0,35 – 0,45 Volt nilai arus masih berkisar 0 mA.

Pada Tabel 2, tegangan diode maksimum atau tegangan saturasi yang dapat diukur adalah

saat 0,55 Volt dengan arus pada diode sebesar 3 mA dan tegangan sumber sebesar 3,6

Volt. Hal tersebut membuktikan bahwa diode germanium yang digunakan selama praktikum

adalah dalam tidak baik/sudah bocor.

Dari kurva karakteristik dioda germanium bahwa arus mulai terbaca saat Vf sebesar 0.15

Volt atau disebut Vcut off karena Vf sebesar 0.10 Volt nilai arus masih berkisar 0 mA.

Pada Tabel 3, perbandingan antara pengukuran dan perhitungan antara Vf dan Vo tidak

terlalu jauh dan masih dalam batas toleransi. Kesalahan pengukuran dapat terjadi

dikarenakan adanya kesalahan alat ukur yang sudah tidak presisi (instrumental error) atau

kesalahan dalam membaca alat ukur (human error).

Daftar Pustaka

https://www.scribd.com/doc/30023787/LAPORAN-PRAKTIKUM-Karakteristik-Dioda

21 | P a g e

https://www.scribd.com/doc/30023787/LAPORAN-PRAKTIKUM-Karakteristik-Dioda

https://www.scribd.com/doc/105793819/PENDEKATAN-KARAKTERISTIK-DIODA

22 | P a g e

https://www.scribd.com/doc/105793819/PENDEKATAN-KARAKTERISTIK-DIODA

Lampiran

23 | P a g e

01 kel08 tt3b dwi ana ambar rofiqoh

Documents