karakteristik transistor bipolar - siap print

Upload: rustamhafid

Post on 10-Feb-2018

217 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    1/9

    Karakteristik transistor bipolar (BJT)

    Rustam Hafid Nur Fitrah, Nur Awa, Prima Warta S.

    Pendidikan Fisika 2012

    Abstrak

    Telah dilakukan pratikum dengan judul karakteristik transistor bipolar. Tujuan pratikum ini adalah untukmengetahui metode pemberian bias arus dan tegangan pada transistor bipolar, menetukan dan membedakankarakteristik output dan transfer arus konstan dari transistor bipolar dan untuk menginterpretasi kurvakarakteristik transistor bipolar. Untuk transistor NPN, tegangan bias pada basis harus lebih positif dari emitordan untuk transistor PNP, tegangan bias pada basis harus lebih negatif dari emitor. Menentukan danmembedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik transfer arus konstan dari transistor

    bipolar. Untuk karakteristik input dinyatakan dalam grafik yang menyatakan hubungan antara tegangan basis-emitor dan aris basis untuk tegangan kolektor-emitor yang nilainya konstan. Karakteristik output dinyatakandalam grafik yang menyatakan hubungan antara tegangan kolektor-emitor dan arus kolektor untuk beberapanilai arus basis yang konstan. Sedangkan karakteristik transfer dinyatakan dalam grafik yang menyatakanhubungan antara arus basis dan arus kolektor untuk tegangan kolektor-emitor yang bernilai konstan.Berdasarkan analisis data diperoleh bahwa pada karakteristik output, semakin besar nilai tegangan collector-emiter maka semakin besar pula nilai arus cillectornya dan semakin besar nilai arus Basis maka semakin besar

    pula arus collectornya. Pada karakteristik ciri alih, semakin besar arus basis maka arus collector pun semakin besar dengan tegangan collector-emitor yang konstan.Kata kunci : faktor penguatan arus transistor, karakteristik ouput dan karakteristik transfer arus konstan

    1. Metode Dasar

    Transistor adalah suatu komponen

    aktif yang terbuat dari bahan

    semikonduktor. Ada dua macam transistor,

    yaitu transistor dwikutub (bipolar ) dan

    transistor efek medan ( Field Effect

    Transistor-FET ).

    Transistor dwikutub dibuat dengan

    menggunakan semikonduktor ekstrinsik

    jenis p dan jenis n, yang disusun seperti

    pada gambar 7.1 berikut.

    Ketiga bagian transistor ini disebut emitter ,

    base , dan collector .

    Dengan notasi atau simbol, skema dasar

    bias transistor bipolar ditunjukkan pada

    Gambar 7.2 berikut.

    Gambar 7.2. Rangkaian bias transistor ,

    ( (

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    2/9

    Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian

    dasar (yang disebut konfigurasi ) untuk

    mengoperasikan transistor.

    1.

    Basis ditanahkan ( Common Base

    CB)

    2. Emiter ditanahkan ( Common

    Emitter CE )

    3. Kolektor ditanahkan ( Common

    Collector - CC )

    Karakteristik dari transistor

    biasanya disebut juga karakteristik statik ,

    yang digambarkan dalam suatu kurva yangmenghubungkan antara selisih arus dc dan

    tegangan pada transistor. Kurva

    karakteristik statik tersebut sangat

    membantu dalam mempelajari operasi dari

    suatu transistor ketika diterapkan dalam

    suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik

    yang sangat penting dari suatu transistor,

    yaitu :

    1. Karakteristik input.

    2. Karakteristik output.

    3. Karakteristik transfer arus konstan.

    2. Identifikasi Variabel

    Kegiatan I : Karakteristik Output

    a. Variabel Manipulasi : Tegangan

    Collector-Emitter (V CE) dengansatuan Volt (V).

    b. Variabel Respon : Arus Collector (I C)

    dengan satuan milli Ampere (mA).

    c. Variabel Kontrol : Arus Basis (I B)

    dengan satuan mikro Ampere (A),

    Resistansi Resistor (R) dengan satuan

    Ohm () dan Tegangan Sumber (V S)dengan satuan Volt (V).

    Kegiatan II : Karakteristik Transfer

    a. Variabel Manipulasi : Arus Basis (I B)

    dengan satuan mikro Ampere (A).

    b. Variabel Respon : Arus Collector (I C)

    dengan satuan milli Ampere (mA).

    c. Variabel Kontrol : Tegangan Collector-

    Emitter (V CE) dengan satuan Volt (V),Resistansi resistor (R) dengan satuan

    Ohm () dan Tegangan Sumber (V S)

    dengan satuan Volt (V).

    3. Defenisi Operasional Variabel

    Kegiatan I : Karakteristik Output

    a. Tegangan Collector-Emitter (V CE)

    adalah beda potensial antara kakiCollector dengan kaki emitter,

    yang terbaca pada penunjukkan

    Voltmeter dimana nilai tegangan

    berubah seiring dengan perubahan

    potensiometer dan dinyatakan

    dalam satuan Volt (V).

    b. Arus Collector (I C) adalah arus dari

    kaki collector yang terbaca pada penunjukkan amperemeter dan

    dinyatakan dalam satuan mili

    Ampere (mA).

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    3/9

    c. Arus Basis (I B) adalah arus dari

    kaki basis yang terbaca pada

    penunjukkan amperemeter dan

    dinyatakan dalam satuan mikroAmpere (A). Resistansi resistor

    (R) adalah nilai hambatan yang

    yang tertera pada resistor dan

    satuannya adalah ohm () .

    Sedangkan Tegangan Sumber (V S)

    adalah tegangan yang berasal dari

    power supplay yang terbaca pada

    voltmeter dan satuannya adalahVolt (V).

    Kegiatan II : Karakteristik Transfer

    a. Arus Basis (I B) adalah arus dari kaki

    basis yang terbaca pada

    penunjukkan amperemeter dan

    dinyatakan dalam satuan mikro

    Ampere (A).

    b. Arus Collector (I C) adalah arus dari

    kaki collector yang terbaca pada

    penunjukkan amperemeter dan

    dinyatakan dalam satuan mili

    Ampere (mA).

    c. Tegangan Collector-Emitter (V CE)

    adalah beda potensial antara kaki

    Collector dengan kaki emitter, yang

    terbaca pada penunjukkan Voltmeter

    dimana nilai tegangan berubah

    seiring dengan perubahan

    potensiometer dan dinyatakan dalam

    satuan Volt (V). Resistansi resistor

    (R) adalah nilai hambatan yang yang

    tertera pada resistor dan satuannya

    adalah ohm () . SedangkanTegangan Sumber (V S) adalah

    tegangan yang berasal dari power

    supplay yang terbaca pada voltmeter

    dan satuannya adalah Volt (V).

    4. Alat dan Bahan

    a. Power Supply 12 Vdc, 1 buah

    b.

    Voltmeter 0 10 Vdc, 1 buahc. Amperemeter 0 1 Adc, 2 buah

    d. Transistor Bipolar NPN, 1 buah

    e. Potensiometer, 2 buah

    f. Kabel penghubung secukupnya.

    5. Metode Kerja

    a. Rangkai dan pelajari kit percobaan

    Common Emitter ( CE ) berikut.

    b. Pengukuran karakteristik Output

    menunjukkan bagaimana arus collector

    I C bervariasi dengan perubahan V CE

    ketika I B dibuat konstan. Pertama, I B

    diset pada suatu nilai yang konstan lalu

    V CE divariasikan secara linier, I C akan

    menunjukkan nilai tertentu dan catat

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    4/9

    nilai ini. Selanjutnya, V CE dikembalikan

    ke keadaan nol dan I B diset pada nilai

    yang lain dan seterusnya.

    c.

    Pengukuran karakteristik ciri alih atautransfer arus konstan menunjukkan

    bagaimana I C bervariasi dengan

    perubahan I B dengan V CE dibuat

    konstan.

    6. Data/Analisis Data

    R = 1000

    a. Karakteristik output

    Tabel 1. Karakteristik output Nilai I C (mA) untuk I B

    VCE

    (v)

    0

    (A)

    20

    (A)

    40

    (A)

    60

    (A)

    80

    (A)

    0 0 0.01 0.03 0.05 0.072 0 2 4.32 6.82 9.474 0 2.01 4.38 6.91 9.526 0 2.02 4.41 7.03 9.828 0 2.04 4.45 7.08 9.9

    10 0 2.05 4.53 7.16 10.21

    b. Karakteristik transfer arus konstan

    VCE = 5 volt

    IB IC

    0 010 0.9220 2.0230 3.1740 4.4250 5.65

    60 6.970 8.280 9.5190 10.88

    100 12.35

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    5/9

    Analisis Grafik

    Kegiatan 1 : karakteristik Output

    Grafik 1. Hubungan Antara Tegangan collector-emitter dan arus kolektor

    0,0

    1,0

    2,0

    3,0

    4,0

    5,0

    6,0

    7,0

    8,0

    9,0

    10,0

    11,0

    12,0

    0 2 4 6 8 10 12

    I c ( m A

    )

    Vce (volt)

    IB2 = 20 A

    IB1 = 0 A

    IB3 = 40 A

    IB4 = 60 A

    IB5 = 80

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    6/9

    Kegiatan 2 : karakteristik transfer arus konstan

    Grafik 2. Hubungan Antara Arus Basis dan Arus Collector

    y = 0,1242x - 0,3891R = 0,9977

    -2,0

    -1,0

    0,0

    1,0

    2,0

    3,0

    4,0

    5,0

    6,0

    7,0

    8,0

    9,0

    10,0

    11,0

    12,0

    13,0

    0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110

    I c ( m A

    )

    Ib (mA)

    IC

    Ib

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    7/9

    Analisis Grafik

    Kegiatan 1 : Karakteristik Output

    =

    =(10.2 7)(80 60)

    =3,220

    = 0,16

    Kegiatan 2 :

    = = 0,1242

    =

    =

    =(6,8 4,2 )(60 40)

    =2,620

    = 0,13

    7. Pembahasan

    Praktikum karakteristik transistor bipolar ini

    dilakukan dengan dua kegiatan, yakni

    karakteristik output dan karakteristik

    transfer. Jenis transistor yang digunakan

    adalah NPN.

    Pada kegiatan pertama, yakni karakteristik

    output, berdasarkan data yang diperoleh dari

    hasil pengamatan sebagaimana ditunjukkan

    dalam tabel, untuk I b yang konstan, semakin

    tinggi tegangan V CE maka kuat arus I b juga

    semakin besar, hal ini terjadi karena sifat-

    sifat yang terdapat dalam teori berupa

    persamaan matematis V= , yakni tegangan

    berbanding lurus terhadap kuat arus listrik,

    begitu juga dengan nilai I b konstan yang lain.

    Grafik yang dihasilkan berdasarkan data

    pada kegiatan ini kemudian dianalisis dan

    menghasilkan nilai faktor penguatan arus, ,

    sebesar 0,16.

    Kegiatan kedua adalah karakteristik transfer,

    yakni dihubungkannnya kuat arus basis, I b,

    dan kuat arus collector, I c, dengan nilai V CE

    konstan yakni 5,00 V. Berdasarkan data yangdiperoleh dan dimuat dalam tabel

    pengamatan, dapat dilihat bahwa semakin

    besar nilai I b maka nilai I c juga semakin naik.

    Hal ini diperjelas dalam kurva, yang juga

    sama dinyatakan dalam teori. Berdasarkan

    hasil analisis kurva, nilai faktor penguatan

    arus adalah 0,13.

    Jika fakt or penguatan arus () transistordibandingkan antara kegiatan pertama

    dengan kegiatan kedua, ternyata tidak jauh

    berbeda, kegiatan pertama memiliki selisih

    yang kecil dengan kegiatan pertama, dimana

    kegiatan pertama diperoleh sebesar 0,16

    sementara kegiatan kedua diperoleh

    sebesar 0,13 yang berarti bahwa praktikum

    kami memiliki data yang valid.

    8. Kesimpulan

    Setelah melakukan percobaan ini maka dapat

    disimpulkan bahwa :

    a. Metode pemberian bias tegangan dan

    arus pada transistor bipolar yakni untuk

    transistor NPN, tegangan bias pada basis

    harus lebih positif dari emitor. Dan untuk

    transistor PNP, tegangan bias pada basis

    harus lebih negatif dari emitor. Semakin

    tinggi arus bias pada basis, maka

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    8/9

    transistor semakin jenuh dan tegangan

    kolektor-emitor (V CE) semakin rendah.

    b. Karakteristik output menggambarkan ciri

    khusus tegangan collector-emitter,dimana tegangan collector-emitter dan

    arus basis sebagai variabel manipulasi

    dan karakteristik transfer arus konstan

    adalah karakteristik ciri alih dimana arus

    beban sebagai variabel manipulasi.

    c. Kurva karakteristik transistor bipolar

    pada kegiatan karakteristik output

    menggambarkan bentuk kurva yangterdiri atas beberapa garis arus basis,

    sedangkan kegiatan karakteristik transfer

    memiliki kurva berbentuk linear. Dari

    kedua kurva ini, sama-sama ingin dicari

    nilai penguatannya ( ) yang diperoleh

    melalui rasio perbandingan antara arus

    collector (I C) dan arus basis (I B), yakni

    masing-masing untuk karakteristik outputdan transfer berturut-turut adalah 0,6 dan

    0,3.

    9. Daftar Pustaka

    Tim Elektronika Dasar. 2013. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar I.Makassar : Fisika FMIPAUniversitas Negeri Makassar.

    Malvino. A.P . 2003. Prinsip-Prinsip Elektronika, Buku 1. Jakarta :Salemba Teknika.

    Sutrisno, 1986. Elektronika : Teori dan Penerapannya, Jilid I . Bandung :Penerbit IT

  • 7/22/2019 Karakteristik Transistor Bipolar - Siap PRINT

    9/9