bab 4 bipolar junction transistor (bjt) .dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). ... pada

Download Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT) .dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). ... pada

Post on 14-Mar-2019

230 views

Category:

Documents

9 download

Embed Size (px)

TRANSCRIPT

Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)

By : M. Ramdhani

Tujuan Instruksional : Mengenal struktur fisik BJT Memahami hubungan antar-arus dan antar-

tegangan BJT Mengenal daerah operasi transistor

Transistor

Bipolar[ Bipolar Junction Transistor (BJT)]

Unipolar[ Field Effect

Transistor (FET)]

Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikanpenguatan yang jauh lebih besar

Tanggapan frekuensi yang lebih lebar. Pada BJT baik pembawa muatan mayoritas maupun

pembawa muatan minoritas mempunyai perananyang sama pentingnya

Transistor BJT adalah piranti semikonduktor tigaterminal yang dibangun dari : dua material tipe P dan satu material tipe N PNP dua material tipe N dan satu material tipe P NPN

Doping pada bagian tengah diberikan lebih sedikitdibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1).

Doping rendah ini mengurangi konduktivitas materialdengan membatasi jumlah elektron bebas.

Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektrondan hole berpartisipasi dalam proses pembangkitanarus.

PNP

Forward bias pada junction emitter-basis menyebabkansejumlah besar pembawa muatan mayoritas (hole) padamateri tipe P (emitter) terdifusi melewati junction menujumateri tipe N (basis).

Karena elektron bebas pada materi tipe N (basis) lebih sedikitdari hole yang terdifusi (N di-doping rendah), hanya sedikithole yang ber-kombinasi dengan elektron dan menghasilkanarus pada basis.

Sebagian besar hole akan bergerak melewati depletion regionpada junction basis-collector (diberi reverse bias) dan keluarpada terminal collector.

Arus Emitter

BCB

C

ECE

C

CBE

iiii

iiiiana

iii

:dim

Operasi Kerja PNP

NPN

Operasi Kerja NPN

Struktur Fisik

Simbol

E E

C C

BB

PNP NPN

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Bagian penting berikutnya adalah bagaimana caranya memberi arus bias yang tepat sehingga transistor dapat bekerja optimal.

Ada tiga cara yang umum untuk memberi arus bias pada transistor, yaitu rangkaian CB (Common Base) , CE (Common Emitter), CC (Common Collector)

Konfigurasi CB (Common Base)CE

B

EEV CCV

CE

B

EEV CCV

E C

B

E C

B

EI CI

BI

EI CI

BI

EI

EI

CI

BI

CI

BI

Karakteristik CB (NPN) iE terhadap vBE

iC terhadap vCB

Daerah aktif adalah daerah dimana penguatan linear terjadi, dalam daerah aktif, junction emitter-collector di bias mundur sedangkan junction basis-emitter di bias maju.

Daerah cut-off didefinisikan sebagai daerah dimana arus IC = 0 A, atau Daerah cut-off terjadi jika junction emitter-collector dan junction basis-emitter di bias mundur.

Daerah saturasi adalah daerah dimana nilai tegangan VCB negatif, Daerah saturasi adalah daerah dimana junction emitter-collector dan junction basis-emitter di bias maju.

Konfigurasi CE (Common Emitter)

C

E

B

BBV

EI

CI

BI PNP CC

V

C

E

B

BBV

EI

CI

BI NPN CC

V

E

C

B

BI

EI

CI

E

C

B

BI

EI

CI

Karakteristik CE iB terhadap VBE

Konfigurasi CC (Common Collector)

C

E

B

BBV

EI

CI

BI

EEV

C

E

B

BBV

EI

CI

BI

EEV

E

C

B

BI EI

CI

E

C

B

BI EI

CI

Konfigurasi Common Collector umumnya dipakai sebagai rangkaian penyesuai impedansi karena mempunyai impedansi input yang tinggi dan impedansi output rendah,

Karakteristik input konfigurasi CC adalah sama dengan karakteristik pada konfigurasi CE. Karakteristik output adalah plot antara IE dengan VEC untuk nilai-nilai IB, dengan bentuk kurva yang sama seperti karakteristik output CE.