yafi akhmad farid karakteristik transistor
Post on 21-Feb-2017
248 Views
Preview:
TRANSCRIPT
Disusun oleh :
Nama Mahasiswa : Yafi Akhmad Farid
Nim/Prodi : 1410502052/Teknik Mesin
UNIVERSITAS TIDAR2015:
Dosen : R. Suryoto Edi Raharjo, S.T.,M.Eng
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Halaman Sampul ...................................... 1Daftar isi ...................................... 2Pengertian Transistor ...................................... 3Karakteristik Transistor ...................................... 4Penutup ...................................... 5
DAFTAR ISI
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi
sinyal atau sebagai fungsi lainnya
Pengertian Transistor
Ada 2 type transistor :
Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Satu
cara untuk melihat sebanyak mungkin detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan
tegangan.
Karakteristik Transistor
Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat
menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus
transistor yang berbeda – beda.
Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat
memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE.
Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.
Kurva Kolektor
Ganbar 1
Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai
dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.
Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan
menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.
Gambar 2
Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir
sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan
pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis
sedikit.
Gambar 3
kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-
emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut.
Kurva base
Gambar Karakteristik Transistor
Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter. Parameter-parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif dan cut-
off.
Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan
emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah
0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt.
Daerah Jenuh
Daerah Aktif
Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down) VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter
diberi prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus balik. Penguatan
sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.
Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan kolektor berprasikap
balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.
Daerah cut-off (putus)
TERIMAKASIH
top related