fet uhamka

FET ( Field Effect Transistor)

1. Unipolar device, yaitu bekerja tergantung hanya pada satu jenis pembawa muatan (hole atau elektron)

2. Device dikendalikan tegangan (tegangan gate voltage mengendalikan arus drain)

3. Input impedance sangat tinggi (109-1012 )4. Source dan Drain bekerja saling mempengaruhi pada frekuensi

sangat rendah5. Memungkinkan beroperasi pada tegangan rendah dan arus rendah

(konsumsi daya kecil)6. Nois rendah dibandingkan dengan BJT7. Tidak menyimpan pembawa minoritas (Turn off lebih cepat) 8. Self limiting device9. Ukuran sangat kecil, sebagai implementasi kesesuaian dengan

ukuran IC sangat kecil kapasitas besar10. Memungkinan beroperasi pada arus rendah dan tegangan rendah

dalam MOSFET11. Memungkinkan terjadi aliran pada temperatur nol

Keuntungan/kelebihan FET dari transistor bipolar:

Beberapa Jenis dari Field Effect Transistor (klasifikasi)

• JFET

MOSFET (IGFET)

n-Channel JFET

p-Channel JFET

n-Channel EMOSFET

p-Channel EMOSFET

Enhancement MOSFET

Depletion MOSFET

n-Channel DMOSFET

p-Channel DMOSFET

FET

n-Channel JFET.

Junction Field Effect Transistor (JFET)

Gate

Drain

Source

LAMBANG / SYMBOLS

n-channel JFET

Gate

Drain

Source

n-channel JFETOffset-gate symbol

Gate

Drain

Source

p-channel JFET

n-Channel JFET dan pembiasan rangkaian

Pembiasan JFET

Daerah deplesi nonconductif menjadi mengembang dengan ditingkatkanya reverse bias. (Cat: dua daerah gate dari setiap FET dihubung satu sama lain.)

Operasi dari JFET pada variasi Potensial Gate Bias

P P +

-

Sumber tegangan DC

+

-+

-

N

N

Operasional JFET

Gate

Drain

Source

rangkaian untuk karaktersitik drain dari n-channel JFET dan Karakteristik Drain.

Daerah non-saturasi (Ohmic) :

Arus drain dinyatakan dengan

2

2 2

2DS

DSPGSP

DSSDS

VVVV

V

II

2

2 PGSP

DSSDS

VVV

II

2

1 and

P

GSDSSDS V

VII

Dimana, IDSS adalah short circuit arus drain , VP tegangan pinch off

Keluaran atau Drain (VD-ID) Karakteristik dari n-JFET

Daerah saturasi (atau Pinchoff):

PGSDSVVV

PGSDSVVV

n-Channel FET untuk vGS = 0.

Simple Operasional dan Breakdown pada n-Channel JFET

Jika vDG diatas tegangan breakdown VB, arus drain meningkat secara cepat.

Daerah Break Down

Karakteristik dan Breakdown N-Channel JFET

Figure: Typical drain characteristics of an n-channel JFET.

VD-ID Karakteristik EMOS FET

Pinch off atau daerah saturasi

Locus dari pts dimana PGSDS VVV

Mutual Karakteristik n-Channel JFET

2

1

P

GSDSSDS V

VII

IDSS

VGS (off)=VP

Transfer (Mutual) Characteristic pada n-Channel JFET

Kurva transfer JFET yang

menunjukan grafik nilai ID untuk setiap

VGS yang diberikan

Rangkaian Bias untuk JFET

• Rangkaian bias fixed• Self bias circuit• Rangkaian bias pembagi tegangan

Rangkaian bias JFET (n-

channel)

2

1

P

GSDSSDS V

VII

0, GGSGSGGGG IFixedVVRIV

DDSDDDS

P

GSDSSDS

RIVV

V

VII

dan

12

S

GSDS

SDSGS

R

VI

RIV

0

Untuk Self Bias Circuit

Untuk rangkaian bias fixed

Penerapan KVL pada gate diperoleh..

dan

dimana, Vp=VGS-off & IDSS di short. IDS

Penghitungan rangkaian bias JFETatau Fixed Bias Ckt.

JFET Self (atau Source) Rangkaian Bias

2

1 and

P

GSDSSDS V

VII

S

GS

P

GSDSS R

V

V

VI

2

1

021

2

S

GS

P

GS

P

GSDSS R

V

V

V

V

VI

This quadratic equation can be solved for VGS & IDS

Bias Pembagi Potensial (Tegangan)

01

2

S

GSG

P

GSDSS R

VV

V

VI

DSGSI V gives equation quadratic this Solving and

Penyederhanaan CS Penguat dan Variasi pada IDS dengan Vgs

Analisis FET Mid-frequency :

g

s

rd gmv vi = v

ii io

vo

d

s

+ +

_ _

mid-frequency CE amplifier circuit

RD RL RTh vs

+

_

is

' 'o o ivi m L L d D L vs vi

i s s i

ii Th Th 1 2

i

Analysis of the CS mid-frequency circuit above yields:

v v ZA = = -g R , where R = r R R A = = A

v v R + Z

vZ = = R , where R = R R

i

L

o iI vi

i L

o oo d D P vi I

o iseen by R

i Z A = = A

i R

v pZ = = r R A = = A A

i p

Penguat common source (CS) seperti pada

gambar disamping.

Rs Ci

RL

Co

CSS vi

vo

+

+

vs

+

_ _

_

io

ii

D

S

G

VDD

VDD

R1

RSS

RD

R2

Rangkaian mid-frequency digambarkan sebagai berikut:

• kopling kapasitor (Ci dan Co) dan bypass kapasitor

(CSS) merupakan short circuit

• short tegangan sumber DC (superposition)• tempatkan kembali FET dengan model hybrid-p

menghasilkan rangkaian mid-frequency seperti di

bawah.

Prosudur: Analysis dari penguat FET pada mid-frequency:

1) Dapatkan DC Q-point. Akan menunjukan bahwa FET beroperasi pada daerah

saturasi dan nilainya dibutuhkan untuk langkah selanjutnya.

2) Dapatkan gm. Jika gm tidak ditentukan, hitung dengan menggunakan nilai DC dari

VGS sebagai berikut:

3) Hitung nilaii-nilai yang dibutuhkan (seperti Avi, Avs, AI, AP, Zi, and Zo. gunakan

formula untuk pendekatan konfigurasi penguat (CS, CG, CD, dst).

DSSDm GS P2

GS P

Dm GS T

GS

GS

2IIg = = V - V (for JFET's and DM MOSFET's)

V V

Ig = = V - V (for EM MOSFET's)

V

(Note: Uses DC value of V )

K

Latihan

Tentukan nilai-nilai mid-frequency : Avi, Avs, AI, AP,

Zi, dan Zo untuk penguat yang ditunjukan gambar

disamping. Anggap bahwa Ci, Co, dan CSS besar.

Catatan bahwa rangkaian bias seperti ini nilai VGS = -0.178 V.Spesifikasi yang dimiliki JFET adalah:

IDSS = 4 mA, VP = -1.46 V, rd = 50 k

10 k Ci 8 k

Co

CSS vi

vo

+

+

vs

+

_ _

_

io

ii

D

S

G

18 V 18 V

800 k

2 k

500

400 k

Konfigurasi dan Relasi dari FET Amplifier

:

'' ' m L

vi m L m L 'm L

'L d D L d D L SS L

i Th SS Thm

o d D d D SSm

i i ivs vi vi vi

s i s i s i

i i iI vi vi vi

L L L

P vi I vi I

CS CG CD

g RA -g R g R

1 g R

R r R R r R R R R

1Z R R R

g

1Z r R r R R

g

Z Z ZA A A A

R + Z R + Z R + Z

Z Z ZA A A A

R R R

A A A A A

vi I

Th 1 2

A A

where R = R R

VCC

RD

S

R2

RSS

Rs Ci

RL

Co

C2

vi vo

+

+

vs

+

_

_ _

io ii

Common Gate (CG) Amplifier

R1

D

G

Note: The biasing circuit is the same for each amp.

Rs Ci

RL

Co

CSS vi

vo

+

+

vs

+

_ _

_

io

ii

D

S

G

VDD

VDD

R1

RSS

RD

R2

Common Source (CS) Amplifier

Rs C i

vi

+

vs

+

_

_

ii G

VDD

VDD

R1

RSS

R2

Common Drain (CD) Amplifier (also called “source follower”)

RL

C o

vo

+

_

io

D

S

Symbol rangkaian untuk enhancement-mode n-channel MOSFET.

n-Channel Enhancement MOSFET menunjukan panjang L channel dan lebar W channel.

Untuk vGS < Vto pn junction antara drain dan body adalah bias reverse dan iD=0.

Figure: For vGS >Vto a channel of n-type material is induced in the region under the gate. As vGS increases, the channel becomes thicker. For small values of vDS ,iD is proportional to vDS.

The device behaves as a resistor whose value depends on vGS.

Figure: As vDS increases, the channel pinches down at the drain end and iD increases more slowly. Finally for vDS> vGS -Vto, iD becomes constant.

Current-Voltage Relationship of

n-EMOSFET

Locus of points where

Figure: Drain characteristics

Figure: This circuit can be used to plot drain characteristics.

Figure: Diodes protect the oxide layer from destruction by static electric charge.

Figure: Simple NMOS amplifier circuit and Characteristics with load line.

Figure: Drain characteristics and load line

Figure vDS versus time for the circuit of Figure 5.13.

Figure Fixed- plus self-bias circuit.

Figure Graphical solution of Equations (5.17) and (5.18).

Figure Fixed- plus self-biased circuit of Example 5.3.

Figure The more nearly horizontal bias line results in less change in the Q-point.

Figure Small-signal equivalent circuit for FETs.

Figure FET small-signal equivalent circuit that accounts for the dependence of iD on vDS.

Figure Determination of gm and rd. See Example 5.5.

Figure Common-source amplifier.

For drawing an a c equivalent circuit of Amp.• Assume all Capacitors C1, C2, Cs as short

circuit elements for ac signal• Short circuit the d c supply• Replace the FET by its small signal model

Analysis of CS Amplifier

LgsmLoo

gs

ov

RvgRiv

v

vA

gain, Voltage

dDLLmgs

ov

rRRRgv

vA ,

Dd

DdDdo Rr

RrRrZ

imp., put Out

21 imp., Input RRRZ

Gin

A C Equivalent Circuit

Simplified A C Equivalent Circuit

Analysis of CS Amplifier with Potential Divider Bias

)R||(rgAv Ddm

DR10r D,m

dRgAv

)R||(rgAv Ddm

This is a CS amplifier configuration therefore the input is on the gate and the output is on the drain. 21 R||RZi

Dd R||rZo

DdD 10RrRZo

Figure vo(t) and vin(t) versus time for the common-source amplifier of Figure 5.28.

Figure Common-source amplifier.

An Amplifier Circuit using MOSFET(CS Amp.)

Figure Small-signal equivalent circuit for the common-source amplifier.

A small signal equivalent circuit of CS Amp.

Figure vo(t) and vin(t) versus time for the common-source amplifier of Figure 5.28.

Figure Gain magnitude versus frequency for the common-source amplifier of Figure 5.28.

Figure Source follower.

Figure Small-signal ac equivalent circuit for the source follower.

Figure Equivalent circuit used to find the output resistance of the source follower.

Figure Common-gate amplifier.

Figure See Exercise 5.12.

Figure Drain current versus drain-to-source voltage for zero gate-to-source voltage.

Figure n-Channel depletion MOSFET.

Figure Characteristic curves for an NMOS transistor.

Figure Drain current versus vGS in the saturation region for n-channel devices.

Figure p-Channel FET circuit symbols. These are the same as the circuit symbols for n-channel devices, except for the directions of the arrowheads.

Figure Drain current versus vGS for several types of FETs. iD is referenced into the drain terminal for n-channel devices and out of the drain for p-channel devices.