Modul Praktikum Laboratorium Elektronika dan Telekomunikasi Elektronika Teknik Elektro Fakultas Teknik 2015 Universitas Bengkulu

MODUL 3

TRANSISTOR BIPOLAR 3.1. Tujuan

1. Mengetahui karakteristik transistor bipolar

2. Mampu merancang konfigurasi Common Emitter (CE)

3. Mampu merancang konfigurasi Common Base (CB)

3.2. Dasar Teori

Transistor adalah salah satu komponen elektronika aktif dan merupakan dioda semikonduktor yang terdiri dari dua dioda yang mempunyai satu elektroda yang bersama.

Dengan memilih elektroda pengontrol dari tipe N atau tipe P sebagai elektroda persekutuan

antara dua buah dioda yang dipertemukan , maka dihasilkan transistor PNP atau transistor

NPN

Gambar 3.1 Simbol transistor jenis (a) PNP dan (b) NPN

3.2.1 Alpha DC

Perbandingan arus kolektor dengan arus emitter hampir sama, alpha dc

sebagai definisi perbandingan kedua arus tersebut :

Adc = Ic

IE

3.2.2 Beta DC

Arus kolektor telah dihubungkan dengan arus emitter dengan menggunakan Adc. Juga menghubungkan arus kolektor dengan arus basis dengan mendefinisikan beta DC

Transistor. βdc = Ic

IB 3.2.3 Hubungan Adc dan βdc

Hukum Kirchoff menyatakan :

IE= IC + IB

Dengan aljabar maka dapat disusun menjadi :

Βdc = Adc

1-Adc

Atau

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika dan Telekomunikasi Elektronika Teknik Elektro Fakultas Teknik 2014 Universitas Bengkulu

Adc = βdc βdc +1

Transistor Bipolar sebagai saklar elektronika dengan memanfaatkan dua keaadaan

transistor yaitu:

Keadaan Saturasi (sebagai saklar tertutup)

Keadaan cut off ( sebagai saklar terbuka)

Pada saat saturasi maka arus kolektor

IC(sat) = VCC

RC

Arus Basis yang menimbulkan penjenuhan

IB (sat) = IC (sat)

βdc

Pada saat cut off tegangan kolektor emitter sama dengan tegangan sumber kolektor

dan arus basis mendekati nol

VCE(cut off) = VCC

3.3. Peralatan

1. Ohmmeter

2. Voltmeter

3. Ammeter

4. Kit praktikum

5. Kabel penghubung

3.4. Langkah Kerja

3.4.1 Configuration Common Emitter

1. Susunlah rangkaian seperti pada Gambar 3.2. (Q1=2N3904; RB= RC= 1 Kohm;

VBB= 12 Volt; VCC=2 Volt)

2. Ubah VCC = 2,4,7,9,12,15 volt.

3. Ukur besar VCE dan IC pada setiap perubahan VCC

4. Ubah VBB= 14 volt

5. Ulangi langkah 1-5

6. Catat data hasil percobaan pada Tabel 3.1

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika dan Telekomunikasi Elektronika Teknik Elektro Fakultas Teknik 2014 Universitas Bengkulu

Gambar 3.2 Rangkaian percobaan karakteristik transistor

3.4.2 Configuration Common Base

1. Susunlah rangkaian seperti pada Gambar 3.3. (Q1=2N3904; RB= 2 Kohm RC= 1

Kohm; VEE= 12 Volt; VCC=2 Volt)

Gambar 3.3 Rangkaian Common Base

2. Ubah VCC = 2,4,7,9,12,15 volt.

3. Ukur besar VCB dan IC pada setiap perubahan VCC

4. Ubah VEE= 14 volt

5. Ulangi langkah 1-5

6. Catat data hasil percobaan pada Tabel 3.2

Evaluasi : 1. Hitunglah IC untuk tiap-tiap percabaan dan bandingkan dengan Ic pengukuran! 2. Buat dan bahas Kurva transistor VCE terhadap IC untuk percobaan Konfigurasi Common

Emitter! 3. Buat dan bahas Kurva transistor VCB terhadap IC untuk percobaan Konfigurasi Common

Base!

Modul Praktikum Laboratorium Elektronika dan Telekomunikasi

Elektronika Teknik Elektro Fakultas Teknik

2014 Universitas Bengkulu

3.5 Tabel Data Percobaan

Tabel 3.1 Data Percobaan Konfigurasi Common Emitter

VCC (V) VBB = 12 Volt VBB = 14 Volt

VCE IC VCE IC

2

4

7

9

12

15

Tabel 3.2 Data Percobaan Konfigurasi Common Base

VCC (V) VBB = 12 Volt VBB = 14 Volt

VCB IC VCB IC

2

4

7

9

12

15