BAB IPENDAHULUAN1.1Latar Belakang.Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.

Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin.

Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.

Dalam penulisan makalah ini penulis akan memaparkan tentang galvanometer jenis balistik dan suspensi serta menjelaskan beberapa aspek penting yang terdapat pada galvanometer.

BAB IIPEMBAHASAN2.1Teori Transistor Bipolar.Transistor adalah komponen aktif dari bahan semikonduktor. Fungsi utamanya dalam rangkaian adalah memperkuat isyarat (isyarat lemah pada masukan dan dikuatkan pada keluaran). Teori persambungan transistor di temukan pertama kali olehWilliam Schockleytahun 1951, sehingga berkembang menjadi industri transistor. Kemudian berkembang pada penemuan IC sampai pada piranti opto elektronika dan prosesor mikro.

Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itumembentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Baseselalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar,karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat(amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.

Pada transistor terdapat tiga daerah kerja, yaitu:

a.Daerah mati (Cut Off)Daerah mati merupakan daerah kerja saat transistor mendapat bias arus basis (Ib) > 0, maka arus kolektor dengan basis terbuka menjadi arus bocor dari basis ke emitor (ICEO). Hal yang sama dapat terjadi pada transistor hubungan kolektor-basis. Jika arus emitor sangat kecil (IE = 0), emitor dalam keadaan terbuka dan arus mengalir dari kolektor ke basis (ICBO).

b.Daerah aktifTransitor dapat bekerja pada daerah aktif jika transistor mendapat arus basis (Ib) > 0. Tetapi jika lebih kecil dari arus basis maksimalnya, keluaran arus kolektor akan berubah-ubah sesuai dengan perubahan pemberian arus basisnya.

c.Daerah jenuhTransistor dapat bekerja pada daerah jenuh jika transistor mendapat arus basis (Ib) lebih besar dari arus basis maksimalnya. Hal ini menimbulkan keluaran arus kolektor tidak dapat bertambah lagi.Prinsip pengoperasian transistor sebagai saklar memiliki dua keadaan, yaitu keadan tidak bekerja (cut off) dan keadaan jenuh. Dimana perubahan keadaannya dapat berupa perubahan tegangan ataupun arus.

Saat Vin = 0, maka tidak ada arus yang mengalir pada Rb dan basis transistor sehingga transistor dalam kondisi tidak bekerja. Tidak ada arus yang mengalir kecuali arus bocor, sehingga kondisi ini identik dengan saklar terbuka (sambungan C-E terpisah) dan menyebabkan beban RL tidak bekerja.Saat Vin mendapat masukan yang cukup besar hingga dapat mengalirkan arus basis yang cukup untuk transistor, maka transistor akan jenuh. Pada kondisi ini arus kolektor akan mengalir (sambungan C-E) terhubung dan menyebabkan beban RL akan bekerja.

2.1.1 Bias DC.Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadisebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor.Iniyang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengaturmembuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).

Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus hole.

Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

Dimana:

IC : arus kolektor

IB : arus base

IE : arus emitor

VC : tegangan kolektor

VB : tegangan base

VE : tegangan emitor

VCC : tegangan pada kolektor

VCE : tegangan jepit kolektor-emitor

VEE : tegangan pada emitor

VBE : tegangan jepit base-emitor

ICBO : arus base-kolektor

VCB : tegangan jepit kolektor-base

Perlu diingat, walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.

2.1.2 Transistor Tak Bias.Jika Belum diberi pembiasan, maka transistor mempunyai sifat:

a. Pembawa mayoritasnya belum bergerak melewati function.

b. Elektron bebas berdifusi melewati function yang menghasilkan dua lapisan deplesi (pengosongan). Setiap lapisan deplesi mempunyai potensial penghalang atau potensial barrier 0,6 0,7 V untuk bahan Sid an 0,2 0,3 V untuk bahan Ge pada suhu 250C.

Dengan doping yang berbeda, maka lapisan deplesi mempunyai lebar yang tidak sama. Makin banyak di doping, makin besar konsentrasi ion dekat junction berarti lapisan deplesi sedikit menembus emitter yang didoping lebih banyak, sedangkan di basis sangat banyak karena di doping sangat sedikit. Karena ada dua lapisan pengosongan, maka ada uda bukit energi electron pita konduksi dalam emiter yang mana tidak cukup energi untuk memasuki basis (harus dibias maju untuk merendahkan bukit energi).

2.2Konfigurasi Transistor Bipolar.Pembiasan pada transistor dapat dilakukan dalam tiga konfigurasi:1.Common Base (CB)yaitu pembiasan dimana basis digunakan bersama oleh kolektor dan emitter (basis sebagai gorund).2.Common Emitter (CE)yaitu pembiasan dimana emitter digunakan bersama-sama oleh basis dan kolektor (emitter sebagai ground).3.Common Collector (CC)yaitu pembiasan dimana kolektor digunakan bersama-sama oleh basis dan emitter. Konfigurasi ini disebut jugaemitter follower(pengikut emitter). Penguatan CC kurang dari satu, impedansi masukan tinggi, impedansi keluaran rendah dan dapat digunakan sebagai penyangga untuk mengatasi ketidaksesuaian pada alih tegangan.2.2.1 Konfigurasi Common Base.Penamaan common base berasal dari kondisi dimana basis digunakan

bersama dalam input dan output.

Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan arus kolektor yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar. Konfigurasi ini biasanya digunakan sebagaibuffer.Konfigurasicommon base ditunjukkan oleh gambar berikut ini.Resistansi input untuk konfigurasi ini adalah:Resistansi outputnya adalah:Faktor penguatan keseluruhan adalah:dengan,adalah resistansi sumber sinyal input danadalah transkonduktansi.Gambar di atas menunjukkan konfigurasigrounded-base, yang dinamakan jugacommon-base.Pada transistorpnp, komponen utama arusnya adalahhole. Karenaholemengalir dari emitor menuju kolektor, dan sebagian menujugroundpada terminal basis, makaIEbernilai positif,ICbernilai negatif, danIBbernilai negatif. Unttukjunctionemitor yang terbias maju,VEBbernilai positif, dan untukjunctionkolektor terbias mundur,VCBbernilai negatif.

Pada transistornpn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistorpnp.

Terlihat bahwa arusoutput,ICsepenuhnya ditentukan oleh arusinput(IE) dan teganganoutput(kolektor ke basis)VCB=VC.Outputini secara implisit dapat ditulis sbb. :

IC= 2(VCB,IE) (5.9)

(Baca :ICmerupakan fungsi 2dariVCBdanIE).

Demikian juga jikaVCBdanIEkita perlakukan sebagai variabel independen, teganganinput(emitor ke basis)VEBsepenuhnya ditentukan oleh kedua variabel independen tersebut. Bentuk implisit karakteristik input ini adalah :

IEB= 1(VCB,IE)

Pada gambar tersebut diplot tegangan emitor-basisVEBterhadap arus emitorIE, dengan parameter tegangan kolektor-basis,VCB. Kurva ini dinamakankarakteristik stats inputataukarakteristik statis emitor.

Jika sebelumnya, pada gambar 5.3, ruang sempit yang ditempati oleh muatan di sekitarjunctiondiabaikan, maka pada diskusi ini akan diperhatikan secara mendalam. Dari persamaan 3.21 diketahui bahwadepletion region Wpada dioda akan bertambah jika teganganreverseditingkatkan. Karenajunctionemitor mendapat bias-maju, sementarajunctionkolektor mendapat bias mundur padaactive region, maka lebarbarrierpadaJErelatif bisa diabaikan dibandingkan dengan konsentrasi muatan padaJC.

Ingat kembali bahwa pada area transisi (depletion region), terdapat tumpukan ion pada kedua sisijunction. Jika tegangan (reverse) dinaikkan, area transisi akan melebar ke arah basis dan kolektor. Karena netralitas muatan harus dipertahankan, jumlah muatan pada kedua sisi harus sama. Karenadopingpada basis biasanya lebih kecil dari kolektor, penetrasi daerah transisi ke wilayah basis jadi lebih besar daripada apa yang terjadi pada kolektor. Dengan demikian,depletion regionpada daerah kolektor dapat diabaikan.

Ingat kembali bahwa pada area transisi (depletion region), terdapat tumpukan ion pada kedua sisi junction. Jika tegangan (reverse) dinaikkan, area transisi akan melebar ke arah basis dan kolektor. Karena netralitas muatan harus dipertahankan, jumlah muatan pada kedua sisi harus sama. Karena doping pada basis biasanya lebih kecil dari kolektor, penetrasi daerah transisi ke wilayah basis jadi lebih besar daripada apa yang terjadi pada kolektor. Dengan demikian, depletion region pada daerah kolektor dapat diabaikan.

Jika lebar basis metalurgik adalah WB, maka lebar basis efektif pada saat junction diberi tegangan adalah WB' = WB W. Modulasi terhadap lebar basis efektif yang disebabkan oleh tegangan kolektor ini, dinamakan efek Early. Penyempitan WB' karena peningkatan tegangan reverse pada kolektor akan menimbulkan tiga konsekuensi :

Pertama, peluang terjadinya rekombinasi di basis menjadi lebih kecil. Berarti, akan meningkat jika |VCB| meningkat. Ke dua, gradien konsentrasi carrier minoritas pn akan meningkat di dalam basis. Perhatikan bahwa pn menjadi nol pada posisi d (di antara WB' dan WB), dimana potensial terhadap basis akan jatuh di bawah V0. Pada jarak ini, potensial efektif akan menjadi negatif, dan hukum junction, akan menghasilkan pn = 0. Karena arus hole yang terinjeksi melalui emitor proporsional terhadap gradien pn di JE, maka IE akan meningkat jika tegangan balik pada kolektor dinaikkan. Ketiga, jika tegangan pada kolektor ekstrim sangat besar, WB' mendekati nol, yang akan menimbulkan tegangan breakdown pada transistor. Fenomena ini dinamakan punch-through.

Pemahaman kualitatif mengenai karakteristik input dan output transistor tidak akan menjadi sulit, jika kita menganggap transistor terdiri atas dua dioda yang saling berhadapan (kedua katodanya saling bertemu). Pada daerah aktif (active region), dioda input (emitor ke basis) mendapat bias maju. Karakteristik input pada dasarnya menunjukkan karakteristik dioda emitor-basis pada berbagai tegangan kolektor. Satu hal penting mengenai karakteristik input yaitu adanya tegangan cutin, offset, atau treshold, V, dimana untuk tegangan di bawah V, arus emitor IE menjadi sangat kecil. Pada umumnya, V, bernilai sekitar 0,1 V untuk transistor germanium (Gb.5.7) dan 0.5 V untuk silikon.

Bentuk karakteristik input dapat dipahami jika kita menyadari suatu kenyataan bahwa peningkatan nilai tegangan kolektor akan menimbulkan peningkatan arus emitor (efek Early), sementara nilai VEB tidak berubah. Kenaikan nilai |VCB| akan menggeser kurva ke bawah. Kurva dengan kolektor terbuka (tegangan kolektor = 0 V) identik dengan karakteristik dioda emitor yang terbias maju.

Merupakan suatu hal yang biasa untuk membuat plot secara terbalik seperti pada gambar 5.6, dimana polaritas negatif VCB (karena reverse bias) diplot pada absis kanan (biasanya absis ini untuk polaritas positif). Jika IE = 0, arus kolektor menjadi IC = IC0. Untuk nilai IE yang lain, arus reverse pada dioda-output diperkuat oleh sejumlah fraksi arus dari dioda-input (yang terbias maju). Perhatikan bahwa IC dan IC0 bernilai negatif untuk transistor pnp dan positif untuk npn.

Di dalam daerah ini, junction kolektor mendapat bias mundur dan junction emitor mendapat bias maju. Anggap dulu bahwa arus emitor bernilai nol. Dalam keadaan ini, arus kolektor kecil dan sama dengan arus saturasi balik IC0 (mikroamper untuk germanium dan nanoampere untuk silikon) dan junction ini berlaku seperti dioda. Andaikan sekarang terdapat arus emitor IE. Satu fraksi arus sebesar -IE akan mencapai kolektor, dan arus IC. Di dalam daerah aktif (active region), arus kolektor independen terhadap tegangan kolektor dan hanya tergantung pada arus emitor. Namun demikian, karena efek Early, terdapat pengaruh |VCB| berupa kenaikan |IC| walaupun hanya 0,5 persen. Karena lebih kecil dari satu (tapi mendekati satu), arus kolektor sedikit lebih kecil dari arus emitor.

Daerah dimana junction emitor maupun kolektor mendapat bias maju (forward biased) dinamakan daerah saturasi. Daerah ini terdapat di bagian kiri ordinat, dimana VCB = 0 dan di atas karakteristik IE = 0. Di sini dapat dikatakan terjadi proses "bottoming" karena tegangan akan merosot drastis hingga mendekati dasar, pada saat VCB 0. Sebenarnya VCB di daerah ini bernilai positif (untuk pnp, walau nilainya kecil), dan bias maju pada kolektor ini menimbulkan perubahan arus kolektor yang besar melalui perubahan tegangan kolektor yang kecil. Dalam keadaan terbias maju, IC naik secara eksponensial terhadap tegangan mengikuti hubungan dioda. Bias maju dapat diartikan bahwa sisi p (kolektor) dibuat lebih positif dibandingkan dengan sisi n (basis), sehingga terjadi aliran hole dari kolektor (p) menuju basis (n). Dengan demikian arus kolektor akan naik secara drastis dan IC dapat bernilai positif jika bias maju bernilai cukup besar.

Karakteristik untuk kondisi dimana IE = 0 melewati titik origin, namun dalam hal lain sama seperti karakteristik-karakteristik lain. Karakteristik ini sebenarnya tidak berihimpitan dengan sumbu tegangan, namun hal ini sulit untuk diperlihatkan mengingat IC0 bernilai hanya beberapa nano- atau mikroamper. Daerah di bawah IE = 0, dimana junction emitor dan kolektor sama-sama terbias mundur dinamakan cutoff region.

BAB IIIPENUTUP3.1 Kesimpulan.Transistor adalah komponen aktif dari bahan semikonduktor. Fungsi utamanya dalam rangkaian adalah memperkuat isyarat (isyarat lemah pada masukan dan dikuatkan pada keluaran).

Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias).

Pembiasan pada transistor dapat dilakukan dalam tiga konfigurasi yaitu: 1. Common Base (CB), 2. Common Emitter (CE), dan 3. Common Collector (CC). Penamaan common base berasal dari kondisi dimana basis digunakan bersama dalam input dan output.

Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan arus kolektor yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar. Konfigurasi common-emitter, yang menggunakan emitor sebagai terminal common untuk input dan output, lebih sering digunakan pada rangkaian transistor dibandingkan dengan common-base. Konfigurasi ini memiliki resistansi output yang kecil sehingga baik untuk digunakan pada beban dengan resistansi yang kecil. Oleh karena itu, konfigurasi ini biasanya digunakan pada tingkat akhir pada penguat bertingkat.

Ketika transistor sebagai saklar, maka transistor berperan mengalirkan arus dari kolektor ke emitter atau sebaliknya menghentikan arus yang menglir dari kolektor ke emiter. Pengaturnya adalah arus basis (tergantung dari besarnya arus yang mengalir dari basis).

Setiap transistor selalu mempunyai kode tertentu menurut pabrik pembuatnya.agar tidak keliru dalam pemakaiannya

Arus kecil yang mengalir pada basis mengendalikan arus yang lebih besar agar mengalir dari kolektor ke emitter transistor. Terdapat dua macam transistor yang di produksi untuk pemakaian umum yaitu jenis TUN (Transistor universal npn) atau TUP (Transistor Universal pnp).

RANGKAIAN DASAR ELEKTRONIKABAB IDASAR TEORIA. Latar Belakang Masalah.Adaptor banyak digunakan dalam berbagai alat sebagai catu daya, seperti Amplifier,TV mini ,radio,tape,dll. Jika dilihat dari jenis peralatannya alat-alat tersebut tidak terlalu besar dan juga bisa dibilang praktis karena dapat dengan mudah digunakan oleh semua orang.

Untuk perbengkelan elektronika yang selalu memerlukan tenaga listrik DC untuk reparasi maupun untuk percobaan-percobaan, maka kita menggunakan catu daya yang lebih hemat dan stabil dibandingkan dengan batu baterai, karena batu baterai daya tahannya sangat terbatas dan mudah terjadi perubahan tegangan.

Sebetulnya rangkaian catu daya bisa bervariasi, ada yang sederhana namun umumnya kurang stabil, dan ada pula yang stabil seperti catu daya yang variabel. Seperti halnya pesawat-pesawat elektronika pada umumnya, maka rangkaian catu daya juga merupakan suatu rangkaian elektronika yang terdiri dari beberapa blok dan bagian yang mempunyai peran dan fungsi yang berbeda-beda, karena fungsi dan kegunaan masing-masing bagian catu daya tidak lepas dari sipat,fungsi,dan kegunaan masing-masing komponen yang membentuknya.

Kerusakan pada jenis adaptor tersebut sering dijumpai akibat hubungan singkat dari arus listrik oleh karena itu harus diperhatikan masukannya, dari pernyataan tersebut biasanya berpengaruh buruk pada IC.

B. Sistematik Kerja Pembuatan Adaptor.

1. Mencari rangkaian yang sudah ditentukan

2. Menggambar rangkaian dan mencari layout dengan menggunakan PROTEL 3. Gambar rangkaian di acc terlebih dahulu, untuk persetujuan Dosen.

4. Merangkai / membuat alat setelah disetujui oleh Dosen yang bersangkutan.

Menggambar garis dengan spidol Di celupkan ke dalam pelarut ( Norit ) Mem-bor PCB dengan menggunakan bor mata kecil Setelah kering kita pasang komponen satu persatu 5. Membuat makalah hasil dari pembuatan alat ( Adaptor ).

6. Persentasi hasil kerja.

C. Gambar Rangkaian Adaptor.

Gbr. Rangkaian schematik adaptor

Gbr.Lay Out Rangkaian adaptorBAB IITUJUAN PEMBUATAN ALATA. Alat Alat.Untuk tugas pembuatan Adaptor ini alat alat yang digunakan antara lain

adalah sebagai berikut :

1. Solder.

Digunakan untuk menempelkan atau menyambung komponen di papan PCB sesuai dengan gambar LAY OUT nya.

2. Bor.

Digunakan untuk melubangi papan PCB yang akan ditempelkan komponen.

3. Tang.kombinasi dan tang jepit

Digunakan untuk menjepit dan memotong kaki rangkaian.

4. Obeng ( + , - )

Digunakan untuk mengencangkan baut baut rangkaian.

B. Bahan Bahan.

Untuk pembuatan rangkaian adaptor ini diperlukan komponen komponen

yang dapat di cari di toko toko, yang antara lain :

1.Diode 1 A4 buah.

2.Capasitor3 buah.

3.IC 78051 buah.

4 . IC 78121 buah.

5.Papan PCB10 x 7 cm

6.Kabel2 m.

7.Tinol2 m.

8.Larutan pelarut papn PCB1 bungkus.

9.Trafo2 A.

10. Jack DC2 buah.

C. Tujuan Pembuatan Alat.Tujuan pembuatan adaptor ini adalah untuk maengubah listrik AC menjadi aruclistrik DC yang rendah sesuai dengan teganga baterai yang di butuhkan, misalnya : 3 volt, 4,5 volt , 6 volt , 9 volt , dan 12 volt. Adaptor sangat cocok untuk perbengkelan elektronika yang memerlukan listrik DC , karna menggunakan sumber daya adaptor akan lebih hemat di bandingkan dengan mengunakan batu baterai, dan sangat bermanfaat untuk membuat alat-alat elektronika lainnya seperti: Amflipair, radio, tipe, dan alat-alat elektronika lainnya., Sedangkan batu baterai daya tahannya sangat terbatas dan mudah terjadi perubahan tegangan. Oleh karna itu adaptor banyak di gunakan dalam berbagai alat-alat elktronika.

Pada umumnya sumber daya adaptor menggunakan perata sistim jembatan (Bridge). Tetapi dapat juga menggunakan sistem perata gelombang penuh seperti biasa , yaitu dengan dua perata dan transformator bercabang tengah pada sekundenya, selain itu pembuatan rangkaian sumber daya adaptor dapat bervariasi, ada yang sederhana namun kurang stabil untuk itu di perlukan adaptor variabel.

9