FIELD EFFECT TRANSISTOR(FET)DASAR ELEKTRONIKA

Field-Effect TransistorsField-Effect Transistor (FET) adalah piranti tiga-terminal seperti halnya transistor BJT. Perbedaan utama dari kedua transistor ini adalah bahwa BJT adalah piranti yang dikontrol oleh arus, sedangkan FET adalah piranti yang dikontrol tegangan.

Field-Effect Transistors

Bipolar deviceBJTFETUnipolar deviceDua carrier : elektron & holesSatu carrier : elektron (n-channel)atau holes (p-channel)

Field-Effect TransistorsKarakteristikHigh Input ImpedanceTemperature StableSmall size -> Integrated Circuit

TypeJunction FETMOSFET (Metal Oxide Semikonductor FET)

JFET (n-channel )Piranti 3 terminal Drain Source Gate

VGS = 0 ; VDS (+)IDSS adalah arus drain-source maksimum (saturasi)Pada VGS = 0 dan VDS > |VP|Vp = Tegangan Pinch-off

VGS < 0Nilai VGS yang menghasilkan ID=0 adalah VGS-VP, dimana VP (-) untuk n-channel JFET

p channel JFET

Simboln - channelp - channel

Karakteristik Transfer Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh rangkaian

Menggambar KurvaCari 4 buah titik :

ID = 0ID = IDSS/2ID = IDSS/4ID = IDSS

SoalSket Kurva Katakteristik JFET dengan IDSS = 12 mA dan VP = - 6VID = 12 mAVGS = 0 VID = 0 mAVGS = Vp = - 6VID = IDSS/2 = 6 mAID = IDSS/4 = 3 mAVGS = 0.3 VP = -1.8 VVGS = 0.5 VP = -3 V

Sket Kurva JFET p-channel dengan IDSS = 4 ma dan VP = 3 V

Depletion Type MOSFET

Karakteristik

Sket KurvaSket Kurva karakteristik MOSFET tipe depletion dengan arus drain-source saturasi = 10 mA dan tegangan pinch-off 4 V.

Simbol

Enhancement-Type MOSFET

Enhancement-Type MOSFET

Karakteristik ( p-channel)

Sket Kurva Karakteristik n-channel Enhancement type MOSFET dengan :ID(on) = 10 mAVGS(on) = 8VVT = 2 V

Simbol

FET BIASING