abstrak - file.upi.edufile.upi.edu/direktori/fptk/jur._pend._teknik_elektro/... · 2. pendadahan...
Post on 13-Feb-2018
227 Views
Preview:
TRANSCRIPT
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 1
ABSTRAK Penelitian ini difokuskan pada penumbuhan dan karakterisasi film tipis DMS (diluted
magnetic semiconductor) berbasis GaN untuk aplikasi spintronik. Penumbuhan film
tipis GaN di atas substrat silikon dilakukan menggunakan metode sputtering.
Setelah GaN berhasil ditumbuhkan, pendadahan dengan ion Mn dilakukan
menggunakan teknik implantasi ion. Film tipis GaN yang didadah oleh Mn tersebut
kemudian diselidiki sifat listrik dan sifat magnetiknya. Film yang dihasilkan
diharapkan bersifat ferromagnetik pada temperatur kamar sehingga potensial
untuk aplikasi spintronik.
Kata Kunci: DMS, GaN, sputtering, implantasi ion, spintronik
I. PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Spintronika merupakan bidang baru dalam teknologi modern dewasa ini. Istilah
spintronika (spintronics) berasal dari kata spin-based electronics, yakni elektronika
yang memanfaatkan sifat spin elektron selain sifat muatannya. Kemunculan
spintronika dipicu oleh penemuan efek giant magnetoresistance (GMR) pada
superkisi logam ferromagnetik tipis oleh Fert dkk. dan Grünberg dkk. (keduanya
mendapatkan Hadiah Nobel pada tahun 2007 atas penemuan mereka). Kurang dari
10 tahun setelah penemuan tersebut, read head pertama untuk hard drive
komputer berbasis efek GMR diluncurkan ke pasaran oleh IBM. Dewasa ini, hampir
semua read head komputer berbasis efek GMR. Selain itu, aplikasi memori
spintronika telah dikaji, seperti Magnetic Random Acces Memory (MRAM) yang
berbasis Magnetic Tunnel Junction (MTJ) (Holmberg, 2008).
Devais spintronika bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk
mengendalikan pergerakan pembawa muatan. Dibandingkan dengan devais
berbasis semikonduktor konvensional, devais spintronika memiliki banyak
keunggulan, di antaranya adalah laju pemrosesan data yang lebih tinggi, ukuran
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 2
devais yang lebih kecil dan padat isi (compact), dan konsumsi energi yang lebih
kecil. Keunggulan-keunggulan devais spintronika tersebut telah mendorong banyak
penelitian, baik secara teori maupun eksperimen, oleh berbagai kelompok peneliti
di seluruh dunia, terutama di Jepang, Amerika Serikat, dan Eropa (Awschalom, et
al., 2002 dan Pearton, et al., 2003).
Persyaratan dasar untuk merealisasikan devais spintronika adalah
membangkitkan arus elektron terpolarisasi spin, melestarikan polarisasi spin,
memanipulasi keadaan spin, dan mendeteksi polarisasi spin (Chien, 2007). Arus
terpolarisasi spin dapat dibangkitkan dengan menggerakkan arus melalui bahan
ferromagnetik. Bahan ferromagnetik dapat berfungsi sebagai penyuplai dan
penginjeksi spin. Bahan ferromagnetik ini harus bersifat ferromagnetik pada
temperatur kamar dan memiliki efisiensi injeksi spin tinggi (Reed, 2003). Pada
awalnya, logam ferromagnetik dipandang sebagai kandidat pertama karena
memiliki temperatur Currie di atas temperatur ruangan. Akan tetapi, injeksi spin
logam ferromagnetik sangat rendah (Schmidt et al., 2002). Pilihan lainnya adalah
lapisan semilogam, misalnya MnAs. Akan tetapi, efisiensi injeksi spin MnAs pun
masih rendah, sekitar 6% (Zhu et al., 2001). Efisiensi injeksi yang rendah ini terjadi
karena perbedaan resistivitas dan adanya hamburan pada antarmuka logam-
semikonduktor (Pearton et al., 2004).
Bahan baru yang sangat menjanjikan untuk merealisasikan devais spintronika
adalah diluted magnetic semiconductor (DMS) atau semikonduktor ferromagnetik
(Ohno et al., 1996 dan Ohno, 1998). DMS adalah bahan semikonduktor dengan
fraksi kecil dari kation induk diganti oleh beberapa ion logam transisi yang secara
dramatis mengubah sifat-sifat dari semikonduktor induk tetapi bertindak seperti
pengotor dan tidak mengubah sifat alami dari semikonduktornya (Chien, 2007). Jika
bahan ferromagnetik fase tunggal berhasil ditumbuhkan, bahan tersebut sangat
potensial digunakan untuk injeksi spin elektron (Pearton et al., 2003).
Prediksi bahwa GaN yang didadah oleh Mn sebesar 5% dan mengandung hole
berkonsentrasi tinggi (3,5 × 1020 cm-3) memiliki sifat ferromagnetik di atas
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 3
temperatur kamar (Dietl et al., 2000) telah menarik para peneliti. Pencapaian sifat
ferromagnetik Mn:GaN di atas temperatur kamar dapat berpotensi menghasilkan
pemancar cahaya yang terpolarisasi lingkaran, MRAM, spin-valve, dan transistor
spin yang bekerja pada temperatur kamar. Dalam semua devais tersebut, selain
muatan, spin pembawa dimanfaatkan untuk mengembangkan devais baru.
Banyak proses penumbuhan film tipis epitaksi telah dikembangkan, di
antaranya adalah molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy
(HVPE), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), Sputtering, dan Teknik
Implantasi Ion.
Pada penelitian ini, film tipis GaN akan ditumbuhkan di atas substrat silikon
menggunakan metode sputtering. Setelah film GaN berhasil ditumbuhkan,
pendadahan oleh Mn dilakukan menggunakan teknik implantasi ion. Film GaN yang
didadah oleh Mn ini kemudian diteliti sifat listrik dan sifat magnetiknya serta
potensinya untuk aplikasi spintronik.
1.2 Tujuan Penelitian
Tujuan umum penelitian ini adalah menumbuhkan film tipis Mn:GaN menggunakan
metode sputtering dan teknik implantasi ion dan menyelidiki karakteristik sifat
listrik dan sifat magnetik film tersebut serta potensinya untuk aplikasi spintronik.
1.3 Ruang Lingkup dan Batasan Penelitian
Berdasarkan tujuan penelitian di atas, ruang lingkup dan batasan penelitian ini
sebagai berikut.
1. Penumbuhan film tipis GaN di atas substrat silikon menggunakan metode
sputtering.
2. Pendadahan GaN oleh Mn dilakukan menggunakan teknik implantasi ion.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 4
3. Karakterisasi struktur dan orientasi film tipis GaN yang didadah Mn dengan XRD
(X-ray diffraction).
4. Morfologi permukaan film dengan analisis SEM (scanning electron microscope).
5. Komposisi atom dalam film (Ga, N, dan Mn) ditentukan dengan analisis EDX
(energy dispersive X-ray spectroscope).
6. Sifat listrik (konduktivitas, konsentrasi, dan mobilitas pembawa muatan) diukur
menggunakan metode Hall-van der Pauw.
7. Sifat magnetiknya diukur menggunakan VSM (vibrating sample magnetometry).
II. TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Gallium Nitrida
Galium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor paduan golongan III-V. GaN
telah banyak dimanfaatkan, baik untuk aplikasi elektronik maupun optoelektronik,
seperti LED (light emitting diode), diode laser, dan transistor efek medan (FET, field
effect transistor) frekuensi dan daya tinggi. Perkembangan dalam bidang ini
terutama disebabkan oleh terobosan dalam penumbuhan film gallium nitrida kristal
tunggal dengan kualitas tinggi.
GaN merupakan bahan yang memiliki celah energi lebar. Pada temperatur
kamar, celah energinya adalah 3,4 eV, yang setara dengan panjang gelombang 365
nm. Pada kondisi normal, GaN memiliki struktur kristal wurtzite heksagonal
parameter kisi a = 3,189Å dan c = 5,186 Å seperti ditunjukkan pada Gambar 2.1.
Gambar 2.1 Struktur wurzite heksagonal untuk GaN
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 5
GaN dinilai sebagai bahan semikonduktor yang menjanjikan untuk aplikasi
spintronik. Prediksi bahwa GaN yang didadah dengan Mn sebesar 5% dan
mengandung hole berkonsentrasi tinggi (3,5 × 1020 cm-3) memiliki sifat
ferromagnetik di atas temperatur kamar (Dietl et al., 2000) telah menarik para
peneliti pada bidang ini. Pencapaian sifat ferromagnetik Mn:GaN di atas temperatur
kamar dapat berpotensi menghasilkan pemancar cahaya yang terpolarisasi
lingkaran, MRAM, spin-valve, dan transistor spin yang bekerja pada temperatur
kamar. Dalam semua devais tersebut, selain muatan, spin pembawa dimanfaatkan
untuk mengembangkan devais baru.
Banyak proses penumbuhan film tipis epitaksi telah dikembangkan seperti
molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), metal organic
chemical vapor deposition (MOCVD), dan turunan dari metode-metode tersebut.
Sejak beberapa tahun yang lalu, MOCVD telah berkembang menjadi teknik
terdepan untuk memproduksi devais optoelektronik dan mikroelektronik berbasis
paduan nitrida III-V. Salah satu prestasi yang dicapai adalah keberhasilan
penumbuhan GaN untuk aplikasi LED biru. Karakteristik metode ini meliputi
penggunaan sumber kimia berkemurnian tinggi, uniformitas dan kendali komposisi
berderajat tinggi, laju penumbuhan tinggi, potensi manufaktur skala besar, dan
kemampuan untuk menumbuhkan sambungan abrupt.
Meskipun belum ada substrat yang benar-benar cocok untuk menumbuhkan
GaN, Al2O3 (safir) merupakan substrat yang paling sering digunakan. Harga
ketaksesuaian kisi antara substrat safir dan GaN adalah 13% - 16% (Reed, 2003). Hal
tersebut menunjukkan bahwa dislokasi yang cukup banyak dapat terjadi dalam film
GaN untuk mengatasi tekanan. Substrat lain yang telah digunakan dalam
penumbuhan GaN adalah Si, SiC, dan GaAs, tetapi kesemuanya itu memiliki
ketaksesuaian kisi dengan GaN.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 6
2.2 Diluted Magnetic Semiconductor (DMS) dan Perkembangan Mn:GaN
Penelitian tentang semikonduktor magnetik dengan susunan atom-atom secara
periodik, seperti europium chalcogenides atau semiconducting spinels, dimulai
tahun 1960. Beberapa kemajuan telah dicapai, tetapi penumbuhan bahan seperti
ini sulit dilakukan. Selain itu, struktur kristal semikonduktor tersebut berbeda
dengan semikonduktor biasa. Kesulitan lainnya adalah belum tersedianya
semikonduktor yang memiliki kesesuaian kisi untuk digunakan sebagai substrat
atau, dengan kata lain, tidak sesuai dengan teknologi semikonduktor yang telah ada
(Ohno, 1998).
Penelitian selanjutnya difokuskan pada semikonduktor nonmagnetik dengan
fraksi kecil dari unsur nonmagnetik diganti oleh ion magnetik, umumnya logam
transisi. Ion magnetik, berperan sebagai pengotor, memberikan momen magnetik
spin dari elektron yang dimilikinya. Campuran (alloy) antara semikonduktor
nonmagnetik sebagai induk dan ion magnetik ini dikenal dengan istilah diluted
magnetic semiconductor (DMS). Istilah diluted digunakan dalam bahan tersebut
karena konsentrasi ion magnetiknya relatif kecil. Perbedaan antara semikonduktor
biasa, semikonduktor magnetik, dan DMS diperlihatkan pada Gambar 2.2.
A B C
Gambar 2.2 (A) semikonduktor biasa, (B) semikonduktor magnetik, dan
(C) DMS (Ohno,1998).
Pada umumnya semikonduktor akan mengalami perubahan sifat jika didadah
dengan pengotor, yaitu menjadi semikonduktor tipe-n atau tipe-p. Pendadahan ion
magnetik ke dalam semikonduktor nonmagnetik pun diharapkan dapat mengubah
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 7
semikonduktor tersebut menjadi bersifat magnetik (paramagnetik,
antiferromagnetik, ferromagnetik). Sifat-sifat magnetik ini tidak dimiliki oleh bahan
semikonduktor biasa (Pearton, et al., 2003).
Sejauh ini, semikonduktor paduan III-V merupakan semikonduktor yang
banyak digunakan dalam bidang elektronika. Kenyataan tersebut mendorong
beberapa ahli untuk mengubah sifat nonmagnetik semikonduktor paduan III-V
menjadi magnetik atau bahkan ferromagnetik dengan cara memasukkann ion
magnetik dengan konsentrasi tinggi. InMnAs merupakan DMS berbasis III-V yang
pertama kali ditumbuhkan menggunakan metode MBE pada temperatur kurang
dari 300 K. Selanjutnya, GaMnAs juga berhasil ditumbuhkan menggunakan metode
yang sama. Temperatur rendah diperlukan agar ion Mn dengan konsentrasi tinggi,
sekitar 5% atom, dapat diinkorporasikan ke dalam semikonduktor. Akan tetapi,
InMnAs dan GaMnAs memiliki temperatur Currie jauh di bawah temperatur kamar,
yakni sekitar 180 K, sehingga belum cocok untuk aplikasi devais spintronik yang
memerlukan temperatur di atas temperatur kamar (Ohno, et al., 1999).
Pada tahun 2000, Dietl, dkk., berhasil membuat model yang dapat
memprediksikan temperatur Currie beberapa semikonduktor paduan III-V yang
didadah dengan Mn. Harga prediksi temperatur Currie semikonduktor paduan III-V
ditunjukkan pada Gambar 2.3. Berdasarkan model ini, bahan Mn:GaN diprediksi
dapat memiliki temperatur Currie di atas temperatur kamar (>300K) jika didadah
dengan 5% atom Mn dan memiliki rapat lubang sebesar 3,5 1020/cm3 (Dietl et al.,
2000).
Model Dietl telah memicu penelitian lebih lanjut mengenai Mn:GaN,
terutama dalam hal sintesis bahan. Pada tahun 2000, Gebicki, dkk.,. melaporkan
bahwa bahan Mn:GaN dalam bentuk kristal bulk berhasil ditumbuhkan dengan
metode resublimasi dengan konsentrasi Mn bervariasi dari 0,1% sampai dengan
2,0% dan volume kristal bervariasi dari 0,1 mm3 sampai dengan 1,0 mm3 (Gebicki,
et al., 2000). Pada tahun 2001, Szczytko, dkk., melaporkan bahwa kristal bulk
Mn:GaN berhasil ditumbuhkan dengan mereaksikan campuran Ga/Mn atau
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 8
GaN/Mn dengan amonia pada temperatur 1200oC – 1250oC pada tekanan normal.
Hasilnya menunjukkan bahwa kristal bulk Mn:GaN bersifat paramagnetik.
Komponen antiferromagnetik dalam Mn:GaN disebabkan oleh interaksi ion-ion Mn
(Szczytko et al., 2001).
InAs
GaSbInP
GaP
AlP
AlAsGaAs
Si
Ge
InN
GaN
ZnO
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
100
200
300
400
500
Celah pita energi semikonduktor (eV)
Ha
rga
pre
dik
si te
mp
era
tur
Cu
rrie
(K
)
Gambar 2.3 Harga prediksi temperatur Curie semikonduktor paduan
III-V yang didadah Mn (Dietl, et al, 2000)
Film Mn:GaN telah berhasil pula ditumbuhkan dengan metode MBE. Film
Mn:GaN yang mula-mula ditumbuhkan memiliki konsentrasi Mn sekitar 7% dan
konsentrasi pembawa tipe-n sebesar 2,4 × 1019 cm-3. Film tersebut ditumbuhkan
dengan menggunakan sumber padat Ga dan Mn dengan nitrogen reaktif berasal
dari sumber plasma frekuensi radio. Film ini memperlihatkan temperatur Currie
yang sangat rendah, yaitu sekitar 25 K (Overberg et al., 2001)
Beberapa kelompok peneliti telah pula berhasil menumbuhkan Mn:GaN
dengan metode MOCVD. Penumbuhan Mn:GaN di antaranya dilakukan pada
temperatur 1060°C dan menggunakan tricarbonyl (methylcyclopentadienyl)
manganese (TCM) sebagai sumber Mn (Korotkov et al, 2002 dan Polyakov et.al.,
2002). Selain itu, film tipis Mn:GaN juga berhasil ditumbuhkan di atas substrat safir
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 9
(0006) mengggunakan metode yang sama, dengan sumber Mn adalah Ethyl-
cyclopentadienyl manganese, (EtCp2)Mn. Temperatur penumbuhan yang
dilaporkan, lebih rendah yaitu antara 850 C - 1040 C. Temperatur Currie film
Mn:GaN yang ditumbuhkan berbeda-beda, berkisar antara 228 K dan 520 K,
bergantung pada kondisi penumbuhan yang digunakan (Reed, 2003). Dengan
menggunakan metode yang sama dan sumber Mn yang berbeda, yaitu bis-
cyclopentadienyl manganese (Cp2Mn) pada temperatur penumbuhan 900 C -
1050 C telah pula dilaporkan film tipis Mn:GaN dengan berbagai konsentrasi Mn,
dari 1,0 - 1,5 % (Kane, et al., 2005).
2.3 Metode Sputtering
Deposisi sputter merupakan salah satu metode pendeposisian film menggunakan
sputtering, yakni mengeluarkan atom dari sumber (target) dan dideposisikan pada
substrat. Atom yang dikeluarkan dari target memiliki distribusi energi yang lebar
hingga puluhan eV. Ion yang di-sputter dapat terbang secara balistik dari target
dalam garis lurus dan berdampak secara energetik pada substrat atau kamar
vakum. Alternatif lain, pada tekanan gas tinggi, ion-ion bertumbukan dengan atom-
atom gas yang bertindak sebagai moderator dan bergerak secara difusi, mencapai
substrat atau dinding kamar vakum dan mengalami kondensasi setelah bergerak
secara acak.
Gas yang di-sputter biasanya gas inert seperti argon. Agar transfer
momentumnya efisien, berat atom dari gas yang di-sputter harus dekat dengan
berat atom target. Gas-gas reaktif juga dapat digunakan untuk men-sputter
senyawa. Senyawa tersebut dapat dibentuk pada permukaan target atau pada
substrat, bergantung pada parameter proses. Ketersediaan parameter yang
mengendalikan deposisi sputter menyebabkan proses yang kompleks, tetapi juga
memungkinkan untuk mengendalikan penumbuhan dan mikrostruktur film.
Diagram proses deposisi sputter diperlihatkan pada Gambar 2.4.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 10
Gambar 2.4 Proses deposisi pada metode sputtering (www.wikipedia.org)
Salah satu keuntungan penting dari deposisi sputter adalah dapat men-
sputter dengan mudah bahan yang titik didihnya tinggi meskipun evaporasi bahan
tersebut dalam evaporator resistansi atau Knudsen sel merupakan masalah atau
tidak mungkin. Film yang didedeposisi sputter memiliki komposisi mendekati bahan
sumber. Perbedaannya adalah karena elemen-elemen yang berbeda menyebar
secara berbeda karena perbedaan massanya (elemen ringan dibelokkan lebih
mudah oleh gas) tetapi perbedaan ini konstan. Film yang di-sputter tipikalnya
memiliki adhesi yang lebih baik pada substrat daripada film yang dievaporasikan.
Target mengandung sejumlah besar bahan dan mempertahankan teknik pembuatan
bebas yang cocok untuk aplikasi vakum ultratinggi. Sumber sputtering tidak
mengandung bagian panas (untuk menghindari pemanasan biasanya didinginkan
oleh air) dan cocok dengan gas reaktif seperti oksigen. Sputtering dapat dibentuk
top-down sedangkan evaporasi harus dibentuk bottom-up. Proses lanjut seperti
penumbuhan epitaksi adalah mungkin.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 11
2.4 Mesin Implantor Ion
Implantasi ion adalah proses pendadahan pada suatu bahan dengan cara
menembakkan ion pengotor ke dalam bahan tersebut. Komponen-komponen dari
mesin implantor ion terdiri dari sumber ion, sumber daya listrik tegangan tinggi,
sistem hampa, sistem pemisah berkas ion, tabung pemercepat, penyapu berkas,
dan tempat target. Secara skematik, mesin implantor ion disajikan pada Gambar
2.5.
Gambar 2.5 Skema Implantor Ion (Sujitno, 2003)
Sumber Ion merupakan komponen yang berfungsi untuk menghasilkan ion.
Sumber ion dapat berujud gas/uap ataupun padatan.
Sumber daya listrik tegangan tinggi yang diperlukan pada pengoperasian
implantor ion meliputi: tegangan tinggi 0-5 kV (mengionisasi gas-gas dopan),
tegangan tinggi 0 – 15 kV (mendorong ion keluar dari ruang ionisasi menuju tabung
pemercepat), dan tegangan tinggi 0 – 200 kV (untuk mempercepat ion dopan).
Sistem hampa merupakan peralatan yang berfungsi untuk menghampakan
sistem implantor ion. Agar ion-ion dapat mencapai sasaran tanpa mengalami
tumbukkan dengan sisa molekul gas dalam sistem implantasi ion, maka sepanjang
lintasan yang dilalui berkas ion dopan dari sistem sumber ion sampai ke sasaran
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 12
harus dalam keadaan hampa. Tingkat kehampaan yang diperlukan dalam sistem
implantasi ion adalah dalam orde 10-5 – 10-6 torr.
Tabung Akselerator berfungsi sebagai pemercepat dan sekaligus pemfokus
berkas ion. Ion yang dihasilkan oleh sumber ion akan dipercepat di dalam tabung
akselerator sebelum dicangkokkan pada sasaran. Tabung pemercepat ini terbuat
dari bahan keramik yang didalamnya berisi banyak elektrode dengan tegangan yang
semakin negatif terhadap elektrode sebelumnya. Medan listrik yang terbentuk di
antara elektrode-elektrode akan membentuk bidang ekuipotensial yang dapat
berfungsi memfokuskan selain mempercepat berkas partikel bermuatan. Potensial
pada elektrode diberikan melalui sistem pembagi tegangan yang terdiri dari
beberapa tahanan. Antara elektrode timbul beda potensial yang besarnya hampir
sama sehingga berkas ion mendapat penambahan energi yang hampir sama ketika
melalui setiap elektrode.
Sistem Pemisah Berkas Ion berfungsi sebagai alat untuk memisahkan berkas
ion menurut massanya sehingga ion-ion yang sampai target betul-betul ion yang
diinginkan. Komponen utama dari sistem pemisah berkas ion tersebut adalah
kumparan elektromagnet.
Sistem penyapu berkas ion digunakan untuk memperoleh penyinaran berkas
pada permukaan secara seragam (uniform). Sistem ini terdiri dari dua pasang
lempeng aluminium yang dipasang saling tegak lurus, agar berkas ion tersebar
merata pada permukaan target. Sepasang lempeng pertama sebagi penyapu
berkas secara vertikal dan sepasang lempeng kedua sebagai penyapu berkas secara
horisontal. Kedua pasang lempeng diberi tegangan yang dapat diubah-ubah dari
nol hingga beberapa kilo volt.
Ruang Sasaran Berkas ion dopan yang dihasilkan oleh sumber ion setelah
dipercepat dalam tabung akselerator selanjutnya ditembakkan pada bahan target
yang diimplantasi. Bahan tersebut ditempatkan pada ruang sasaran. Ruang
tersebut terdiri dari tingkap (aperture), mangkok Faraday, dan pegangan bahan
yang akan diimplantasi. Untuk mengukur arus berkas ion dopan, mangkok faraday
dihubungkan dengan alat ukur microamperemeter .
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 13
Dosis Ion Yang Diimplantasikan Dosis ion didefinisikan sebagai jumlah ion
yang sampai pada permukaan target persatuan luas (ion/cm2). Besaran ini akan
menentukan jumlah atau persentase ion yang terimplantasi. Nilai dosis ion sebagai
fungsi arus berkas ion dan lamanya proses implantasi (detik). Dalam praktiknya,
nilai dosis ion dapat diatur melalui dua cara, yaitu dengan memvariasikan besarnya
arus ion pada waktu tetap atau memvariasikan lamanya proses implantasi pada
arus berkas ion tetap. Dosis ion yang diimplantasikan memenuhi persamaan:
qeA
ItD (1)
dengan I = arus berkas ion (ampere), t = lamanya proses implantasi (detik), A =
luasan berkas (cm2), q= keadaan muatan (1, 2, 3, ...), e= muatan elektron (1,602 ×
10-19 C).
Energi ion (keV) Besarnya energi ion diperoleh dari tegangan pemercepat
yang terpasang pada tabung pemercepat. Energi kinetik berkas ion akan
menentukan kedalaman penembusan (penetration depth) juga akan menentukan
profil distribusi konsentrasi ion-ion dalam material target. Besar kecilnya energi ion
ini dapat dikontrol dengan mengatur besarnya tegangan tinggi yang terpasang.
III. METODOLOGI DAN DIAGRAM ALIR PENELITIAN
3.1 Metodologi Penelitian
Penumbuhan GaN akan dilakukan di atas substrat silikon menggunakan metode
sputtering. Sementara itu, pendadahan ion Mn pada film GaN akan dilakukan
menggunakan teknik implantasi ion.
Selanjutnya, karakterisasi struktur dan orientasi film tipis GaN dengan XRD (X-
ray diffraction). Morfologi permukaan film tipis Mn:GaN dengan analisis SEM
(scanning electron microscope). Komposisi atom dalam Mn:GaN ditentukan dengan
analisis EDX (energy dispersive X-ray spectroscope). Sifat magnetiknya diukur
menggunakan VSM (vibrating sample magnetometry). Sifat listrik (konduktivitas,
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 14
konsentrasi, dan mobilitas pembawa muaran) diukur menggunakan metode Hall-
van der Pauw.
3.2 Diagram Alir Penelitian
Diagram alir penelitian seperti diperlihatkan pada Gambar 3.1.
Gambar 3.1 Diagram alir penelitian.
Kajian tentang penelitian bahan DMS berbasis GaN
Studi proses penumbuhan film dengan metode sputtering dan implantasi ion
Penumbuhan Film GaN Implantasi ion Mn pada GaN
Karakterisasi Sifat Listrik dan Magnetik Film
Menarik simpulan
Ya
Tidak Apakah film berhasil ditumbuhkan dengan baik?
SEM/EDX/XRD
Tidak
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 15
IV. JADWAL PENELITIAN
Jadwal kegiatan penelitian seperti ditampilkan pada Tabel 4.1.
Tabel 4.1 Jadwal Kegiatan Penelitian
No. Uraian kegiatan Bulan ke-
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1. Studi literatur
2. Penumbuhan film tipis GaN dan Pendadahan oleh Mn
3. Karakterisasi komposisi atom pada film, ketebalan film, dan morfologi permukaan film (EDX dan SEM)
4. Karakterisasi sifat kekristalan film dengan metode XRD
5. Karakterisasi sifat magnet film dengan metode VSM
6. Karakterisasi sifat listrik film menggunakan metode Hall-van der Pauw
7. Seminar dan Publikasi
8. Pembuatan Laporan
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 16
V. BIAYA PENELITIAN
Biaya yang diperlukan untuk penelitian ini, secara garis besar, diuraikan dalam
Tabel 5.1.
Tabel 5.1 Uraian Pembiayaan
No. Jenis Pengeluaran Jumlah (Rp.)
1. Honorarium tim peneliti 7.500.000,00
2. Sewa peralatan penumbuhan film 5.000.000,00
3. Sewa peralatan karakterisasi film 6.750.000,00
4. Bahan habis pakai 2.700.000,00
5. Perjalanan 1.750.000,00
6. Lain-lain 1.300.000,00
J u m l a h 25.000.000,00 (dua puluh lima juta rupiah)
Uraian Rincinya sebagai berikut.
1. Honorarium Tim Peneliti
No. Tenaga Peneliti
Perincian Tugas Alokasi waktu
Honorarium /bulan
Jumlah (Rp.)
1. Aip Saripudin
- Koordinator kegiatan penelitian - Penumbuhan film tipis Mn:GaN - Pengukuran dan analisis data
SEM, EDX, XRD, - Pembuatan laporan dan
publikasi
10 bulan
300.000,00 3.000.000,00
2. Budi Mulyanti
- Analisis data - VSM, Hall-van der Pauw - Pengelolaan peralatan dan
bahan habis - Pembuatan laporan dan
publikasi
10 bulan
225.000,00 2.250.000,00
3. Yuda Muladi
- Analisis data - VSM, Hall-van der Pauw - Pengelolaan peralatan dan
bahan habis - Pembuatan laporan dan
publikasi
10 bulan
225.000,00 2.250.000,00
J u m l a h
7.500.000,00 (tujuh juta lima ratus ribu
rupiah)
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 17
2. Sewa Peralatan Penumbuhan
No. Nama Alat Penggunaan Harga satuan (Rp) Jumlah (Rp.)
1. Sputtering Aparatus
Deposisi film GaN (10 sampel)
250.000,00 2.500.000,00
2. Implantor Ion Implantasi ion Mn (10 sampel)
250.000,00 2.500.000,00
Jumlah 5.000.000,00 (lima juta rupiah)
3. Sewa Peralatan Karakterisasi
No. Jenis Alat Karakterisasi volume Biaya satuan (Rp.)
Jumlah (Rp.)
1. XRD 10 sampel 125.000,00 1.250.000,00
2. SEM+EDX 10 sampel 250.000,00 2.500.000,00
3. VSM 10 sampel 250.000,00 2.500.000,00
4. Hall-van der Pauw 10 sampel 50.000,00 500.000,00
J u m l a h 6.750.000,00 (enam juta
tujuh ratus lima puluh ribu rupiah)
4. Bahan Habis Pakai
No. Nama Bahan Penggunaan Volume Harga Satuan (Rp.)
Jumlah (Rp.)
1. Aceton pro-analysis (PA)
Bahan kimia untuk preparasi substrat
1 liter 150.000,00 150.000,00
2. Methanol PA Bahan kimia untuk preparasi substrat
1 liter 150.000,00 150.000,00
3. De-Ionized water Bahan kimia untuk preparasi substrat
5 liter 10.000,00 50.000,00
4. Substrat Si Bahan untuk penumbuhan film tipis Mn:GaN
4 buah 250.000,00 1.000.000,00
5. Pasta perak Bahan untuk karakterisasi film tipis Mn:GaN dan perekat substrat pada susceptor
1 botol 750.000,00 750.000,00
12. Indium (99,999%) Bahan untuk karakterisasi film tipis Mn:GaN
2 gram 300.000,00 600.000,00
J u m l a h
2.700.000,00 (dua juta tujuh ratus ribu
rupiah)
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 18
4. Perjalanan
No. Kota/Tempat Tujuan Jumlah peneliti
volume Biaya satuan (Rp.)
Jumlah (Rp.)
1. Bandung -Yogyakarta untuk penumbuhan film
1 1 kali PP 1.000.000,00 1.000.000,00
2. Bandung-Tangerang untuk VSM 1 1 kali PP 750.000,00 750.000,00
J u m l a h 1.750.000,00
(tiga juta tujuh ratus lima puluh ribu rupiah)
5. Lain-lain
No. Uraian volume Biaya satuan (Rp.) Jumlah (Rp.)
1. ATK (tinta printer, kertas A4, ballpoint, flashdisk)
1 set 450.000,00 450.000,00
2. Penggandaan 10 eksemplar 35.000,00 350.000,00 3. Jurnal 1 kali 500.000,- 500.000,00
J u m l ah 1.300.000,00
(satu juta tiga ratus ribu rupiah)
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 19
DAFTAR PUSTAKA
Awschalom, D.D., Loss, D., dan Samarth, N. (Eds.) (2002), Semiconductor
Spintronics and Quantum Computation, Springer-Verlag Berlin, Germany, vi.
Chien, Y.J. (2007), Transition Metal-Doped Sb2Te3 dan Bi2Te3 Diluted Magnetic
Semiconductor, Doctoral Dissertation, University of Michigan.
Dietl, T., Matsukura, F., and Ohno, H. (2000), Zener Model Description of
Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductor, Science, 287,
1019-1021.
Dietl, T. (2001), Ferromagnetic Interactions in Doped Semiconductor and Their
Nanostructure, Journal of Applied Physucs, 89, 11, 7437-7442.
Fabian, J., Abiague, A.M., Ertler, C., Stano, P., and Zutic, I. (2007), Semiconductor
Spintronics, acta physica slovaca, 57 (4 &5): p. 565-907.
Filip, A.T., Hoving, B.H., Jedema, F.J., van Wees, B.J., Dutta, B., dan Borghs,
S.(2000), Electrical spin injection and detection in a semiconductor. Is it
feasible?, cond-mat/0007307v1.
Gebicki, W., Strzeszewski, J., Kamler, G., Szczytko, T., and Podsiadlo, S., (2000),
Raman Scattering Study of Ga1-xMnxN Crystals, Applied Physics Letters, 76,
26, 3870-3872.
Hirakawa, K., Oiwa, A., Hirakawa, K., Oiwa, A., Munekata, H. (2001), Infrared
Optical Conductivity of In 1-xMnxAs, Physica E, 10, 215–218
Holmberg, H. (2008), Spin-dependent Transport in Mn Doped GaAs and GaN Diode,
Doctoral Dissertation, Helsinki University of Technology.
Jonson, M. and Silsbee, R.H. (1985), Interfacial charge-spin coupling: Injection and
detection of spin magnetization in metals, Physical Review Letter, 55(17):
p.809-810.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 20
Jedema, F.J. (2002), Electrical Spin Injection in Metallic Mesoscopic Spin Valves,
Doctoral Dissertation, Rijksuniversiteit Groningen.
Lou et. al. (2007), Electrical detection of spin transport in lateral ferromagnet-
semiconductor devices, Nature Physics, 3(3): p.197-202.
Kane, M.H., Asghar, A., Vestal, C.R., Strassburg, M., Senawiratne, J., Zhang, Z.J.,
Dietz, N., Summers, C.J., Ferguson, I.T. (2005): Magnetic and Optical
Properties of Mn:GaN Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition,
Semicondutor Sciences and Technology, 20, 1.5-1.9.
Korotkov, R.Y., Reshchikov, M.A., dan Wessels, B.W. (2003): Acceptors in Undoped
GaN Studied by Transient Photoluminescence, Physica B, 325, 1–7.
Kronik, L., Jain, M., Chelikowsky, J.R. (2002), Electronic Structure and Spin
Polarization of MnxGa1-xN, Physical Review B, 6, 0412031 – 041234 (R)
Mulyanti, Budi (2006), Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik
GaN:Mn Dengan Metode PA-MOCVD dan Karakterisasinya, Disertasi
Program Doktor, ITB.
Munekata, H., Ohno, H., Von Molnar, S., Segmuller, A., Chang, L.L., Esaki, L. (1989),
Diluted Magnetic III-V Semiconductors, Physical Review Letters, 63, 17,
1849-1852
Ohno, H. (1999), Properties of Ferromagnetic III-V Semiconductors, Journal of
Magnetism and Magnetic Materials, 200, 110-129.
Ohno, H. (1998), Making Nonmagnetic Semiconductor Ferromagnetic, Science, 281,
951-956.
Ohno, H., Matsukura, F., Oiwa, A., Endo, A., Katsumoto, S., and Iye, Y. (1996),
(Ga,Mn)As: A New Diluted Magnetic Semiconductor Based on GaAs, Applied
Physics Letters, 69, 3,363-365.
Overberg, M.E., Abernathy, C.R., Pearton, S.J., Theodoropoulou, N.A., McCarthy,
K.T., and Hebard, A.F. (2001), Indication of Ferromagnetism in Molecular
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 21
Beam Epitaxy Derrived n-type Mn:GaN, Applied Physics Letter, 79, 9, 1312-
1314.
Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Norton, D.P., Hebard, A.F., Park, Y.D., Boatner, L.A.,
dan Budai, J.D. (2003), Advances in Wide Bandgap Materials for
Semiconductor Spintronics, Materials Science and Engineering, R 40, 137–
168.
Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Thaler, G.T., Frazier, R.M., Norton, D.P., Ren, F., Park,
Y.D., Zavada, J.M., Buyanova, I.A., Chen, W.M., dan Hebard, A.F. (2004),
Wide bandgap GaN-Based Semiconductors for Spintronics, Journal of
Physics: Condense Matter, 16, R209–R245.
Polyakov, A.Y., Govorkov, A.V., Smirnov, N.B., Pashkova, N.Y., Thaler, G.T.,
Overberg, M.E., Frazier, R., Abernathy, C.R., Pearton, S.J., Kim, J., and Ren, F.
(2002), Optical and Electrical Properties of Mn:GaN Films Grown by
Molecular-Beam Epitaxy, Journal of Applied Physics, 92, 9, 313-316.
Ramsteiner, M., Hao, H.Y., Kawaharazuka, A., Zhu, H.J., Kastner, M., Hey, R.,
Daweritz, L., Grahn, H.T., dan Ploog, K.H. (2002), Electrical Spin Injection
from Ferromagnetic MnAs Metal Layers into GaAs, Physical Review B, 66,
0813041-0813044.
Reed, M.L. (2003), Growth and characterization of Room Temperature
Ferromagnetic Mn:GaN ang Mn:InGaN for Spintronic Applications, Disertasi
Doktor, North Carolina State University, 37-40, 148.
Sato, K., and Katayama-Yoshida, H. (2001), Material Design of GaN-Based
Ferromagnetic DMS’s, Japanese Journal of Applied Physics, 40, 5B, L485-
L487.
Schmidt, G., and Molenkamp, L.W. (2002), Spin Injection into Semiconductors,
physics and experiment, Semiconductor Sience and Technology, 17, 310.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 22
Sofer, Z.,Sedmidubsky,D., Stejskal, J., Hejtmanek, J., Marysko, M., Jurek, K., Vaclavu,
M., Havranek, V., dan mackova, A. (2008), Growth and characterization of
Mn:GaN layers by MOVPE, Journal of Crystal Growth, 310, 5025-5027.
Sujitno, Tjipto (2003): Aplikasi Implantor Ion Untuk Nonsemikonduktor dan
Semikonduktor, Pusat Penelitian dan Pengembangan Teknologi Maju, Batan,
Yogyakarta.
Supriyanto, Edy (2008), Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik
TiO2:Co/TiO2/TiO2:Co dan TiO2:Co/Si(100) Dengan MOCVD dan
Penerapannya Dalam Injeksi Spin Elektron, Disertasi Program Doktor, ITB.
Szczytko, T., Kamler, G., Strojeka, B., Weisbrod, G, Podsiado, S., Adamowicz, L.,
Gebicki, W., Szczytko, J., Twardowski, A., Sikorski, K. (2001), Growth of Bulk
Ga1-xMnxN Single Crystals, Journal of Crystal Growth, 233, 631-638.
www.wikipedia.org , Sputter_deposition.htm, 20 Ferbruari 2010.
Zhao, J.H., Matsukura, F., Abe, E., Chiba, D., Ohno, Y., Takamura, K., dan Ohno, H
(2002): Growth and Properties of (Ga,Mn)As on Si (1 0 0) Substrate, Journal
of Crystal Growth, 237–239, 1349–1352.
Zhu, H.J., Ramsteiner, M., Kostial, H., Wassermeier, M., Schonherr, H. P., Ploog, K.H.
(2001), Room-Temperature Spin Injection From Fe into GaAs, Physical
Review Letters, 87 , 1, 016601- 016604.
Zorpette, G. (2001), The Quest of Spin Transistor, IEEE Spectrum, USA.
Zutic, I., Fabian, J., dan Das Sarma,S., (2004), Spintronics: Fundamentals and
applications, Review of Modern Physics, Vol 76, 2004, 323-410.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 23
LAMPIRAN
DAFTAR RIWAYAT HIDUP PENELITI A. Peneliti Pertama
Nama dan Gelar Lengkap : Aip Saripudin, M.T.
Tempat/Tanggal Lahir : Cimerak-Ciamis, 16 Januari 1970
Jenis Kelamin : Laki-laki
NIP : 19700416 200501 1 001
Pangkat/Jabatan/Golongan : Penata/Lektor/IIIc
Unit Kerja : JPTE-FPTK-UPI
Alamat Rumah : Jl. Cigadung Selatan 8 Bandung 40191
Telepon: 022 251 5329/081573047097
e-mail : aipsaripudin@yahoo.com
Bidang Kepakaran : Material Elektronik
Riwayat Pendidikan :
No. Program Tahun Bidang studi / Spesialisasi Perguruan Tinggi
1. S1 1989 - 1996 Fisika ITB
2. S2 2000 - 2003 Teknik Elektro/Mikroelektronika ITB
3. S3 2008 - ... Fisika/Material Elektronik ITB
Mata Kuliah Yang Diampu:
No. Nama Mata Kuliah Jumlah SKS
1. Matematika 2
2. Kalkulus 3
3. Matematika Teknik 3
4. Analisis Numerik 2
5. Divais Gelombang Mikro 2
Pengalaman Penelitian:
1. 2007, Pemodelan dan Karakterisasi Perilaku Ponlinear Penguat Daya RF LDMOSFET, (Didanai DIPA UPI, sebagai ketua peneliti)
2. 2006, Meningkatkan Linieritas Penguat Daya Gelombang Mikro Menggunakan Predistorter Nonlinier (Didanai DIPA UPI, sebagai Anggota)
3. 2003, Predistortion Linearization of RF Power Amplifier Using DSP Method (Penelitian Pribadi)
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 24
4. 2002, Characterization of Nonlinear Behavior of GaAs HFET Microwave Power Amplifier Based on Multitone Simulation and Measurement (Penelitian Pribadi)
Daftar Publikasi:
[1] Saripudin, A., Hutabarat, M.T., and Alam, B.R., “Characterization of Nonlinear
Behavior of GaAs HFET Power Amplifier IC Based on Multitone Measurement
and Simulation”, IEEE-APCCAS, Singapore, 16-18 December 2002.
[2] Saripudin, A., Hutabarat, M.T., and Alam, B.R., “Nonlinear Characterization of
LDMOS RF Power Amplifier Under Multitone Excitation”, accepted on Asia-
Pacific Microwave Conference 2003, Soul, South Korea.
[3] Saripudin, A., Hutabarat, M.T., and Alam, B.R., ”Predistortion Linearization of
RF Power Amplifier Using Digital Signal Processing (DSP) Method”, accepted
on Asia-Pacific Microwave Conference 2003, Soul, South Korea.
[4] Saripudin A., Kajian Distorsi Intermodulasi pada Penguat Daya RF LDMOS,
Seminar Nasional Pendidikan Teknik Elektro 2005, Universitas Negeri
Yogyakarta, 3 September 2005
Daftar Seminar dan Konferensi yang diikuti:
1. Seminar Manajemen Inovasi dan Kewirausahaan “Membangun Wirausaha Generasi Baru di Era Ekonomi Pengetahuan”, Institut Teknologi Bandung, 10 Nopember 2001.
2. The 2002 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems, Hilton International Hotel, Singapore, 16 – 18 December 2002.
3. Workshop in Integrated Circuit Design Technology “Building an IC Design Competency in Information Technology Era”, Institut Teknologi Bandung, 26 Juli 2005.
4. Seminar Nasional Pendidikan Teknik Elektro 2005 “Pengembangan Sertifikasi Kompetensi Teknik Elektro Untuk Meningkatkan Daya Saing Sumber Daya Manusia Indonesia Menyongsong Pasar Global AFLA”, Universitas Negeri Yogyakarta, 3 September 2005
5. Seminar dan Lokakarya Nasional dalam rangka Dies Natalis UPI ke-51 “Standar Pendidik Bidang Pendidikan Teknologi dan Kejuruan Menurut PP. Nomor 19/2005 (Kualifikasi, Kompetensi, dan Sertifikasi)”, Universitas Pendidikan Indonesia, 21 – 22 Desember 2005.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 25
6. Pendidikan dan Pelatihan Pedagogik Bagi Dosen Muda Universitas Pendidikan Indonesia, Universitas Pendidikan Indonesia, 26 – 31 Desember 2005.
Bandung, 24 Februari 2010
Aip Saripudin, M.T.
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 26
B. Peneliti Kedua
Nama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si.
Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 9 Januari 1963
Jenis Kelamin : Perempuan
NIP : 19630109 199402 2 001
Pangkat/Jabatan/Golongan : Pembina/Lektor Kepala/IVa
Unit Kerja : JPTE-FPTK-UPI
Alamat Rumah : Jl. Ligar Permai 33 Bandung 40191
Tlp.: 022 251 4968/081321348444
E-mail : b_mulyanti@yahoo.com
Bidang Kepakaran : Fisika Material Elektronik
Riwayat Pendidikan :
No. Program Tahun Lulus Bidang studi / Spesialisasi Perguruan Tinggi
1. S1 1987 Fisika ITB
2. S2 1997 Fisika/ Material Elektronik ITB
3. S3 2006 Fisika/ Material Elektronik ITB
Mata Kuliah Yang Diampu:
No. Nama Mata Kuliah Jumlah SKS
1. Fisika Dasar 1 3
2. Fisika Dasar 2 3
3. Fisika Material Elektronik 2
4. Divais Gelombang Mikro 2
5. Medan Elektromagnetik 1 2
6. Medan Elektromagnetik 2 2
Pengalaman Penelitian:
1. Penumbuhan Material GaN:Mn dan Struktur hetero GaN/GaN:Mn di atas Substrat Silikon dengan Metode PA-MOCVD Untuk Aplikasi Divais MTJ, 2008-2009
2. Study of Mn Incorporation into GaN:Mn Magnetic Semiconductor Thin Films Prepared by Plasma Assisted MOCVD, 2005
3. Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn dengan Metode PA-MOCVD dan Karakterisasinya, 2006
4. Penumbuhan Struktur Hetero AlxGa1-xN/GaN dan Aplikasinya untuk Heterostructure Field Effect Transistors (HFETs), 2004-2007
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 27
5. Simulasi Aliran Fluida Dengan Finite Element Method Laboratory (Femlab), 2005
6. Simulasi Medan Listrik dengan FEMLAB untuk Meningkatkan Efektivitas Pembelajaran, 2007
Daftar Publikasi:
1. Budi Mulyanti, D.Rusdiana, dan P. Arifin, Studi Penumbuhan Material DMS GaN:Mn dan Struktur GaN/ GaN:Mn Di Atas Substrat Silikon Dengan Metode PA-MOCVD Untuk Aplikasi Divais MTJ (2008), Jurnal Sains Materi Indonesia, Edisi Khusus November 2008
2. Budi Mulyanti, A. Subagio, F.S. Arsyad, P. Arifin, M. Barmawi, Irzaman, Z. Jamal and U. Hashim (2008): Effect of Growth Temperature and Mn Incorporation on GaN:Mn Thin Films Grown by Plasma-Assisted MOCVD, ITB Journal of Science, Vol 40A, No.2, 97-108
3. Budi Mulyanti, A. Subagio, H. Sutanto, P.Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi, (2006): Study of Mn Incorporation Into GaN:Mn Magnetic Semiconductor Thin Films Prepared by Plasma Assisted MOCVD, Proc of 2006 ICONN
4. Budi Mulyanti, A. Subagio, E. Supriyanto, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, Mujamilah, dan M. Barmawi (2006): N-type Conductivity in Wurtzite Mn-doped GaN Thin Films Grown by Plasma Assisted MOCVD, Journal of Mathematics and Science
5. Budi Mulyanti, Mujamilah, A. Subagio, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, Sukirno, dan M. Barmawi (2006): Sifat Struktur dan Sifat Magnetik Film Tipis GaN:Mn yang ditumbuhkan dengan Plasma Assisted MOCVD, Jurnal Sains Materi Indonesia, Edisi Khusus Oktober 2006
6. Heri Sutanto, A.Subagio, Budi Mulyanti, E Supriyanto, P.Arifin, Sukirno, M.Budiman, dan M.Barmawi (2006): Pengaruh Fraksi Molar Al terhadap Morfologi Permukaan Film Tipis AlGaN yang Ditumbuhkan dengan PA-MOCVD, Jurnal MIPA, Vol.29, No.1, 57-62 (ISSN 0215-9945)
7. Budi Mulyanti, A. Subagio, H. Sutanto, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, dan M.Barmawi (2005): Effect of V/III Ratio on Mn Incorporation into GaN:Mn Thin Films Deposited by Plasma Assisted MOCVD, Proc. of The 8th International Conference on Quality in Research (QIR), MM11-09
8. Budi Mulyanti, A. Subagio, H. Sutanto, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi (2005): Temperature Dependence of Mn Incorporation into GaN:Mn Deposited Using Plasma Assisted MOCVD, Proc. of Asian Physics Symposium, 73-77
9. Fitri Suryani, B. Mulyanti, A. Supu, P. Arifin, M. Budiman, dan M.Barmawi (2005) The Dependence of Probability Distribution of Electron and Hole Fermi-Dirac Function on Size Fluctuation of GaN Quantum Dot Laser, Proc. of The 8th International Conference on Quality in Research (QIR), OL2-03
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 28
10. H. Sutanto, A. Subagio, Budi Mulyanti, F. S. Arsyad, P.Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi (2005): Influence of the Al Concentration on Electrical Properties of AlGaN Thin Films Grown on Si (111) Substrate by PA MOCVD, Proc. of Asian Physics Symposium (APS), 204-207
11. H. Sutanto, A. Subagio, B. Mulyanti, E. Supriyanto, P. Arifin, Sukirno, M. Budiman, M. Barmawi, “Pengaruh Lama Penumbuhan Lapisan Penyangga AIN Terhadap Sifat Listrik Galium Nitrida Yang Ditumbuhkan di atas Substrat Si(111) Dengan PA-MOCVD”, Kentingan Physics Forum, 24 September 2005, Solo, Indonesia.
12. Fitri S. Arsyad, Budi Mulyanti, H. Sutanto, A. Subagio, H. Saragih, E. Supriyanto, P. Arifin, dan M. Barmawi ((2005): Study of Crystal Structure and Surface Morphology of AlGaN Thin Film Deposited by PA MOCVD, Proc. of Asian Physics Symposium (APS), 438-441
13. Budi Mulyanti, Fitri S. Arsyad, M. Barmawi, Sri Jatno, P.Arifin, and M. Budiman (2004): Effect of Growth Parameters on Deposition Rate of Ga1-x MnxN Thin Films Deposited Using Vertical Axisymmetric MOCVD Reactor, Prosiding Seminar MIPA IV , 41-44
14. Budi Mulyanti, F. S. Arsyad, P.Arifin, M. Budiman, M.Barmawi, dan Sri Jatno W (2004): Depedence of Ga1-x Mnx Thin Films Growth on Substrate Temperature in Vertical MOCVD Reactor by Numerical Simulation, Indonesian Journal of Physics, 15, 3, 59-63
15. Fitri S. Arsyad, B. Mulyanti, M. Budiman, Sri Jatno, P. Arifin, dan M. Barmawi (2004): Pengaruh Geometri QD Kerucut Terhadap Probabilitas Distribusi Energi Transisi Optik, Prosiding Seminar MIPA IV, 206-208
16. Budi Mulyanti, F.S. Arsyad, Soegianto S, M. Barmawi, dan Sri Jatno (2002): Simulasi Numerik Reaktor MOCVD Dengan Menggunakan FEMLAB, Kontribusi Fisika Indonesia, 13,2, 1-6
Daftar Seminar dan Konferensi yang diikuti:
1. Penyaji pada Pertemuan Ilmiah IPTEK Bahan 2008, PUSPIPTEK, Serpong, November 2008
2. Pembicara pada The Annual Physics Seminar, Bandung, 2007 3. Penyaji pada Pertemuan Ilmiah IPTEK Bahan 2006, PUSPIPTEK, Serpong,
Oktober 2006 4. Pembicara pada Seminar Hasil Penelitian Tingkat UPI, 2006 5. Pembicara pada Asian Physics Symposium, Bandung, 2005 6. Presenter pada The Annual Physics Seminar, Bandung, 2004 7. Pembicara pada Seminar MIPA ITB, Bandung, 2004 8. Pembicara pada The Annual Physics Seminar, Bandung, 2003
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 29
Pengalaman Pengabdian
No. Nama Kegiatan, Tempat, Tahun Sumber Dana
1. Penyuluhan Ketrampilan Elektronika Digital Bagi Pemuda dan Karang Taruna di Kelurahan Sarijadi Kecamatan Sukasari, Kota Bandung, 2002
UPI
2. Penyuluhan Ketrampilan Elektronika Digital Bagi Pemuda dan Karang Taruna di Desa Lebakwangi, Kecamatan Arjasari, Kabupaten Bandung, 2004
UPI
Bandung, 24 Februari 2010
Dr. Budi Mulyanti, M.Si. NIP. 19630109 199402 2 001
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 30
C. Peneliti Ketiga
Nama dan Gelar Lengkap : Yuda Muladi, Drs., S.T., M.Pd.
Tempat/Tanggal Lahir : Yogyakarta, 09 Januari 1951
Jenis Kelamin : Laki-laki
NIP : 19510109 198003 1 002
Pangkat/Jabatan/Golongan : Pembina Tk. I/Lektor Kepala/IVb
Unit Kerja : JPTE-FPTK-UPI
Alamat Rumah : Jl. Perumnas Blok 21 No. 5 Gg. Hidayah 1 Cimahi
Telepon: 022 6041003
e-mail : yuda.muladi@gmail.com
Bidang Kepakaran : Elektronika Komunikasi
Riwayat Pendidikan :
No. Program Tahun Lulus Bidang studi / Spesialisasi Perguruan Tinggi
1. D3 1975 Teknik Elektro IKIP Bandung
2. S1 1979 Elektronika Komunikasi IKIP Bandung
3. S2 1987 Fisika IKIP Jakarta
4. S1 2000 Teknik Elektronika Komunikasi UNJANI Cimahi
Mata Kuliah Yang Diampu:
No. Nama Mata Kuliah Jumlah SKS
1. Elektronika Komunikasi 3
2. Elektronika Digital 3
3. Sistem Kontrol Elektronika 3
4. Sistem Telemetri 3
5. Sistem Komunikasi Analog 3
6. Saluran Transmisi 3
Pengalaman Penelitian:
1. 2007, Rancang Bangun Trainer Mikrokontroler Sebagai Media Interaktif Untuk Meningkatkan Proses Belajar Mengajar di SMK (Dirjen Diknas, sebagai anggota)
2. 2005, Perancangan Pembuatan Antena (Wireless) Sebagai Optimasi Akses Internet di Jurusan Pendidikan Teknik Elektro FPTK UPI (Dirjen Diknas, sebagai ketua)
Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 31
Daftar Seminar dan Konferensi yang diikuti:
1. 2006, Seminar Nasional Pendidikan Teknologi dan Kejuruan, FPTK UPI Bandung
2. 2006, The 2nd UPI-UPSI Joint International Conference, UPI Bandung 3. 2005, Seminar dan Lokakarya nasional, UPI Bandung 4. 2004, Seminar dalam Rangka Dies Natalis UPI ke-50, UPI Bandung
Pengalaman Pengabdian
No. Nama Kegiatan, Tempat, Tahun Sumber Dana
1. Penyuluhan dan Pemanfaatan Tenaga Listrik di Desa Mangun Arga Kecamatan Cikeruh Kabupaten Subang, 1987
UPI
2. Penyuluhan Tentang Perbaikan dan Pemeliharaan Peralatan Elektronika bagi Pemuda di Kelurahan Isola Kecamatan Sukasari Kota Bandung, 1998
UPI
Bandung, 24 Februari 2010
Yuda Muladi, Drs., S.T., M.Pd. NIP. 19510109 198003 1 002
top related