word 07 arkom memory 2
TRANSCRIPT
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
1/7
1
MEMORI
4.3 READ-ONLY MEMORY
Sering kali (dan juga data) dapat disimpan secara permanendi dalam read-only memory
(ROM). ROM merupakan memory nonvolatile, program dan data di dalamnya tidak
berubah walaupun terdapat kesalahan operasi maupun ketika catu daya hilang
(padam). Kenyataannya komputer memerlukan beberapa jenis ROM untuk menyimpan
program yang memulai (starts up) sistem ketika catu daya dihidupkan. Perangkat lunak
yang disimpan secara permanen di dalam ROM dikenal dengan firmware.
Divais ROM melibatkan organisasi byte-wide, juga memiliki kesamaan dalam standart
pengemasan dan pinout dengan SRAM byte-wide. Tipe ROM dikelompokkan menjadi:
1. Nonprogrammable read-only memory (ROM)
2. Programmable, nonerasable, read-only memory (PROM)
3. Programmable, ultraviolet erasable, read-only memory (UV EPROM)
4. Programmable, electrically erasable, read-only memory (EEPROM)
ROM tidak dapat diprogram oleh pemakai, tetapi pabrik semikonduktor melakukan
wires in isi yang ditentukan oleh user. PROM memungkinkan user memprogram
sesuai dengan keinginan setelah membeli PROM. Memori nonerasablehanya dapat
diprogram oleh pemakai hanya satu kali, tetapi meori erasable dapat dihapus dan
diprogram kembali bila diperlukan. UV EPROM dan EEPROM berbeda dalam cara
pengapusannya.
4.3.1 ROM
Antarmuka eksternal dan read cycle timing ROM sama dengan RAM byte-wideyang
diraikan di muka. ROM tersedia dalam kemasan 24-pin atau 28-pin (tergantung pada
jalur alamat yang diperlukan dan kapasitasnya). Biasanya, kapasitas yang lebih tinggi
mempertahankan (pada tingkat tertentu) kompatibvilitas pinoutdengan kapasitas yang
lebih rendah.
Karena lebih sederhana, ROM memiliki kepadatan bit yang lebih tinggi dibandingkan
denganmemori yang lain. Akibatnya, biaya per bit-nya lebih rendah bila dibandingkan
dengan RAM dan EPROM.
4.3.2 PROM
PROM bersifat dapat diprogram tetapi tidak dapat dihapus. PROM terdiri dari barisan
sel yang saling terhubung dengan fusible link (sekering). Sekekring dapat diputus
atau dihubung singkat (tergantung dari tipe sekering), untuk menyimpan data yang
diinginkan secara permanen.
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
2/7
2
PROM penggunaan utamanya untuk menyimpan microcode dalam perancangan
menggunakan microprogram. Biasanya aplikasi seperti ini membutuhkan kecepatan
tinggi, oleh sebab itu PROM dibuat menggunakan teknologi Bipolar. Akibatnya
kumsumsi dayanya lebih tinggi dan kapasitasnya lebih rendah bila dibandingkan
dengan ROM yang berbasis pada teknologi MOS.
Antarmuka eksternal dan pewaktuan PROM sama dengan ROM. Kerugian PROM
adalah tidak dapat diprogram kembali.
4.3.3 UV EPROM
Pada ROM dan PROM, mekanisme penyimpanan berbasis pada perubahan
rangkaian permanen. Tetapi EPROM memiliki mekanisme yang berbeda, informasi
disimpan dengan cara trapping chargepada barisan sel. Sel dibentuk dengan foating
gate.
Informasi yang disimpan di dalam sel dapat dihapus dengan mengosongkan(discharging) floating gate. Oleh sebab itu, EPROM dapat dihapus dan selanjutnya
diprogram kembali beberapa kali sampai jumlah yang tak terbatas.
UV EPROM terhapus bila disinari dengan sinar ultraviolet (UV). Untuk keperluan ini
bagian atas kemasannya dilengkapi dengan jendela quartz yang transparan terhadap
sinar UV yang memungkinkan seluruh barisan sel dapat disinari.
Antarmuka Eksternal dan Timing
Gambar 4.8 jalur antarmuka eksternal untuk UV EPROM. Dibandingkan dengan SRAM
byte-wide Gambar 4.7 terdapat beberapa perbedaan: Tidak memiliki jalur write enable (WE*)
Terdapat Jalusr Vpp untuk keperluan pemrograman
Jalur CE* sam dengan SRAM
Secara umum pabrik menjaga kompatibilitas pin antara UV EPROM dan ROM. Hal ini
memungkinkan untuk soket UV EPROM (prototipe rangkaian) dapat diganti dengan
ROM pada saat produksi.
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
3/7
3
Gambar 4.8 Antarmuka eksternal UV EPROM
4.4 DETEKSI KESALAHAN
Pada umumnya sistem komputer dilengkapi dengan pendeteksi kesalahan (dan
pengoreksi kesalahan). Pengguaan deteksi kesalahan memilik beberapa alasan:
Kemungkinan terjadinya kesalahan sangat sering, terutama pada DRAM
Akibat kesalahan dapat sangat serius
Sebagai contoh terdapat salah satu bit yang terbalik pada bagian opcode suatu
instruksi. Hal ini akan merubah instrksi yang asli menjadi instrusi yang lain, ketika
dieksekusi oleh CPU akan menyebabkan operasi yang tidak dikehendaki. Jika instruksi
asli diubah menjadi instruksi jump, maka CPU akan mmulai mengeksekusi bagian
program yang lain. Kejadian ini disebut dengan system crash. Situasi seperti ini tidak
dapat diterima pada kebanyakan aplikasi.
4.4.1 Tipe Kesalahan dan Penyebabnya
Tipe kesalahan dapat digolongkan menjadi hard error dan soft error. Hard error
menunjukkan kerusakan permanen akibat kerusakan fisik, sebagai contoh hubung
singkat di dalam chip memori akan mengakibatkan bit data menjadi 1 atau 0 secara
permanen. Kesalahan ini hanay dapat diperbaiki dengan mengganti chip dengan yang
baru.
Soft error tidak berkaitan dengan kerusakan perangkat keras, kesalahan ini bersifat
random dan tidak dapat diprediksi. Sebagai contoh, kesalahan ini ini dapat disebabkan
oleh noise karena tata letak PCB yang tidak baik, tegangan atau temperatur yang
berlebihan, dan sebagainya. Penyebab utama soft error pada DRAM adalah partikel
alfa. Partikel alfa diemisikan bahan radio aktif yang terdapat pada kemasan yang
membungkus chip. Seperti uraian DRAM di muka bahwa mekanisme sel pada dRAM
berbasis pada kapasitor kecil. Partikel alfa menyebabkan ionsasi sehingga
Vss Vcc
GNDProgrammingvoltage
+5 V
Address
A0..AN
O0..O7
Data
Chip selectCE*
Output enableOE*
Vpp
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
4/7
4
menetralkan bagian pengisian pada sel kapasitor, sehingga bit di dalam sel dapat
terbalik nilainya.
Industri chip menggambarkan failure rate dari divais yang diproduksi berkaitan dengan
persentase probabilitas suatu divais akan rusak pada interval waktu 1000 jam. Sebagai
contoh, DRAM 64K X 1 memiliki data failure rate 0.12%/1000 jam. Berarti pada operasi
1000 jam probabilitas divais akan gagal/rusak adalah 0.0012.
Alternatif lain mengekspresikan kerusakan adalah dalam FITs (failure in time). Satu
FITs menunjukan satu kerusakan pada interval waktu 109 jam. Sebagai contoh, falure
rate 0.12%/100 jam ekivalen dengan 0.0012 x 106 = 1200 FITs.
Failure rate adalah aditif, sehingga failure rate untuk DRAM 64K x 16 menjadi 1200 x
16 = 19200 FITs. Pada Tabel 4.1 ditunjukkan tabel failure untuk beberapa komponen
yang umum.
Tabel 4.1 Failure rate beberapa komponen umum
Tipe KomponenTypical Failure Rate
(FITs)
Resistor 1
Diode 1
SSI 10
Kapasitor keramic 10
Kapasitor tantalum 20
MSI 50
Papan rangkaiantercetak
500
DRAM 64K x 1 1200
Seuai dengan sifat aditif suatu error, apabila dalam suatu sistem melibatkan
beberapa jenis komponen, maka error merupakan penjumlahan error semua
komponen yang terlibat.
Contoh 4-2
Prosesor 16 bit memiliki kapasitas memori 512 KB diimplementasikan
menggunakan DAM 64K x 1 pada satu PCB. Selain chip memori terdapat
komponen lain yaitu: 11 MSI dan 25 SSI. Hitung failure rate dengan
mengasumsikan terdapat 10 resistor, 100 kapasitor keramik, dan 4 kapasitor
tantalum. Gunakan asumsi failure rate Tabel 4.2.
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
5/7
5
Penyelesaian:
Untuk mempermudah, cara perhitugan error disajikan pada Tabel 4.2 berikut.
Tabel 4.2 Hasil perhitungan Failure rate Contoh 4.2
Tipe Komponen JumlahTotal Failure RateSetiap Komponen
16 DRAM /bank, total 4 bank 64 64 * 1200 76800
MSI 11 11 * 50 550
SSI 25 25 * 10 250
Resistor 1 10 * 1 10
Kapasitor keramik 100 100 * 10 1000
PCB 1 1 * 500 500
Total Failue Rate (Sistem) 79110
4.4.2 Teknik Paritas
Prinsip umum deteksi kesalahan adalah sebagai berikut:
1. Menambah informasi bit ekstra (redundance bit) sebelum ditulis ke memori
2. Redundance bit digunakan untuk deteksi kesalahan ketika data word dibaca dari
memori
3. Jumlah bit yang dapat dideteksi (dan dikoreksi) tergantung pada jumlah redundance
bitpada setiap word.
Pada teknik paritas (parity technique) hanya memerlukan tambahan satu bit--yangdisebut bit paritas--pada data word. Bit paritas dapat bernilai 1 atau 0 tergantung
pada:
1. Jumlah angka 1 di dalam data word
2. Pola paritas yang digunakan
Pada pola paritas genap (even parity) memerlukan total jumlah angka 1 (termasuk bit
paritas sendiri) genap. Dengan demikian, jika data word memiliki jumlah angka satu
genap, bit paritas bernilai 0. Jika data word memiliki jumlah angka satu ganjil, bit paritas
bernilai 1. Pada pola paritas ganjil (odd parity) memerlukan total jumlah angka 1
ganjil. Contoh penerapan pola bit paristas untuk data word satu byte ditunjukkan padaTabel 4.3.
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
6/7
6
Tabel 4.3 Contoh pembangkitan bit paritas pada data word satu byte
Pola Parity Data BitsJumlah Angka 1
Dalam DataBit Paritas
genap 1010 0011 4 0genap 0010 1100 3 1
ganjil 1011 1010 5 0
ganjil 1000 1000 2 1
Urutan penyimpanan data word ke memori dan pembacaannya berkaitan dengan
penggunaan bit paritas adalah sebagai berikut:
1. Sebelum menulis data word ke memori, parity genetor membangkitkan paritas
sesuai dengan pola yamg digunakan
2. Bit paritas yang dibangkitkan disimpan di memori bersama data word
3. Ketika data word dibaca dari memori, parity cheker menentukan kembali bit
paritasnya
4. Bit paritas yang dihasilkan parity checkerdibandingkan dengan bit paritas yang asli,
bila berbeda berarti terjadi error.
-
7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2
7/7
7
Cara di atas memiliki beberapa keterbatasan:
Hanya dapat mendeteksi kesalahan tunggal
Dapat mendeteksi kesalahan lebih dari satu bit, apabila jumlah bit yang salah ganjil
Kesalahan ganda dan (kelipatannya yang menghasilkan genap) tidak dapat
dideteksi
Walaupun demikian, teknik paritas ini banyak digunakan, karena kesalahan yang paling
banyak terjadi adalah kesalahan tunggal. Kesalahan ganda, 50 sampai 100 kali jarang
terjadi. Bila data word terdiri dari dua byte atau lebih, kemampuan deteksi kesalahan
dapat ditingkatkan dengan menggunakan satu bit paritas pada setiap byte-nya.
Komponen untuk membangkitkan bit paritas sebelum menulis ke memori, dan
memeriksa setelah membaca dari memori, tersedia dalam chip 14-pin yang disebut
dengan parity generator/checker. Contoh komponen tersebut adalah 74280. Pada
Gambar 4.9 ditunjukan fungsi komponen tersebut sebagai parity generatordan parity
cheker.
Gambar 4.9 Aplikasi Chip 74280 sebagai parity generatordan parity checker
MemoryData
SourceData
Source
Paritygenerator
Odd/evencontrol
P1-P8
P9
Paritygenerator
Parityoutput
Parityoutput
P1-P8
P9
88
8 8