word 07 arkom memory 2

Upload: arif-muttaqin

Post on 03-Apr-2018

222 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    1/7

    1

    MEMORI

    4.3 READ-ONLY MEMORY

    Sering kali (dan juga data) dapat disimpan secara permanendi dalam read-only memory

    (ROM). ROM merupakan memory nonvolatile, program dan data di dalamnya tidak

    berubah walaupun terdapat kesalahan operasi maupun ketika catu daya hilang

    (padam). Kenyataannya komputer memerlukan beberapa jenis ROM untuk menyimpan

    program yang memulai (starts up) sistem ketika catu daya dihidupkan. Perangkat lunak

    yang disimpan secara permanen di dalam ROM dikenal dengan firmware.

    Divais ROM melibatkan organisasi byte-wide, juga memiliki kesamaan dalam standart

    pengemasan dan pinout dengan SRAM byte-wide. Tipe ROM dikelompokkan menjadi:

    1. Nonprogrammable read-only memory (ROM)

    2. Programmable, nonerasable, read-only memory (PROM)

    3. Programmable, ultraviolet erasable, read-only memory (UV EPROM)

    4. Programmable, electrically erasable, read-only memory (EEPROM)

    ROM tidak dapat diprogram oleh pemakai, tetapi pabrik semikonduktor melakukan

    wires in isi yang ditentukan oleh user. PROM memungkinkan user memprogram

    sesuai dengan keinginan setelah membeli PROM. Memori nonerasablehanya dapat

    diprogram oleh pemakai hanya satu kali, tetapi meori erasable dapat dihapus dan

    diprogram kembali bila diperlukan. UV EPROM dan EEPROM berbeda dalam cara

    pengapusannya.

    4.3.1 ROM

    Antarmuka eksternal dan read cycle timing ROM sama dengan RAM byte-wideyang

    diraikan di muka. ROM tersedia dalam kemasan 24-pin atau 28-pin (tergantung pada

    jalur alamat yang diperlukan dan kapasitasnya). Biasanya, kapasitas yang lebih tinggi

    mempertahankan (pada tingkat tertentu) kompatibvilitas pinoutdengan kapasitas yang

    lebih rendah.

    Karena lebih sederhana, ROM memiliki kepadatan bit yang lebih tinggi dibandingkan

    denganmemori yang lain. Akibatnya, biaya per bit-nya lebih rendah bila dibandingkan

    dengan RAM dan EPROM.

    4.3.2 PROM

    PROM bersifat dapat diprogram tetapi tidak dapat dihapus. PROM terdiri dari barisan

    sel yang saling terhubung dengan fusible link (sekering). Sekekring dapat diputus

    atau dihubung singkat (tergantung dari tipe sekering), untuk menyimpan data yang

    diinginkan secara permanen.

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    2/7

    2

    PROM penggunaan utamanya untuk menyimpan microcode dalam perancangan

    menggunakan microprogram. Biasanya aplikasi seperti ini membutuhkan kecepatan

    tinggi, oleh sebab itu PROM dibuat menggunakan teknologi Bipolar. Akibatnya

    kumsumsi dayanya lebih tinggi dan kapasitasnya lebih rendah bila dibandingkan

    dengan ROM yang berbasis pada teknologi MOS.

    Antarmuka eksternal dan pewaktuan PROM sama dengan ROM. Kerugian PROM

    adalah tidak dapat diprogram kembali.

    4.3.3 UV EPROM

    Pada ROM dan PROM, mekanisme penyimpanan berbasis pada perubahan

    rangkaian permanen. Tetapi EPROM memiliki mekanisme yang berbeda, informasi

    disimpan dengan cara trapping chargepada barisan sel. Sel dibentuk dengan foating

    gate.

    Informasi yang disimpan di dalam sel dapat dihapus dengan mengosongkan(discharging) floating gate. Oleh sebab itu, EPROM dapat dihapus dan selanjutnya

    diprogram kembali beberapa kali sampai jumlah yang tak terbatas.

    UV EPROM terhapus bila disinari dengan sinar ultraviolet (UV). Untuk keperluan ini

    bagian atas kemasannya dilengkapi dengan jendela quartz yang transparan terhadap

    sinar UV yang memungkinkan seluruh barisan sel dapat disinari.

    Antarmuka Eksternal dan Timing

    Gambar 4.8 jalur antarmuka eksternal untuk UV EPROM. Dibandingkan dengan SRAM

    byte-wide Gambar 4.7 terdapat beberapa perbedaan: Tidak memiliki jalur write enable (WE*)

    Terdapat Jalusr Vpp untuk keperluan pemrograman

    Jalur CE* sam dengan SRAM

    Secara umum pabrik menjaga kompatibilitas pin antara UV EPROM dan ROM. Hal ini

    memungkinkan untuk soket UV EPROM (prototipe rangkaian) dapat diganti dengan

    ROM pada saat produksi.

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    3/7

    3

    Gambar 4.8 Antarmuka eksternal UV EPROM

    4.4 DETEKSI KESALAHAN

    Pada umumnya sistem komputer dilengkapi dengan pendeteksi kesalahan (dan

    pengoreksi kesalahan). Pengguaan deteksi kesalahan memilik beberapa alasan:

    Kemungkinan terjadinya kesalahan sangat sering, terutama pada DRAM

    Akibat kesalahan dapat sangat serius

    Sebagai contoh terdapat salah satu bit yang terbalik pada bagian opcode suatu

    instruksi. Hal ini akan merubah instrksi yang asli menjadi instrusi yang lain, ketika

    dieksekusi oleh CPU akan menyebabkan operasi yang tidak dikehendaki. Jika instruksi

    asli diubah menjadi instruksi jump, maka CPU akan mmulai mengeksekusi bagian

    program yang lain. Kejadian ini disebut dengan system crash. Situasi seperti ini tidak

    dapat diterima pada kebanyakan aplikasi.

    4.4.1 Tipe Kesalahan dan Penyebabnya

    Tipe kesalahan dapat digolongkan menjadi hard error dan soft error. Hard error

    menunjukkan kerusakan permanen akibat kerusakan fisik, sebagai contoh hubung

    singkat di dalam chip memori akan mengakibatkan bit data menjadi 1 atau 0 secara

    permanen. Kesalahan ini hanay dapat diperbaiki dengan mengganti chip dengan yang

    baru.

    Soft error tidak berkaitan dengan kerusakan perangkat keras, kesalahan ini bersifat

    random dan tidak dapat diprediksi. Sebagai contoh, kesalahan ini ini dapat disebabkan

    oleh noise karena tata letak PCB yang tidak baik, tegangan atau temperatur yang

    berlebihan, dan sebagainya. Penyebab utama soft error pada DRAM adalah partikel

    alfa. Partikel alfa diemisikan bahan radio aktif yang terdapat pada kemasan yang

    membungkus chip. Seperti uraian DRAM di muka bahwa mekanisme sel pada dRAM

    berbasis pada kapasitor kecil. Partikel alfa menyebabkan ionsasi sehingga

    Vss Vcc

    GNDProgrammingvoltage

    +5 V

    Address

    A0..AN

    O0..O7

    Data

    Chip selectCE*

    Output enableOE*

    Vpp

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    4/7

    4

    menetralkan bagian pengisian pada sel kapasitor, sehingga bit di dalam sel dapat

    terbalik nilainya.

    Industri chip menggambarkan failure rate dari divais yang diproduksi berkaitan dengan

    persentase probabilitas suatu divais akan rusak pada interval waktu 1000 jam. Sebagai

    contoh, DRAM 64K X 1 memiliki data failure rate 0.12%/1000 jam. Berarti pada operasi

    1000 jam probabilitas divais akan gagal/rusak adalah 0.0012.

    Alternatif lain mengekspresikan kerusakan adalah dalam FITs (failure in time). Satu

    FITs menunjukan satu kerusakan pada interval waktu 109 jam. Sebagai contoh, falure

    rate 0.12%/100 jam ekivalen dengan 0.0012 x 106 = 1200 FITs.

    Failure rate adalah aditif, sehingga failure rate untuk DRAM 64K x 16 menjadi 1200 x

    16 = 19200 FITs. Pada Tabel 4.1 ditunjukkan tabel failure untuk beberapa komponen

    yang umum.

    Tabel 4.1 Failure rate beberapa komponen umum

    Tipe KomponenTypical Failure Rate

    (FITs)

    Resistor 1

    Diode 1

    SSI 10

    Kapasitor keramic 10

    Kapasitor tantalum 20

    MSI 50

    Papan rangkaiantercetak

    500

    DRAM 64K x 1 1200

    Seuai dengan sifat aditif suatu error, apabila dalam suatu sistem melibatkan

    beberapa jenis komponen, maka error merupakan penjumlahan error semua

    komponen yang terlibat.

    Contoh 4-2

    Prosesor 16 bit memiliki kapasitas memori 512 KB diimplementasikan

    menggunakan DAM 64K x 1 pada satu PCB. Selain chip memori terdapat

    komponen lain yaitu: 11 MSI dan 25 SSI. Hitung failure rate dengan

    mengasumsikan terdapat 10 resistor, 100 kapasitor keramik, dan 4 kapasitor

    tantalum. Gunakan asumsi failure rate Tabel 4.2.

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    5/7

    5

    Penyelesaian:

    Untuk mempermudah, cara perhitugan error disajikan pada Tabel 4.2 berikut.

    Tabel 4.2 Hasil perhitungan Failure rate Contoh 4.2

    Tipe Komponen JumlahTotal Failure RateSetiap Komponen

    16 DRAM /bank, total 4 bank 64 64 * 1200 76800

    MSI 11 11 * 50 550

    SSI 25 25 * 10 250

    Resistor 1 10 * 1 10

    Kapasitor keramik 100 100 * 10 1000

    PCB 1 1 * 500 500

    Total Failue Rate (Sistem) 79110

    4.4.2 Teknik Paritas

    Prinsip umum deteksi kesalahan adalah sebagai berikut:

    1. Menambah informasi bit ekstra (redundance bit) sebelum ditulis ke memori

    2. Redundance bit digunakan untuk deteksi kesalahan ketika data word dibaca dari

    memori

    3. Jumlah bit yang dapat dideteksi (dan dikoreksi) tergantung pada jumlah redundance

    bitpada setiap word.

    Pada teknik paritas (parity technique) hanya memerlukan tambahan satu bit--yangdisebut bit paritas--pada data word. Bit paritas dapat bernilai 1 atau 0 tergantung

    pada:

    1. Jumlah angka 1 di dalam data word

    2. Pola paritas yang digunakan

    Pada pola paritas genap (even parity) memerlukan total jumlah angka 1 (termasuk bit

    paritas sendiri) genap. Dengan demikian, jika data word memiliki jumlah angka satu

    genap, bit paritas bernilai 0. Jika data word memiliki jumlah angka satu ganjil, bit paritas

    bernilai 1. Pada pola paritas ganjil (odd parity) memerlukan total jumlah angka 1

    ganjil. Contoh penerapan pola bit paristas untuk data word satu byte ditunjukkan padaTabel 4.3.

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    6/7

    6

    Tabel 4.3 Contoh pembangkitan bit paritas pada data word satu byte

    Pola Parity Data BitsJumlah Angka 1

    Dalam DataBit Paritas

    genap 1010 0011 4 0genap 0010 1100 3 1

    ganjil 1011 1010 5 0

    ganjil 1000 1000 2 1

    Urutan penyimpanan data word ke memori dan pembacaannya berkaitan dengan

    penggunaan bit paritas adalah sebagai berikut:

    1. Sebelum menulis data word ke memori, parity genetor membangkitkan paritas

    sesuai dengan pola yamg digunakan

    2. Bit paritas yang dibangkitkan disimpan di memori bersama data word

    3. Ketika data word dibaca dari memori, parity cheker menentukan kembali bit

    paritasnya

    4. Bit paritas yang dihasilkan parity checkerdibandingkan dengan bit paritas yang asli,

    bila berbeda berarti terjadi error.

  • 7/29/2019 Word 07 Arkom Memory 2

    7/7

    7

    Cara di atas memiliki beberapa keterbatasan:

    Hanya dapat mendeteksi kesalahan tunggal

    Dapat mendeteksi kesalahan lebih dari satu bit, apabila jumlah bit yang salah ganjil

    Kesalahan ganda dan (kelipatannya yang menghasilkan genap) tidak dapat

    dideteksi

    Walaupun demikian, teknik paritas ini banyak digunakan, karena kesalahan yang paling

    banyak terjadi adalah kesalahan tunggal. Kesalahan ganda, 50 sampai 100 kali jarang

    terjadi. Bila data word terdiri dari dua byte atau lebih, kemampuan deteksi kesalahan

    dapat ditingkatkan dengan menggunakan satu bit paritas pada setiap byte-nya.

    Komponen untuk membangkitkan bit paritas sebelum menulis ke memori, dan

    memeriksa setelah membaca dari memori, tersedia dalam chip 14-pin yang disebut

    dengan parity generator/checker. Contoh komponen tersebut adalah 74280. Pada

    Gambar 4.9 ditunjukan fungsi komponen tersebut sebagai parity generatordan parity

    cheker.

    Gambar 4.9 Aplikasi Chip 74280 sebagai parity generatordan parity checker

    MemoryData

    SourceData

    Source

    Paritygenerator

    Odd/evencontrol

    P1-P8

    P9

    Paritygenerator

    Parityoutput

    Parityoutput

    P1-P8

    P9

    88

    8 8