uso de transistores bjt

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  • Secretara de Educacin Pblica

    TECNOLGICO NACIONAL DE MXICO

    INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR DE TEPEXI DE RODRGUEZ

    DIVISIN DE INGENIERA MECNICA E INDUSTRIAL

    INGENIERA MECNICA

    SISTEMAS ELECTRNICOS

    Reporte de Prctica:

    USO DE TRANSISTORES BJT

    Nombre del alumno:

    MIRANDA REYES IVAN DANIEL

    Nombres del Docente

    ING. PEDRO CRUZ ORTEGA

    Tepexi de Rodrguez, Pue. 2 de Julio de 2016

  • Instituto Tecnolgico Superior de Tepexi de Rodrguez Organismo Pblico Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla

    Academia de Ingeniera Mecnica

    Reporte de Prcticas de Laboratorio

    Pgina 1

    Contenido

    Contenido

    Contenido................................................................................................................................................ 1

    Ilustraciones ........................................................................................................................................... 2

    ndice de Tablas .................................................................................................................................... 3

    Introduccin ............................................................................................................................................ 5

    Objetivo ................................................................................................................................................... 6

    Antecedentes ......................................................................................................................................... 7

    Desarrollo.............................................................................................................................................. 16

    Parte Terica ................................................................................................................................ 17

    Parte Prctica ............................................................................................................................... 19

    Resultados ............................................................................................................................................ 24

    Conclusiones ........................................................................................................................................ 25

    Fuentes de informacin ...................................................................................................................... 26

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    Ilustraciones

    Ilustracin 1 Tubo de vaco. ..................................................................................................................... 8

    Ilustracin 2. Transistor BJT integrado encapsulado en forma de rectngulo......................................... 9

    Ilustracin 3. Representacin de NPN y PNP ........................................................................................... 9

    Ilustracin 4. Transistor no Activo.......................................................................................................... 10

    Ilustracin 5. Transistor Activo, modo saturacin. ................................................................................ 11

    Ilustracin 6. Sin corriente entre el emisor y el colector. ...................................................................... 12

    Ilustracin 7. Modo de Amplificacin de corriente ................................................................................ 13

    Ilustracin 8. La suma de la corriente de base ms la de colector es igual a la corriente del

    emisor. .................................................................................................................................. 14

    Ilustracin 9. Protoboard .................................................................................................................... 16

    Ilustracin 10. Transistor BJT PNP 2n2222a .................................................................................. 16

    Ilustracin 11. Potencimetro de 10K .............................................................................................. 17

    Ilustracin 12. Circuito completado sobre la protoboard. .............................................................. 19

    Ilustracin 13. Vista Frontal del circuito ........................................................................................... 20

    Ilustracin 14. Circuito trabajando con un voltaje de 7.4v. ........................................................... 20

    Ilustracin 15. Visualizacin del correcto funcionamiento del circuito. Al Led 1 se le est

    suministrando una resistencia muy pequea por lo que su intensidad aumenta, por el contrario

    al Led 2 se le est suministrando una resistencia de 10kohms por lo que la intensidad que

    fluye por l es muy pequea.............................................................................................................. 21

    Ilustracin 16. Led 2 en el mximo de su iluminacin normal de trabajo. .................................. 21

    Ilustracin 17. Diseo realizado en PCB Wizard. .................................................................. 22

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    ndice de Tablas

    Tabla 1. Valores de entrada para la solucin del circuito ...................................................... 17

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    CARRERA PLAN DE ESTUDIO

    CLAVE DE ASIGNATURA

    NOMBRE DE LA ASIGNATURA

    UNIDAD

    ING. MECNICA

    IMEC-2010-228 MED-1030 SISTEMAS

    ELECTRONICOS 1

    PRACTICA No.

    LABORATORIO DE

    NOMBRE DE LA PRACTCA DURACIN (HORAS)

    1

    MECNICA USO DE TRANSISTORES BJT 2

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    Introduccin

    El transistor es un componente semiconductor de tres terminales que permite

    realizar diferentes funciones tales como conmutacin, oscilacin, amplificacin.

    En la presente practica se utilizaran los transistores tipo BJT (bipolar Junction

    Transistor), como se mencion el transistor posee tres terminales, que consisten en

    dos capas de material tipo p y una capa tipo n (PNP), o bien, dos capas tipo n y una

    capa tipo p (NPN).

    El transistor posee tres regiones operativas, que se pretenden utilizar en esta

    prctica para llevar a cabo el encendido de 2 diodos LED

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    Objetivo

    Que los alumnos identifique el funcionamiento de las zonas de corte, saturacin

    y en activa de un transistor BJT.

    Conocer la correcta polarizacin de las terminales del BJT.

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    Antecedentes

    El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de

    unin, fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John

    Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la direccin de William Shockley, cuya primera

    patente solicitaron los dos primeros nombrados, el da 17 de junio de 1948, a la cual

    siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. El transistor bipolar

    de unin, inventado por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo

    favorito en el diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de los BJTs

    ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales

    integrados.

    El siglo XX ha sido la centuria que ms avances ha trado a la humanidad en

    cuando a electrnica se refiere. Hubo cientos de descubrimientos durante este periodo,

    pero sin duda, el que represent el mayor avance de todos fue el descubrimiento del

    transistor. Esto abri paso a la creacin de las computadoras, a la reduccin en

    tamao, costes y consumo en los equipos electrnicos y a la tecnologa tal y como la

    conocemos hoy en da. Sin el transistor ni siquiera tendramos Arduino.

    Un transistor tiene mltiples usos; cuando se descubri se trataba de remplazar

    los tubos de vaco que existan en la poca.

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    Pgina 8

    Ilustracin 1 Tubo de vaco.

    Los tubos de vaco fueron dispositivos grandes, que requeran voltajes altsimos

    para su funcionamiento, eran costosos y generaban mucho calor. Sin embargo, a

    p