transistor 2 lanjutan

Copyright © Wondershare Software

TRANSISTORSiti Humairoh


Transistor Bias

Jika transistor diberikan tegangan bias dari luar maka ada beberapa cara untuk mem – bias sebuah transistor, antara lain :

1. Bias forward – forward 2. Bias revers – revers 3. Bias forward – revers


Bias forward – forward


dioda emiter dan dioda kolektor dibias forward. Pembawa melewati junction dan mengalir ke bawah melalui basis ke kawat basis luar.


Bias reverse – reverse


dioda emiter dan dioda kolektor dibias reverse. Untuk keadaan ini, hanya arus kecil yang mengalir yang terdiri dari arus saturasi yang dihasilkan secara thermal dan arus bocor permukaan. Arus reverse ini biasanya diabaikan.


Bias forward – reverse


dioda emiter dibias forward, dioda kolektor dibias reverse. Pada saat bias forward diberikan pada dioda emiter, elektron – elektron dalam emiter belum memasuki daerah basis. Jika VBE lebih besar daripada potensial barier, banyak elektron memasuki daerah basis.


• aliran elektron meninggalkan terminal negatif sumber dan memasuki daerah emiter. Bias forward memaksa elektron emiter ini masuk kedalam basis. Semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.


• Medan lapisan pengosongan kemudian mendorong arus elektron ke dalam daerah kolektor. Elektron ini meninggalkan kolektor, memasuki kawat kolektor dan mengalir ke dalam terminal postif sumber tegangan kolektor


Diagram potensial pada transistor pada bias forward reverse


Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emiter – basis (VEB) akan mengurangi potensial penghalang VO , sehingga pembawa muatan mayoritas pada emiter akan mudah untuk berekomendasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan oleh adanya beda potensial pada basis kolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan bias reverse VCB.


Alpha dc

Alpha dc suatu transistor menunjukkan bagaimana dekatnya harga kedua arus tersebut.


Cara kerja transistor

Umumnya terbentuk dari sambungan PNP atau NPN dengan bahan silikon (Si) atau germanium (Ge). Sambungan tersebut dihasilkan dari sebuah dari irisan silikon yang dicampurkan ddengan bahan pengotor melalui proses masking yang tereduksi secara fotografis.


Untuk menggunakan sebuah transistor, maka kita harus menyambungkannya sedemikian rupa sehingga :

terminal emiter adalah terminal dengan polaritas paling negatif

Terminal kolektor beberapa volt lebih positif dibandingkan terminal emiternya

terminal basis lebih positif 0,7 V daripada terminal emiter

transistor 2 lanjutan

Documents