makalah semikonduktor

23
SEMICONDUCTOR CONTROL DEVICES Oleh: Roni Setiawan (08518241014) PRODI P.T. MEKATRONIKA FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI TOGYAKARTA 2010/2011

Upload: roni-nepology

Post on 30-Jun-2015

2.375 views

Category:

Documents


23 download

TRANSCRIPT

Page 1: Makalah semikonduktor

SEMICONDUCTOR CONTROL DEVICES

Oleh:

Roni Setiawan (08518241014)

PRODI P.T. MEKATRONIKA

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS NEGERI TOGYAKARTA

2010/2011

Page 2: Makalah semikonduktor

DAFTAR ISI

Hal

HALAMAN JUDUL...................................................................................... . i

PENGANTAR................................................................................................ . ii

DAFTAR ISI.................................................................................................. . iii

BAB I : PENDAHULUAN

A. Latar Belakang............................................................................ 1

B. Tujuan............................................................................... 1

BAB II : PEMBAHASAN

A. Kultur Sekolah

1. Pengertian Kultur Sekolah..................................................... 2

2. Fungsi Kultur Sekolah............................................................ 4

3. Faktor Yang Mempengaruhi Kultur Seolah........................... 5

4. Peran Kepala Sekolah Dalam Kultur Sekolah.............. . 6

B. Etos kerja Guru

1. Pengertian etos Kerja Guru..................................... . 9

2. Ciri Etos Kerja Guru Yang Baik................................. . 10

3. Faktor Yang Mempengaruhi etos Kerja Guru............... 13

C. Kultur Sekolah Dalam Meningkatkan Etos Kerja Guru........ 15

BABIII : PENUTUP

A. Kesimpulan.................................................................. . 17

B. Saran........................................................................ . 17

DAFTAR PUSTAKA..................................................................... . 18

Page 3: Makalah semikonduktor

BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas

dari semikonduktor. Memang pada awal kelahirannya elektronika

didefenisikan sebagai cabang ilmu listrik yang mempelajari pergerakan

muatan didalam gas ataupun vakum.Penerapannya sendiri juga

menggunakan komponen-komponen yang utamanya memanfaat kedua

medium ini, yang dikenal sebagai Vacuum Tube.Akan tetapi sejak

ditemukannya transistor, terjadi perubahan tren dimana penggunaan

semikonduktor sebagai pengganti material komponen semakin populer

dikalangan praktisi elektronika. Puncaknya adalah saat ditemukannya

Rangkaian Terpadu (Integrated Circuit) pada akhir dekade 50-an yang

telah menyederhanakan berbagai rangkaian yang sebelumnya berukuran

besar menjadi sangat kecil. Selain itu penggunaan material semikonduktor

juga memberikan fleksibilitas dalam penerapannya.

Material semikonduktor, seperti juga material-material lainnya

terdiri atas atom-atom yang berukuran sangat kecil.Atom-atom ini terdiri

atas nukleus (inti) yang dikelilingi oleh sejumlah elektron.Nukleus sendiri

terdiri atas neutron dan proton.Proton bermuatan positif, elektron

bermuatan negatif, sedangkan neutron netral.Elektron-elektron yang

mengelilingi nukleus ini tersebar pada beberapa lapisan kulit dengan jarak

tertentu dari nukleus, dimana energinya semakin meningkat seiring dengan

meningkatnya jarak dari setiap lapisan kulit terhadap nukleus.Elektron

pada lapisan terluar disebut elektron valensi.Aktifitas kimiawi dari sebuah

unsur terutama ditentukan oleh jumlah elektron valensi ini.

Page 4: Makalah semikonduktor

BAB II

PEMBAHASAN

A. Prinsip Dasar Semi Konduktor

Semi konduktror ialah bahan yang mempunyai sifat kekonduksian di

antara konduktor dan isolator.Contoh bahan semikonduktror ialah

Silikon,Germanium, Plumbum Sulfida,Gallium Arsenida,Indium Antimida

dan Selenium.Bahan-bahan yangmempunyai sifat semikonduktif memiliki

nilai hambatan jenis( ) antara konduktor dan isolator yaitu 10-6-10

4ohm.mdan

konduktivitas sebesar10-6-10

4ohm

-2m

-2dengan energi gap yang lebih kecil dari

6 eV.Energi gap adalah energi yang diperlukan oleh elektron untuk

memecahkan ikatan kovalen sehingga dapat berpindah jalur dari jalur valensi

ke jalur konduksi.Bahan dasar semi konduktor dapat dibedakan menjadi 3

jenis, yaitu:

- Trivalent, memiliki atom dengan jumlahelectron valensi 3 buah, contoh:

Boron (B),Gallium (Ga),dan Indium (In) .

- Tetravalent, memiliki atom dengan jumlah electron valensi 4 buah seperti:

Silikon(Si), dan Germanium (Ge).

- Pentavalent,memiliki atom dengan jumlah electron valensi5 buah, contoh

:Fosfor(P), Arsenikum(As),dan Antimon(Sb).

Untuk menghasilkan semi konduktor tipe lain maka dilkukan proses

pendopingan, adalahproses pemasukan atau pencampuran atom dopan

kedalam bahansemi konduktor instrinsik (siikon dan germanium) sehingga

konduktivitas konduktor bertambah. Maka tebentuklah semi konduktor

ekstrinsik. Proses pendopingan menghasilkan 2 jenis semi konduktor

ekstrinsik, yaitu tipe n dan tipe p. Semi konduktor tipe n di bentuk dari

pendopingan dengan atom pentavalent, sehingga atom menjadi kelebihan

electron. Sedangkan semikonduktor tipe p dibentuk dari pendopingan dengan

atom trivalent, untuk mendapatkan atom yang kekurangan electron.Dalam

perkembanganya semikonduktor menjadi behan yang sangat penting.

Terutama dalam dunia eektronika, Semikonduktor merupakan elemen dasar

dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan IC.

Page 5: Makalah semikonduktor

Table perbandingan semikonduktor tipe p dan tipe n:

Aspek Tipe n Tipe p

Bahan instrinsik Silicon dan germanium Silicon dan germanium

Bahan pendopingan Atom pentavalent Atom trivalent

Fungsi pendopingan Mendapatkan atom

kelebihan electron

Mendapatkan atom

kekurangan electron

Pembawa muatan

mayoritas Electron hole

B. Piranti Semi Konduktor

1. Diode

a. Diode penyearah (Rectifier)

Dioda penyearah adalah jenis dioda yang terbuat dari bahan

silikon ataupun germaniumyangberfungsi sebagai penyearah tegangan

dari listriks Ac menjadi Dc. Dibawah ini adalah gambar symbol diode

dan bentuk fisik dari diode:

Karakteristik dioda pada umumnya adalah :

Jika diberi bias maju, ketika VAK lebih besar dari Vtreshold

(0,7V) maka akan mengalirkan arus dari arah anoda ke kathoda,

dan idealnya hambatan majunya Rf = 0 ohm

Jika diberi bias mundur tidak akan mengalirkan arus danidealnya

hambatan mundurnya Rb = ~ .

Gbr. Bias Maju Gbr. Bias Mundur

Page 6: Makalah semikonduktor

Kurva karakteristik diode hubungan antara arus dan tegangan :

Tegangan saat dioda mulai menghantarkan arus disebut sebagai

tegangan kerja dioda (Vd). Tegangan kerja dioda jenis silikon sekitar

0,7 volt sedangkan tegangan kerja dioda jenis germanium sekitar 0,3

volt.Pada karakteristik reverse diperlihatkan adanya tegangan Break-

Down (Vbd), dimana pada saat tegangan reverse dioda mencapai

tegangan tertentu akan terjadi aliran arus yang drastis membesar. Jika

tegangan ini diperbesar lagi, maka akan menimbulkan kerusakan

padadioda, oleh karena itu dalam penggunaannya diberikan nilai

nominal yang dikenal sebagai Peak Inverse Voltage disingkat PIV.

Penggunaan diode tipe ini dalam rangkaian elektronika adalah

sebagai penyearah setengah gelombangmaupun penyearah gelombang

penuh. Dibawah ini adalah contoh penggunaan diode dalam rangkaian

eektronika :

Penyearah setengah gelombang

Gbr. Rangkaian Half Wave Rectifier

Page 7: Makalah semikonduktor

Dalam penyearah setengah gelombang, besar tegangan output :

Penyearah Gelombang Penuh

Dalam penyearah gelombang penuh, besar tegangan output :

b. Dioda Zener

Dioda Zener merupakandioda junction P dan N yang terbuat dari

bahan dasar silikon. Dioda ini dikenal juga sebagai Voltage

Regulation Diode yang bekerja pada daerah reverse (kuadran

III).Potensial dioda zener berkisar mulai 2,4 sampai 200 volt dengan

disipasi daya dari ¼ hingga 50 watt. Simbol dan rangkaian

penggantinya diperlihatkan seperti gambar:

Gelombang Input Gelombang Output

Gbr. Rangkaian Full Wave Rectifier

Page 8: Makalah semikonduktor

Rangkaian pengganti yang lengkap merupakan sebuah hambatan

dinamis yang relatip kecil dan sebuah batere yang besarnya sebanding

dengan potensial dioda zener. Gambar karakteristik diode zener :

Vbd adalah tegangan breakdown pada diode biasa, tetapi dalam

diode zener Vbd adalah tegangan kerja diode zener, sehingga Vbd

disebut dengan VZ. Dalam kurva terlihat setelah terjadi tegangan

patah, arus naik sedemikian rupa sedangkan tegangan zener akan

bertahan tetap. Kenaikkan arus ini mempunyai nilai batas maksimal

yang dikenal sebagai arus zener maksimum disingkat Izmax dimana

jika terlampaui akan mengakibatkan kerusakan zener. Daya

maksimum pada diode zener adalah PZ = IZmax.Vbd

c. Diode Emisi Cahaya (LED)

LED merupakanSolid State Lamp yang merupakan piranti

elektronik gabungan antara elektronikdengan optik, sehingga

dikategorikan pada keluarga Optoelectronic. Bahan dasar yang

digunakan dalam pembuatan LED adalah bahan Galium Arsenida

(GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium

Phospida (GaP), bahan-bahan ini memancarkan cahaya dengan warna

yang berbeda-beda. Bahan GaAs memancarkan cahaya infra-merah,

Bahan GaAsP memancarkan cahaya merah atau kuning, sedangkan

Page 9: Makalah semikonduktor

bahan GaP memancarkan cahaya merah atau hijau. Besar arus LED

adalah 20 mA, sedangkan besar teganganya adalah 1,8 – 2V.

d. Dioda Cahaya (Photo Dioda)

Secaraumum dioda-cahaya ini mirip dengan PN-Junction,

Perbedaannya terletak pada persambungan yang diberi celah agar

cahaya dapat masuk padanya.Konstruksi simbol dan bentuk fisiknya

dapat dilihat pada gambar:

Dioda cahaya ini bekerja pada daerah reverse, jadi hanya arus

bocor saja yang melewatinya. Kuat cahaya dan temperature keliling

dapat menaikkan arus bocor tersebut karena dapat mengubah nilai

resistansinya dimana semakin kuat cahaya yang menyinarisemakin

kecil nilai resistansi dioda cahaya tersebut.Penggunaan dioda cahaya

diantaranya adalah sebagai sensor warna gelap dan terang, selain itu

photo diode juga dapat difungsikan sebagai alat pengukur kuat cahaya.

e. Dioda Varactor

Dioda Varactor disebut juga sebagai dioda kapasitas yang

sifatnya mempunyai kapasitas yang berubah-ubah jika diberikan

tegangan. Dioda ini bekerja didaerah reverse mirip dioda Zener.

Bahan dasar pembuatan dioda varactor ini adalah silicon dimana

dioda ini sifat kapasitansinya tergantung pada tegangan yang

diberikan padanya. Jika tegangan tegangannya semakin naik,

kapasitasnya akan turun. Dioda varaktor banyak digunakan pada

pesawat penerima radio dan televisi di bagian pengaturan suara.

Bagan dan simbol dioda varactor diperlihatkan pada gambar:

Page 10: Makalah semikonduktor

2. Transistor Bipolar

a. Prinsip Dasar Transistor

Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan.Sambungan

itu membentuk transistor PNP maupun NPN.Terminalnya disebut

emitor, base dan kolektor.Base selalu berada di tengah, di antara

emitor dan kolektor.Transistor ini disebut transistor bipolar, karena

struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di

kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif.

Transistordapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan

pemberian tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut

dapat mencapai suatu kondisi menghantar atau

menghambat.Transistor akan aktif jika emitor-basis diberi tegangan

bias maju sedangkan basis-kolektor diberi tegangan bias mundur.

Nilai batas suatu transistor tergantung dari bahan dasar

pembuatnya.Suhu maksimal suatu transistor Germanium adalah

sekitar75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150

o C. Daya yang

disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga

suhumaksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan

pendingin baik dengan Heat Sink atau dengan fan.

b. Karakteristik Transistor

Page 11: Makalah semikonduktor

Jika sebuah transisitor dipasang pada Vcc maka akan terjadi,

daerah aktif, daerah saturasi dan daerah cut off. suatu transistor berada

didaerah aktif apabila basis emitter dibias forward dan basis kolektor

berada dibias reverse.

Suatu transistor berada didaerah saturasi apabila basis emitter di

bias forward dan basis kolektor berada dibias forward.

Suatu transistor berada pada kondisi cutoff apabila keduanya

berada pada bias reverse.

Secara singkat mode kerja transistor seperti tedapat dalam table :

Dalam rangkaian elektronika perangkaian transisitor mempunyai

3 variasi, yaitu common emitor, common base dan common colector.

Karakteristik common basis

Gbr. daerah Aktif transistor

Gbr. daerahSaturasi transistor

Gbr. daerahCut off transistor

Page 12: Makalah semikonduktor

onfigurasi transistor yang menggunakan kaki

dan output

output maka arus input dan tegangan input masing

VEB. Pada common base pengutan transisitor sebesar

= /( +1)

Berikut adalah grafik output dari common basis:

Persamaan dalam common basis :

IC.RC+I

IB( .R

IB=VCC

=IC / I

VB=IB

Vout=V

VC+V

Karakteristik common emitor

onfigurasi transistor yang menggunakan kaki basis

dan output. Dengan colector sebagai input dan

output maka arus input dan tegangan input masing

Pada common base pengutan transisitor sebesar

+1) Berikut adalah rangkaian common emitor:

Berikut adalah grafik output dari common basis:

Persamaan dalam common basis :

+IB.RB=VCC

.RC+RB)=VCC

CC / ) .RC+RB)

/ IB

B.RB

Vout=VB-VBE

+VB=VCC

arakteristik common emitor

basis sebagai input

sebagai input dan emitor sebagai

output maka arus input dan tegangan input masing-masing IC dan

Pada common base pengutan transisitor sebesar , dimana

Berikut adalah rangkaian common emitor:

Page 13: Makalah semikonduktor

Adalah terminal emitter digunakan bersama-sama sebagai input

dan output. Denganbasis sebagai input dan kolektor sebagai output

maka arus input dan tegangan input masing-masing IB dan VBE.

Pada common emitor pengutan transisitor sebesar , dimana =

IC/IB, berikut adalah rangkaian common emitor:

Berikut adalah grafik output dari common emitor:

Persamaan dalam common emitor :

IC = (VCC – VCE)/ RC

IB.RB+VBE=VCC

IB=(VCC-VBE) / RB

ICsat= VCC / RC

VCEcutoff= VCC

RC.IC+VCE=VCC

Common collector

Page 14: Makalah semikonduktor

IC = (Vcc-VCE)/RC

IB = (Vcc-VBE)/RB

ICsat = Vcc/Rc

= Ic/IB

Konfigurasi transistor yang menggunakan kaki kolektor sebagai

input dan output. Denganbasis sebagai input dan emitor sebagai

output maka arus input dan tegangan input masing-masing IB dan

VE. Berikut adalah rangkaian common emitor:

Persamaan dalam common colector :

VE = (VCC-VBE) / RE

VB =VBE+VE

VE=IE.RE IC.RE

IB = (VCC-VBE) / (RB+ .RE)

IC = .IB

IE =IB

VBE+VE=VCC

c. Bias Transistor

1. Bias Tetap

Pemberian tegangan dengan menggunakan tahanan basis dan

tahanan kolektor.

2. Bias Sendiri

Page 15: Makalah semikonduktor

IC = (Vcc-VCE)/RC

IB = Vcc/(RC+RB)

= Ic/IB

IC = Vcc/(RC+RE)

VB = R2.Vcc/( R1+R2)

RB = R1R2/(R1+R2)

IB = VB/RB

= Ic/IB

Pemberian bias pada transistor dengan menggunakan tahanan

umpan-balik (feedback).

3. Bias pembagi tegangan

Pemberian bias pada transistor melalui pembagi tegangan R1 dan

R2.

d. Transistor Sebagai sakelar

Prinsip utama transisitor sebagai

sakelar adalah jika VBE lebih besar dari

tegangan dadal (0,7 untuk Si dan 0,3

untuk Ge), maka transistor sebagai

sakelar tertutup, tetapi jika VBE kurang

dari tegangan dadal, transisitor sebagai

sakelar terbuka.

3. Thyristor

Page 16: Makalah semikonduktor

a. Prinsip Dasar Thyristor

Istilah Thyristor berasal dari tabung Thyratron-Transistor,

dimana dengan perkembangan teknologi semikonduktor, maka

tabung-tabung elektron yang bentuknya relatip besar dapat digantikan

oleh tabung-tabung transistor yang berukuran jauh lebih kecil tanpa

mengurangi kemampuan operasionalnya.Yang termasuk dalam

keluarga thyristor adalan Silicon Controlled Rectifier, Diac, Triac

yang semuanya didasari dari Dioda Lapis Empat (Four Layers Diode)

seperti alam gambar dibawah.Bahan dasar thyristor ini adalah dari

silicon dengan pertimbangan jauh lebih tahan panas dibandingkan

dengan bahan germanium.Thyristor ini banyak digunakan sebagai alat

pengendali tegangan atau daya yang tinggi dengan kemampuan yang

tinggi.

Rangkaian transistor yang demikian menunjukkan adanya loop

penguatan arus di bagian tengah. Dimana diketahui bahwa IC = Ib,

yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus base.Jika ada arus Ib

mengalir pada base transistor Q1, maka arus Ic akan mengalir pada

kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus base Ib pada transistor

Q1, sehingga akan muncul penguatan pada arus kolektor transistor Q1.

Arus kolektor transistor Q1 tidak lain adalah arus base bagi transistor

Q2. Demikian seterusnya sehingga makin lama sambungan PN dari

thyristor ini dibagian tengah akan mengecil dan hilang. Tertinggal

hanyalah lapisan P dan N dibagian luar.

Gbr. Struktur thyristor Gbr. Visualisasi Transisitor

Page 17: Makalah semikonduktor

b. SCR (Silicon Controlled Rectifier)

SCR mempunyai tiga buah elektroda, yaitu Anoda, Kathoda dan

Gate dimana anoda berpolaritas positip dan kathoda berpolaritas

negatip sebagai layaknya sebuah dioda penyearah (rectifier).Kaki Gate

juga berpolaritas positip.Berikut adalahsimbol dari SCR:

Gambar dibawah ini memperlihatkan pengembangan konstruksi

dan diekuivalenkan dengan rangkaian kaskade transistor.

SCR dapat dihidupkan dengan arus penyulut melalui terminal

Gate, dimana arus gate ini akan mengalir melalui sambungan antara

gate dan kathoda dan keluar dari kathodanya. Arus gate ini harus

positip besarnya sekitar 0,1 sampai 35 mA sedangkan tegangan antara

gate dan kathodanya adalah 0,7 volt.Jika arus anoda ke kathoda turun

dibawah nilai minimum (Holding Current = IHO), maka SCR akan

segera mati (Off). Untuk SCR yang berkemampuan daya sedang,

besar IHO sekitar 10 mA. Tegangan maksimum arah maju (VBRF)

akanterjadi jika gate dalam keadaan terbuka atau IGO = 0. Jika arus

Page 18: Makalah semikonduktor

gate diperbesar dari IGO, misal IG1, maka tegangan majunya akan lebih

rendah lagi. Hal ini diperlihatkan dalam grafik karakteristik SCR:

Gambar dibawah ini memperlihatkan salah satu cara penyulutan

SCR dengan sumber searah (dc), dimana SCR akan bekerja dengan

indikasi menyalanya lampu dengan syarat saklar S di ON kan terlebih

dahulu.

Triggering untuk penyulutan SCR dengan sumber dc ini tidak

perlu dilakukan secara terus menerus, jika saklar S dibuka, maka

lampu akan tetap menyala atau dengan perkataan lain SCR tetap

bekerja. Dibawah ini Memperlihatkan cara penyulutan SCR dengan

sumber bolak-balik (ac).

Page 19: Makalah semikonduktor

Dengan mengatur nilai R (potensiometer), maka kita seolah

mengatur sudut penyalaan (firing delay) SCR. Untuk penyulutan SCR

dengan sumber arus bolak-balik, harus dilakukan secara terus

menerus, jadi saklar S jika dilepas, maka SCR akan kembali tidak

bekerja.Gambar dibawah ini memperlihatkan bentuk tegangan dan

pada terminal SCR dan beban.Pengendalian sumber daya dengan SCR

terbatas hanya dari 00 sampai 90

0.

c. DIAC

Istilah diac diambil dari Dioda AC yang merupakan salah satu

dari keluarga thyristor dan termasuk dalam jenis Bidirectional

Thyristor. Diac mempunyai dua buah terminal dan dapat menghantar

dari kedua arah olehkarenanya diac dianggap sebagai nonpolar. Diac

tersusun dari empat lapis semikonduktor seperti dioda

lapisempat.Gambar dibawah memperlihatkan (a) symbol diac, (b)

susunan diac, (c) rangkaian diac dan (d) rangkaian pengganti diac.

Diac mempunyai impedansi yang tinggi dalam dua arah,guna

mencapai titik konduknya diperlukan tegangan antara 28 sampai 36

volt.Dalam gambar diatas, apabila titik A adalah muatan + (dalam

gambar b diatas) maka junction ke1 pada forward bias (S1 tertutup)

Page 20: Makalah semikonduktor

dan junction ke2 pada reverse bias (S2 terbuka). Pada saat A lebih

positif dari B maka pada saat tertentu dapat menembus tegangan

breakdown sehingga mengalir aris diac, demikian juga sebaliknya

apabila B bermuatan positif, junction ke2 akan forward bias (S2

tertutup) dan junction ke1 akan reverse bias (S1 terbuka). Berikut adala

kurva karakteristik V-I diac :

d. TRIAC

Triac digunakan untuk mengendalikan daya bolak-balik secara

penuh dari 0ohingga 180

o. Triac mempunyai tiga terminalmirip

denganSCR yaitu gate, main terminal 1 (MT1) dan main terminal 2

(MT2). Perbedaanya dengan SCR adalah Triac dapat menghantarkan

arus dalam dua arah.Simbol dan konstruksi Triac diperlihatkan seperti

pada gambar dibawah:

Triac adalah setara dengan dua SCR yang dihubungkan

paralel.Cara kerja dari triac adalah jika terdapat sinyal gate, maka arus

dapat mengalir dari MT1 ke MT2 atau sebaliknya.Pada umumnya triac

di trigger dengan arus gate positif (mode I+), tetapi dapat juga ditriger

Page 21: Makalah semikonduktor

menggunakan mode I

pemicuan, yaitu :

Anoda +, gate +

Anoda +, gate

Anoda

Anoda

Berikut adalah gambar mode trigger pada triac:

menggunakan mode I-. Triac memiliki empat kemungkinan metode

pemicuan, yaitu :

Anoda +, gate +

Anoda +, gate –

Anoda -, gate +

Anoda -, gate -

erikut adalah gambar mode trigger pada triac:

iliki empat kemungkinan metode

Page 22: Makalah semikonduktor

BAB III

PENUTUP

Page 23: Makalah semikonduktor

DAFTAR PUSTAKA

Arifin,Irwan. 2004. Elektronika I

Dirksen, AJ.1982. Pelajaran Elektronika Jilid 3terjemahan Haroen. Penerbit

Erlangga, Jakarta

Frans, Gunterus. 1977. Falsafah Dasar Sistem Pengendalian Proses. Elex Media

Zomputindo

Jacob M.Ph.D,Halkias, Ph.D. 1990.Elektronika Terpadu. Penerbit Erlangga

Handyani, Peni. 2008. Teknik Pemeiharaan Dan Perbaikan Sistem Elektronika

Jilid3.Direktorat Pembinaan Sekolah Menengah Kejuruan

Rashid, Muhammad. 1999. Elektronika Daya, Rangkaian,Devai dan Aplikasinya

Jilid 1. Jakarta: Penerbit PT Prehallindo

Wasito S. 2001. Vademekum Elektronika Edisi Kedua. Jakarta: Penerbit PT

Gramedia Pustaka Utama

Jayadin. 2007. Elektronika Dasar. Jayadin.wordpress.com

http://www.fairchild-semiconductor.com/an/an-3001.pdf

http://nic.unud.ac.id/~wiharta/elka/TRANSISTOR%20BJT.pdf