dry etching

Download Dry Etching

Post on 13-Jul-2015

107 views

Category:

Documents

0 download

Embed Size (px)

TRANSCRIPT

DRY ETCHING

DRY ETCHINGDry etching adalah salah satu yang paling banyak proses digunakan dalam manufaktur semikonduktor. Dry etching menggunakan radikal bebas yang dihasilkan plasma untuk menghapus materi hanya di daerah yang ditentukan oleh pola photoresist yang dibuat selama fotolitografi. Lihat gambar 2

DRY ETCHINGGambar 2. Deposisi dan transfer pola manufaktur IC: (a) logam deposisi; (b) deposisi photoresist; (c) optik eksposur melalui pola; (d) pembangunan photoresist ; (e) anisotropik etch plasma; (f) penghapusan sisa photoresist

DRY ETCHINGHanya Dry Etching yang menyediakan kemampuan untuk mengendalikan sidewall anisotropik etching melalui plasma yang dihasilkan non-reaktif dan reaktif ion (Gambar 1 (C) dan 1 (D)).

DRY ETCHINGGambar 1. (c) menggambarkan peran membombardir ion di etch anisotropik, (d) menggambarkan peran film sidewall pasivator di anisotropik etching

DRY ETCHING Dry Etching dapat dikaitkan dengan penggunaan plasma.

Sebelum berbicara tentang teknik etching, kita harus paham tentang apa plasma itu. Plasma adalah gas terionisasi terbentuk oleh aplikasi frekuensi radio yang kuat (RF), atau microwave, di bawah kondisi vakum. plasma menghasilkan elektron, ion, membombardir ion, dan radikal bebas yang secara kimia reaktif spesies, seperti fluor atau klor. Ion-ion ini memiliki penghapusan reaktif material yang tinggi energi, maka profil etching tergantung pada kepadatan ion dan energi (Gambar 3) . Energi yang diberikan ke ion dapat meningkatkan reaksi kimia permukaan

DRY ETCHINGGambar 3. Kepadatan dan energi untuk berbagai spesies dalam tekanan rendah kapasitif FR debit.

DRY ETCHINGPermasalahan dengan Wet Etching adalah Isotropik >> tidak dapat mencapai ukuran pola kecil dari ketebalan film Tujuan utama dari Mengembangkan Dry Etching adalah untuk Mencapai Etching yang anisotropik

DRY ETCHING Macam-macam dari Dry Etching:

1. Physical Sputtering -Physical bombardment Ion Mill Plasma sputtering

DRY ETCHING2. Plasma Etching Plasma-assisted chemical reaction

DRY ETCHING3. Reactive Ion Etching (RIE) Chemical reaction + ion bombardment

DRY ETCHING

DRY ETCHINGReactive Ion Etching (RIE) -Gas Etching dimasukkan ke ruang terus menerus - Plasma diciptakan oleh daya RF -spesies reaktif (radikal dan ion) yang dihasilkan dalam plasma radikal: reaksi kimia ion: pemboman -spesies reaktif menyebar ke permukaan sampel -Spesies diserap oleh permukaan -Reaksi Kimia terjadi, membentuk produk sampingan yang mudah menguap - Produk sampingan adalah desorbed dari permukaan - Produk sampingan dikeluarkan dari chamber

DRY ETCHINGGas Seleksi: 1) Bereaksi dengan material yang akan terukir 2) Menghasilkan produk sampingan yang mudah menguap dengan tekanan uap rendah

DRY ETCHING

DRY ETCHING