Download - 4. Transistor Bipolar

Dasar Elektronika

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

BJT (bipolar junction transistor)/ transistor bipolar terdiri dari tiga bagian semikonduktor yang telah di-doping (dimanipulasi struktur atomnya) yang dipisahkan sehingga membentuk 2 hubungan pn.

Tiga bagian pada BJT disebut emitor, basis & kolektor.


STRUKTUR TRANSISTOR


Operasi dasar pada transistor


Arus Transistor

Pada gambar diatas ditunjukkan arus emiter (IE) adalah hasil penjumlahan dari arus kolektor(IC) dan arus basis (IB)

DCBeta βDC

Perbandingan antara arus kolektor DC dan arus basis DC adalah beta DC, dimana ini merupakan Penguatan arus DC pada transistor.

Nilai umum dari beta DC antara 20 s/d 200. βDC juga biasa disebut pada datasheet dengan hFE


Parameter & Karakteristik Transistor

Alpha DC αDC

Perbandingan antara arus kolektor DC dan arus emiter DC adalah alpha DC.

Nilai umum dari alpha DC antara 0,95 s/d 0,99. tapi alpha dc pasti kurang dari 1.alasannya karena IC selalu kurang dari IE.

Contoh : jika IE=100mA, IB= 1mA, maka IC=99mA sehingga αDC = 0,99


Parameter & Karakteristik Transistor

Konfigurasi yang umum pada rangkaian transistor :


Analisa arus dan tegangan transistor

Hitunglah IB, IC, IE, VBE, VCE dan VCB pada rangkaian berikut. βDC pada transistor adalah 150


Contoh:


Kurva karakteristik kolektor

Contoh: Untuk mengetahui kurva kolektor yang ideal pada rangkaian transistor, jika diketahui IB=5uA s/d 25uA dengan proses penambahan 5uA. Di asumsikan βDC=100.

Digunakan hubungan IC=βDC IB, dengan hasilnya diperlihatkan pada tabel:

Contoh Soal: Apakah transistor pada rangkaian berikut ini pada keadaan saturasi. Diasumsikan VCE(sat)=0,2V ?


• Seperti pada komponen elektronik lainnya, transistor juga memiliki batasan operasi kerjanya.

• Biasanya direpresentasikan dalam tegangan kolektro-basis, tegangan kolektor-emitor, tegangan emiter-basis, arus kolektor, disipasi daya.

• Hasil dari VCE dan IC tidak lebih dari disipasi daya maksimum. Jika VCE maksimum, maka IC :


Tingkatan maksimal transistor

•Jika IC maksimum maka VCE:


Maximum power dissipation curve and tabulated values.

CONTOH: Suatu transistor dioperasikan dengan VCE=6V. Jika tingkat daya maksimal adalah 250mW. Apakah arus kolektor dapat mengendalikan transistor?

SOLUSI:

Dari perhitungan diketahui disipasi daya VCE*IC :250,2mW sehingga melebihi batas maksimum. Untuk dapat mengendalikan transistor , VCE dikurangi sampai tidak melebihi batasan disipasi dayanya.



Penguatan dalam transistor


Transistor Sebagai Saklar

Arus Saturasi kolektor: Arus Saturasi Basis minimum:


Aplikasi sederhana transistor sebagai saklar


Identifikasi komponen transistor

Download - 4. Transistor Bipolar

Top Related