diode semikonduktor daya

Upload: rio-darputra

Post on 16-Jul-2015

118 views

Category:

Documents


2 download

TRANSCRIPT

DIODE SEMIKONDUKTOR DAYAKELOMPOK 6 M. IRFAN(0906632556) RIO DARPUTRA(0906632682) BAMBANG SUTRISNO (0906488905) M. ANDRE A.(0906632480)

PENDAHULUAN Diode berperan sebagai saklar untuk menjalankan

bermacam-macam fungsi, antara lain:

1. Saklar Penyearah 2. Freewheeling dalam regulator saklar 3. Pengisian balik kapasitor & transfer energi antarkomponen 4. Isolasi tegangan 5. Balikan energi dari beban ke sumber daya

PENDAHULUAN Dioda daya mirip dengan dioda sinyal pn-junction .

Dioda daya memiliki daya yang besar, kemampuan

menangani tegangan dan arus yang lebih besar dibanding dioda sinyal. Respon frekuensi (kecepatan pensaklaran) lebih rendah dibanding diode sinyal.

KARAKTERISTIK DIODE Diode daya adalah komponen sambungan pn dua

terminal dan sebuah sambungan pn dibentuk dari penumbuhan pencampuran, difusi, dan epiktasial.

KARAKTERISTIK DIODE

KARAKTERISTIK DIODE Saat potensial anode positif terhadap katode, dioda

bertindak bias maju dan dioda terkonduksi (drop tegangan maju relatif kecil). Saat potensial katode positif terhadap anode, diode dikatakan sebagai bias mundur.

KARAKTERISTIK DIODE Persamaan Diode Schockley

KARAKTERISTIK DIODE Karakteristik 3 wilayah pada Diode

a. Wilayah Bias Maju (VD > 0 ) b. Wilayah Bias Mundur (VD < 0 ) c. Wilayah Breakdown (VD < -VZK )

KARAKTERISTIK DIODE Wilayah Bias Maju (VD > 0)

Arus diode ID sangat kecil jika teganagan diode VD kurang dari nilai spesifik VTD (umumnya 0,7V). Dioda terkonduksi penuh VD > VTD

KARAKTERISTIK DIODE Wilayah Bias Mundur (VD < 0 )

Jika VD negatif dan | VD | >> VT , dengan VD < -0,1

Arus diode ID pada arah mundur bernilai konstan dan sama dengan IS

KARAKTERISTIK DIODE Wilayah Breakdown (VD < -VZK )

Tegangan mundurnya tinggi (>1KV) VBR = Tegangan breakdown. Arus mundur meningkat cepat dengan perubahan kecil pada tegangan mundur (VBR)