cap 1 - operacion interna de un diodo

OPERACIN INTERNAOPERACIN INTERNAOPERACIN INTERNAOPERACIN INTERNADE UN DE UN DE UN DE UN

SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

OBJETIVOOBJETIVOOBJETIVOOBJETIVO

Aprender como se construye y opera internamente un DiodoSemiconductor.

Tipos de MaterialesSemiconductores

Operacin de la unin del Material del tipo pppp con el materialde tipo nnnn

Demostracin porque la union p-n favorece solo el paso dela corriente en una Direccin

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

INTRODUCCIONINTRODUCCIONINTRODUCCIONINTRODUCCION

ELELELEL ATOMOATOMOATOMOATOMO:::: Es la Partcula mas pequea de un elemento que presentauna estructura atmica nica.ELELELEL ATOMOATOMOATOMOATOMO:::: una estructura atmica nica.

ElectrnOrbital19

eq 1,6x10 C

=

Ncleo(Protones y neutrones)



NUMERO ATOMICO:NUMERO ATOMICO:NUMERO ATOMICO:NUMERO ATOMICO:Es igual al numero de electrones (o protones) en un tomo neutroneutroneutroneutro.... Tales as que todos los tomos estn dispuestos en la tabla peridica deacuerdo a su numero atmico

tomo Neutro# e # p +=

CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:Una capacapacapacapa electrnicaelectrnicaelectrnicaelectrnica, capacapacapacapa dededede electroneselectroneselectroneselectrones o cubiertacubiertacubiertacubierta dededede electroneselectroneselectroneselectrones es elconjunto de rbitasrbitasrbitasrbitas seguidas por un grupo de electrones alrededor delncleo de un tomo. Cada capa puede contener un cierto nmero mximode electrones, y est asociada con un particular rango de energa enfuncin de su distancia al ncleo.



NIVELES DE ENERGIA:NIVELES DE ENERGIA:NIVELES DE ENERGIA:NIVELES DE ENERGIA:Cada distancia discreta (Orbita) al ncleo corresponde a cierto nivel de Cada distancia discreta (Orbita) al ncleo corresponde a cierto nivel de energa.

Nivel de EnergaNivel de EnergaNivel de EnergaNivel de Energa

OrbitalOrbitalOrbitalOrbital ElectronesElectronesElectronesElectrones

Electrones con Menor nivel de energa

++++++++

++++++++++++

CapCapCapCapa 1a 1a 1a 1 Capa 2Capa 2Capa 2Capa 2

NcleoNcleoNcleoNcleoElectrones con

Mayor nivel de energaCapa de Valencia



NOTANOTANOTANOTA

En un tomo estable, para que una cierta capa pueda contenerelectrones, es necesario que todas las interiores a ella estncompletamente Llenas.

Los electrones en la capa ms externa (capacapacapacapa dededede valencia)valencia)valencia)valencia) es la nicaque puede encontrarse parcialmente vaca, y son las que determinanlas propiedades qumicas del tomo.

El numero mximo de electrones que puede existir en cada capade un atomo es un hecho de naturaleza y se calcula de la siguiente

eN

de un atomo es un hecho de naturaleza y se calcula de la siguientemanera: 2

eN 2n=

DondeDondeDondeDonde: n = Numero de capas



EjemploEjemploEjemploEjemplo::::2 2

eCapa 1 : n= 1 N 2n = 2(1) = 2 electrones =

2 2eCapa 2 : n= 2 N 2n = 2(2) = 8 electrones =


2 2





ELECTRONES DE VALENCIAELECTRONES DE VALENCIAELECTRONES DE VALENCIAELECTRONES DE VALENCIA Son aquellos electrones que describen orbitas alejadas del ncleo. Tienen mas energa y estn flojamente enlazados al tomo Contribuyen a las reacciones qumicas, y al enlace dentro de la

estructura de un material as como sus propiedades elctricas.

IONIZACIONIONIZACIONIONIZACIONIONIZACION


Se presenta cuando un tomo pierde un electrn de valencia, y porejemplo si un tomo que esta cargado positivamente pierde unelectrn de valencia, este queda cargado positivamente (masprotones que electrones) y como resultado un IonIonIonIon positivopositivopositivopositivo....

AISLANTES, AISLANTES, AISLANTES, AISLANTES, CONDUCTORESCONDUCTORESCONDUCTORESCONDUCTORES YYYYSEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES

CONDUCTORESCONDUCTORESCONDUCTORESCONDUCTORESEs un material que conduce corriente elctrica fcilmente.Se caracterizan por tener un solo electrn de valencia en la

orbita exterior muy dbilmente enlazados al tomo.La mayora de los metales son buenos conductores, como por

ejemplo: Ag, Cu, Au, y Al.Por consiguiente, en un material conductor, los electroneselectroneselectroneselectrones dededede

valenciavalenciavalenciavalencia pasan hacer electroneselectroneselectroneselectrones LibresLibresLibresLibres....

Ing. Samuel Tarqui M.

valenciavalenciavalenciavalencia pasan hacer electroneselectroneselectroneselectrones LibresLibresLibresLibres....

En general: En general: En general: En general: Menos de cuatro electrones de valencia en la orbita exterior de un tomo hacen que el material sea un

buen conductor.


SEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORES Es un material a medio camino entre los Conductores y los Es un material a medio camino entre los Conductores y los

aislantes, en lo que respecta a su capacidad de conducircorriente elctrica.

Un Semiconductor en estado Puro se le denomina MaterialMaterialMaterialMaterialIntrnsecoIntrnsecoIntrnsecoIntrnseco....

Los semiconductores mas comunes de un solo elemento son:Si, Ge y el C.

Semiconductores Compuestos:


Semiconductores Compuestos:* Arseniuro de Galio (AsGa)* Fsforo de Indio (PIn).

En General:En General:En General:En General: Cuatro electrones de valencia por tomo como el caso del SiSiSiSi y el GeGeGeGe hacen

que el material sea un semiconductor.

Ejemplos:Ejemplos:Ejemplos:Ejemplos: tomo de Silicio(14)


Etomo de Fsforo

(15)

SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

tomo de Cobre (29)CONDUCTORCONDUCTORCONDUCTORCONDUCTOR

SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

AISLANTEAISLANTEAISLANTEAISLANTE

BandaBandaBandaBanda dededede ValenciaValenciaValenciaValencia....---- Esta representada por la bandabandabandabanda dedededenivelesnivelesnivelesniveles dededede EnergaEnergaEnergaEnerga donde se encuentran los electrones devalencia.

BANDAS DE ENERGIABANDAS DE ENERGIABANDAS DE ENERGIABANDAS DE ENERGIA

valencia.

Cuando un electrn adquiere suficiente energa adicionalpuede abandonar la CapaCapaCapaCapa dededede valenciavalenciavalenciavalencia para convertirse en unelectrnelectrnelectrnelectrn librelibrelibrelibre y existir en lo que se conoce como BandaBandaBandaBanda dedededeconduccinconduccinconduccinconduccin....

BandaBandaBandaBanda dededede ConduccinConduccinConduccinConduccin....---- Es el lugar donde el electrn libreBandaBandaBandaBanda dededede ConduccinConduccinConduccinConduccin....---- Es el lugar donde el electrn librepuede moverse por todo el material ya que no quedaenlazado a ningn tomo. A La diferencia de energa entre laBanda de valencia y la banda de conduccin se llama BandaBandaBandaBandaProhibidaProhibidaProhibidaProhibida....

BandaBandaBandaBanda ProhibidaProhibidaProhibidaProhibida....---- Es la regin donde un electrn de valenciadeber tener la suficiente energa para poder saltar de labanda de valencia a la banda de conduccin.


BANDAS DE ENERGIABANDAS DE ENERGIABANDAS DE ENERGIABANDAS DE ENERGIAEnergaEnergaEnergaEnerga EnergaEnergaEnergaEnerga EnergaEnergaEnergaEnerga

GE 1.12eV (Si)==

Banda de ConduccinBanda de ConduccinBanda de ConduccinBanda de Conduccin

Banda de ProhibidaBanda de ProhibidaBanda de ProhibidaBanda de Prohibida(E(E(E(EGGGG))))



TraslapeTraslapeTraslapeTraslape

Banda de ProhibidaBanda de ProhibidaBanda de ProhibidaBanda de Prohibida(E(E(E(EGGGG))))

GGG

E 0, 67eV (Ge)E 1, 41eV (GaAs)

=

=

GE 5eV>


Banda de ValenciaBanda de ValenciaBanda de ValenciaBanda de Valencia

AislanteAislanteAislanteAislante0


SemiconductorSemiconductorSemiconductorSemiconductor0


ConductorConductorConductorConductor0

SEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

SEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORES

Es un material Capaz de Conducir Corriente Elctrica atemperatura Ambiente (300OK o 25 OC )temperatura Ambiente (300OK o 25 OC )

Conduce mucho mejor que un Material Aislador, pero noconduce mejor que los metales.

Pertenecen al Grupo IVA de la tablaPeridica

Los mas comunes son:* Germanio (Ge) (32 electrones)


* Germanio (Ge) (32 electrones)* Silicio (Si) (14 electrones)* Arseniuro de Galio (AsGa) (Semiconductor

Compuesto)

SEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESGE 0, 67eV (Ge)=

GE 1.12eV (Si)=

tomo Silicio (14)tomo Silicio (14)tomo Silicio (14)tomo Silicio (14)tomo Germanio (32)tomo Germanio (32)tomo Germanio (32)tomo Germanio (32)

El germanio es inestable a altastemperaturas y produce unaexcesiva corriente en Inversa

El Silicio es mas utilizado enDiodos, Transistores, Circuitosintegrados y otros Dispositivoscaractersticos.


TIPOS DE SEMICONDUCTORESTIPOS DE SEMICONDUCTORESTIPOS DE SEMICONDUCTORESTIPOS DE SEMICONDUCTORES

EXTRINSECOEXTRINSECOEXTRINSECOEXTRINSECO

Material en estadoPuro Libre deImpurezas que alterensus propiedades

INTRINSECOINTRINSECOINTRINSECOINTRINSECO

Material al cual se lehan aadido impurezaspara alterar supropiedades elctricas.

Alegr

e

elctricas Dichas Impurezashacen que quedenenlaces covalentes sincompletar en losmateriales.Ing. Samuel Tarqui

M.

Los tomos de silicio ogermanio forman estematerial intrnsico,llamado CristalCristalCristalCristal intrnseco,intrnseco,intrnseco,intrnseco,unidos atravs de enlacescovalentes.

MATERIALES INTRINSICOSMATERIALES INTRINSICOSMATERIALES INTRINSICOSMATERIALES INTRINSICOSIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR INTRINSECOINTRINSECOINTRINSECOINTRINSECO

SiSiSiSiENLACE COVALENTEENLACE COVALENTEENLACE COVALENTEENLACE COVALENTE Estructura presente en los

Materiales Monocristalinosde alta pureza

SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi

de alta pureza

Ing. Samuel Tarqui M.SiSiSiSi

Enlace CovalenteEnlace CovalenteEnlace CovalenteEnlace CovalenteElectrn deElectrn deElectrn deElectrn de

valenciavalenciavalenciavalencia

SEMICONDUCTOR INTRINSECOSEMICONDUCTOR INTRINSECOSEMICONDUCTOR INTRINSECOSEMICONDUCTOR INTRINSECO

Observaciones:Observaciones:Observaciones:Observaciones:

A temperaturas que se aproximan al cero absoluto (0OK, -273OC), todos los electrones residen en los enlaces covalentescompartidos entre los tomos, sin electrones libres para laconduccin.

Las capas exteriores de los tomos de Silicio estn llenas, y elmaterial se comporta como un aislante.


Cuando aumenta la temperatura (300OK, 25OC), se aadeenerga trmica al cristal y se rompen algunos enlaces,liberndose un pequeo numero de electrones para laconduccin.

TIPOS DE SEMICONDUCTORESTIPOS DE SEMICONDUCTORESTIPOS DE SEMICONDUCTORESTIPOS DE SEMICONDUCTORES

DensidadDensidadDensidadDensidad dededede portadoresportadoresportadoresportadores IntrnsicosIntrnsicosIntrnsicosIntrnsicos nnnniiii (cm-3) es igual a laDensidad de portadores IntrnsicosDensidad de portadores IntrnsicosDensidad de portadores IntrnsicosDensidad de portadores Intrnsicos iiii

Densidad de electrones libres (nnnn) y se determina mediante laspropiedades y temperaturas del material:

2 3 -6 cmGi

En BT exp( )

kT=

Donde:Donde:Donde:Donde: B = Parmetro dependiente del

material31 -3 61.08x10 (K .cm )


Energa de la banda del semiconductor en eV (electrnVolts)Constante deBoltzman

5 o8.62x10 eV / K

Temperatura Absoluta,oK

EG Para el Si =1.12 =

G

T

E

k

=

=

material


Ejemplo:Ejemplo:Ejemplo:Ejemplo: Calcular el valor terico de nnnniiii en el silicio atemperatura ambiente.temperatura ambiente.

DatosDatosDatosDatos Temperatura ambiente = 300K B=1.08x1031K-3cm-6EG Para el Si = 1.12 eV k= 8.62x10-5 eV/K

Solucin:Solucin:Solucin:Solucin: Remplazando la formula se tiene:2 3 -6Gi

En BT exp( ) cm

kT= in BT exp( ) cmkT=

2 31 3 6 3i 5

1.12eVn (1.08x10 K cm )(300K) exp

(8.62x10 eV / K)(300K)

=

9 3in 6.73x10 / cm=


10 3in 10 / cm=

CORRIENTE EN SEMICONDUCTORESCORRIENTE EN SEMICONDUCTORESCORRIENTE EN SEMICONDUCTORESCORRIENTE EN SEMICONDUCTORES

Como se vio anteriormentelos electrones de un tomo


EnergaEnergaEnergaEnerga

los electrones de un tomopueden existir solo dentrode las bandas de energaprescrita.

Cada capa alrededor delncleo corresponde a ciertabanda de energa y estaseparada de bandasadyacentes (bandas

Segunda BandaCapa 2


Banda de Prohibida

Banda de Prohibida


adyacentes (bandasprohibidas) en las cuales nopuede existir electrones.

El grafico muestra lasbandas energa de un cristalde Silicio puro a 0O K.++++++++

++++++++++++

Primera BandaCapa 1

Banda de Prohibida

Ncleo (0)Ncleo (0)Ncleo (0)Ncleo (0) Diagrama de bandas de una Diagrama de bandas de una Diagrama de bandas de una Diagrama de bandas de una tomo de cristal de Silicio no excitadotomo de cristal de Silicio no excitadotomo de cristal de Silicio no excitadotomo de cristal de Silicio no excitado

ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS:ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS:ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS:ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS:

CORRIENTE EN SEMICONDUCTORESCORRIENTE EN SEMICONDUCTORESCORRIENTE EN SEMICONDUCTORESCORRIENTE EN SEMICONDUCTORES

EnergaEnergaEnergaEnerga RecombinacinRecombinacinRecombinacinRecombinacin

Banda de Conduccin

Banda de Prohibida

EnergaEnergaEnergaEnergaElectrn Electrn Electrn Electrn

LibreLibreLibreLibre

EnergaEnergaEnergaEnergaCalorficaCalorficaCalorficaCalorfica

RecombinacinRecombinacinRecombinacinRecombinacin


Banda de Valencia

de Prohibida

ParParParParElectrn HuecoElectrn HuecoElectrn HuecoElectrn Hueco

HuecoHuecoHuecoHuecoElectronesElectronesElectronesElectrones


ConclusionesConclusionesConclusionesConclusionesElectrnElectrnElectrnElectrn

LibreLibreLibreLibre Un cristal de Silicio


SiSiSiSi

EnergaEnergaEnergaEnerga

LibreLibreLibreLibre

HuecoHuecoHuecoHueco

intrnsico a temperaturaambiente (300OK o 25OC)tiene energa Calorfica(Trmica) Suficiente comopara romper el enlacecovalente. HuecoHuecoHuecoHueco es el espacio vacoque deja un electrn en labanda de Valencia, porefecto de la energa trmica.


SiSiSiSiEnergaEnergaEnergaEnerga

CalorficaCalorficaCalorficaCalorfica

Diagrama de EnlacesDiagrama de EnlacesDiagrama de EnlacesDiagrama de Enlaces

Una RecombinacinRecombinacinRecombinacinRecombinacin ocurrecuando un electrn de labanda de conduccin pierdeenerga y regresa a un huecoen la banda de valencia.

Banda de Banda de Banda de Banda de


CORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECOCORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECOCORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECOCORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECO

Banda de Banda de Banda de Banda de ConduccinConduccinConduccinConduccin

SiSiSiSi SiSiSiSi SiSiSiSi SiSiSiSi SiSiSiSi

Flujo de ElectronesFlujo de ElectronesFlujo de ElectronesFlujo de ElectronesPerdi energaPerdi energaPerdi energaPerdi energa



SiSiSiSi SiSiSiSi

Flujo de HuecosFlujo de HuecosFlujo de HuecosFlujo de Huecos

SiSiSiSi SiSiSiSi SiSiSiSi

Los huecos nononono son Cargas Positivas

CONCENTRACIONES DE CONCENTRACIONES DE CONCENTRACIONES DE CONCENTRACIONES DE ELECTRONES Y HUECOSELECTRONES Y HUECOSELECTRONES Y HUECOSELECTRONES Y HUECOS

Las concentraciones de electrones y huecos en un materialintrnseco, son iguales:

in n p= =in n p= =Donde:Donde:Donde:Donde:

inn

p

=

=

=

Densidad de portadores IntrnsicosDensidad de electrones de conduccin 3electrones / cmDensidad de huecos 3huec os/ cm

Y el producto de las concentraciones de electrones y huecoses: 2es: 2

in pn=Este producto pnpnpnpn se da, siempre que el semiconductor se

encuentre en equilibrioequilibrioequilibrioequilibrio trmico,trmico,trmico,trmico, es decir que solo depende de latemperatura y no de cualquier otro estimulo externo comovoltaje o corriente. Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

MATERIALES EXTRINSICOSMATERIALES EXTRINSICOSMATERIALES EXTRINSICOSMATERIALES EXTRINSICOSIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

SEMICONDUCTOR EXTRINSECOSEMICONDUCTOR EXTRINSECOSEMICONDUCTOR EXTRINSECOSEMICONDUCTOR EXTRINSECO

Material Semiconductor a la cual se le aaden impurezas paramodificar sus propiedades Elctricas.Para que se aaden impurezas?Para que se aaden impurezas?Para que se aaden impurezas?Para que se aaden impurezas?

Para que existan mas HuecosHuecosHuecosHuecos que electrones libres.Obteniendo asi una material TipoTipoTipoTipo pppp )>>( p nPara que obtener mas electroneselectroneselectroneselectrones libreslibreslibreslibres que Huecos.Obteniendo as una material TipoTipoTipoTipo nnnn )>>( n pUnUnUnUn tomotomotomotomo dededede ImpurezaImpurezaImpurezaImpureza debe ser de tamaotamaotamaotamao comparablecomparablecomparablecomparable al del

1

2


UnUnUnUn tomotomotomotomo dededede ImpurezaImpurezaImpurezaImpureza debe ser de tamaotamaotamaotamao comparablecomparablecomparablecomparable al delSilicioSilicioSilicioSilicio para que pueda ocupar su lugar con facilidad.3

3 UnaUnaUnaUna diferenciadiferenciadiferenciadiferencia entre un material extrnseco y uno Intrnsicoes que en el material tipo Intrnsico n=pn=pn=pn=p y en el extrnsecono.

PROCESO DE DOPAJE (Doping)PROCESO DE DOPAJE (Doping)PROCESO DE DOPAJE (Doping)PROCESO DE DOPAJE (Doping)

Es el procesos de aadir Impurezas. Consiste en Obligar a que las impurezas penetren al material

IntrnsecoIntrnsecoComoComoComoComo sesesese LograLograLograLogra esto?esto?esto?esto? Calienta el material intrnsico a una temperaturas bien alta. Expn el material a un Gas en el cual estn las impurezas. Luego por Difusin las Impurezas Penetran el Material.

ImpurezasImpurezasImpurezasImpurezasGasGasGasGas


MATERIALMATERIALMATERIALMATERIAL SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR (SiSiSiSi)

Temperatura Temperatura Temperatura Temperatura altaaltaaltaalta

GasGasGasGas

MATERIAL EXTRINSICOMATERIAL EXTRINSICOMATERIAL EXTRINSICOMATERIAL EXTRINSICO

MATERIAL TIPO p y nMATERIAL TIPO p y nMATERIAL TIPO p y nMATERIAL TIPO p y nIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

MATERIAL TIPO pMATERIAL TIPO pMATERIAL TIPO pMATERIAL TIPO pSiSiSiSi

Se dice as al material en

Impureza AceptadoraImpureza AceptadoraImpureza AceptadoraImpureza Aceptadora


BBBBSiSiSiSi

Se dice as al material endonde predominanpredominanpredominanpredominan loshuecoshuecoshuecoshuecos sobre loselectrones libres.

Se logra aadiendoimpurezas con 3333electroneselectroneselectroneselectrones de Valencia.como el caso del Boro,Boro,Boro,Boro,IndioIndioIndioIndio yyyy GalioGalioGalioGalio).

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M. SiSiSiSi

IndioIndioIndioIndio yyyy GalioGalioGalioGalio). La Impureza se llama

aceptadoraaceptadoraaceptadoraaceptadora porque puedeaceptar a un electrnLibre.

p n>> En un material tipo p:

SEMICONDUCTOR TIPO pSEMICONDUCTOR TIPO pSEMICONDUCTOR TIPO pSEMICONDUCTOR TIPO p


SiSiSiSi


SiSiSiSiSiSiSiSiPortadores Portadores Portadores Portadores MayoritariosMayoritariosMayoritariosMayoritarios(p)(p)(p)(p)

tomo tomo tomo tomo aceptoraceptoraceptoraceptor

SiSiSiSi SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi SiSiSiSi

Portadores Portadores Portadores Portadores Minoritarios (n)Minoritarios (n)Minoritarios (n)Minoritarios (n)HuecoHuecoHuecoHueco

MATERIAL TIPO nMATERIAL TIPO nMATERIAL TIPO nMATERIAL TIPO nSiSiSiSi

Se dice as al material en

Impureza DonadoraImpureza DonadoraImpureza DonadoraImpureza Donadora

Se libera conSe libera conSe libera conSe libera conpoca energapoca energapoca energapoca energa

SbSbSbSbSiSiSiSi

Se dice as al material endonde predominanpredominanpredominanpredominan loselectroneselectroneselectroneselectrones libres sobrehuecos

Se logra aadiendoimpurezas con 5555electroneselectroneselectroneselectrones de valencias,como el Antimonio (SbSbSbSb)

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M. SiSiSiSi

La Impureza se llamaDonadoraDonadoraDonadoraDonadora porque puedeceder un electrn.

n p>> En un material tipo p:

SEMICONDUCTOR TIPO nSEMICONDUCTOR TIPO nSEMICONDUCTOR TIPO nSEMICONDUCTOR TIPO n


Portadores Portadores Portadores Portadores

SiSiSiSi


SiSiSiSiSiSiSiSiPortadores Portadores Portadores Portadores MinoritariosMinoritariosMinoritariosMinoritarios

Portadores Portadores Portadores Portadores MayoritariosMayoritariosMayoritariosMayoritarios

tomotomotomotomoDonadorDonadorDonadorDonador

SiSiSiSi SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi SiSiSiSiHuecoHuecoHuecoHueco


Las concentraciones de electrones y huecos en un materialextrnseco (Adulterado) ya no son iguales.n p

Para efectos de calculo de las densidades de electrones yhuecos se debe tener presente las concentraciones de laimpurezas donadoras (NNNNDDDD) y las impurezas aceptadoras (NNNNAAAA).Luego:

Pasos para el calculo:

0q( N p N n )+ =1.- El Material Semiconductor debe mantener carga neutra.

0D Aq( N p N n )+ =

2.- La relacin es aplicable aun en semiconductoresadulterados en equilibrio trmico.

2in pn=



MATERIAL TIPO nMATERIAL TIPO nMATERIAL TIPO nMATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO pMATERIAL TIPO pMATERIAL TIPO pMATERIAL TIPO pD AN N> A DN N>

De las dos ecuaciones anteriores:2 2( ) 0D A in N N n n =

Resolviendo:2 2

2

( ) ( ) 42

D A D A i

i

N N N N nn

n

+=

De las ecuaciones dos anteriores:2 2( ) 0A D in N N n n =

Resolviendo:2 2

2

( ) ( ) 42

A D A D i

i

N N N N np

n

+=

=

2y para: inp

n=

2y para: inn

p=

Para situaciones practicas:Para situaciones practicas:Para situaciones practicas:Para situaciones practicas:: 2

( )

D A i

D A

S i N N n

n N N

>>

Para situaciones practicas:Para situaciones practicas:Para situaciones practicas:Para situaciones practicas:: 2

( )

A D i

A D

S i N N n

p N N

>>

Ejemplo:Ejemplo:Ejemplo:Ejemplo:


Determinar el tipo y las concentraciones de electronesy huecos en una muestra de silicio a temperaturaambiente si esta se adultera con una concentracin deboro de 1016/cm3 y una concentracin de fsforo de

Solucin:Solucin:Solucin:Solucin:

boro de 1016/cm3 y una concentracin de fsforo de2x1015/cm3.

DatosDatosDatosDatos 10 3 16 3 15 3 10 / ; 10 / ; 2 10 /i A Dn cm N cm N x cm= = =

Como NNNNAAAA>N>N>N>NDDDD el materialmaterialmaterialmaterial eseseses deldeldeldel tipotipotipotipo pppp15 3( ) 8 10 /A DN N x cm =Luego:

Como: 2 , Se puede aplicar la forma simplificadaN N n >>


Como: 2 , Se puede aplicar la forma simplificadaA D iN N n >>15 3

2 20 64 3

15 3

( ) 8 10 huecos/cm

10 / 1.25 10 electrones/cm8 10 /

A D

i

p N N x

n cmn x

p x cm

=

= = =

UNION pnUNION pnUNION pnUNION pn DIODOSDIODOSDIODOSDIODOSIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

DIODOS DIODOS DIODOS DIODOS Un Diodo se origina de un trozo de silicio al ser dopado una partede Tipo pppp y la otra de tipo nnnn, formando as la unin pnpnpnpn

Unin pnUnin pnUnin pnUnin pn

++++

Regin pRegin pRegin pRegin p Regin nRegin nRegin nRegin n

Unin pnUnin pnUnin pnUnin pn

nodo (+)nodo (+)nodo (+)nodo (+) Ctodo (Ctodo (Ctodo (Ctodo (----))))


nodo (+)nodo (+)nodo (+)nodo (+) Ctodo (Ctodo (Ctodo (Ctodo (----))))

OperaOperaOperaOpera bajobajobajobajo trestrestrestres condicionescondicionescondicionescondiciones:::: CircuitoCircuitoCircuitoCircuito AbiertoAbiertoAbiertoAbierto (Ningn estimuloexterno), PolarizacinPolarizacinPolarizacinPolarizacin DirectaDirectaDirectaDirecta (Inyectando corriente a favor de laflecha) y PolarizacinPolarizacinPolarizacinPolarizacin InversoraInversoraInversoraInversora (Inyectando corriente en contra dela flecha)

DIODODIODODIODODIODO ENENENEN CIRCUITOCIRCUITOCIRCUITOCIRCUITO ABIERTOABIERTOABIERTOABIERTO

Difusin de electronesDifusin de electronesDifusin de electronesDifusin de electrones

Que es Regin de Agotamiento?Que es Regin de Agotamiento?Que es Regin de Agotamiento?Que es Regin de Agotamiento?


++++++++++++

++++

EEEE

nodonodonodonodo CtodoCtodoCtodoCtodo

Difusin de electronesDifusin de electronesDifusin de electronesDifusin de electronesRecombinacinRecombinacinRecombinacinRecombinacin

Zona deZona deZona deZona deAgotamientoAgotamientoAgotamientoAgotamiento

IIII

VVVV

Regin deRegin deRegin deRegin deAgotamientoAgotamientoAgotamientoAgotamiento

tomo donadortomo donadortomo donadortomo donadorIonizadoIonizadoIonizadoIonizado

tomo aceptador tomo aceptador tomo aceptador tomo aceptador IonizadoIonizadoIonizadoIonizado

++++


Acta como una barrera Ante elmovimientocontinuo de Electrones a travs de la

0V =

VVVV0I =

Regin pRegin pRegin pRegin p Regin nRegin nRegin nRegin nLa Regin de agotamiento llega a

un EquilibrioEquilibrioEquilibrioEquilibrio

DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO

Como es que acta como una Barrera ?Como es que acta como una Barrera ?Como es que acta como una Barrera ?Como es que acta como una Barrera ?

++++++++++++++++++++++++

EEEE

Regin pRegin pRegin pRegin p Regin nRegin nRegin nRegin nun EquilibrioEquilibrioEquilibrioEquilibrio

nodonodonodonodo CtodoCtodoCtodoCtodo++++++++++++

++++++++++++++++

++++


++++ ++++

Potencial de Potencial de Potencial de Potencial de Barrera (VBarrera (VBarrera (VBarrera (VOOOO))))

0,7V para el Si0,3V para el Ge

EEEE++++

a 25a 25a 25a 25OOOOCCCC

DIODO EN UN CIRCUITO ABIERTODIODO EN UN CIRCUITO ABIERTODIODO EN UN CIRCUITO ABIERTODIODO EN UN CIRCUITO ABIERTO


++++++++

++++++++

Union "pn "

Para cruzar la unin pnpnpnpn,

P

o

t

e

n

c

i

a

l

P

o

t

e

n

c

i

a

l

P

o

t

e

n

c

i

a

l

P

o

t

e

n

c

i

a

l

px nx

V

Inodonodonodonodo CtodoCtodoCtodoCtodo

++++++++

++++++++++++

++++

Para cruzar la unin pnpnpnpn,el electrn tiene queexceder a VVVVOOOO (barreradel potencial elctrico)

=TkTVq

Voltaje TrmicoVoltaje TrmicoVoltaje TrmicoVoltaje Trmico

xIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

P

o

t

e

n

c

i

a

l

P

o

t

e

n

c

i

a

l

P

o

t

e

n

c

i

a

l

P

o

t

e

n

c

i

a

l

Voltaje deBarrera VVVVOOOO

V

Para el Silicio 0 7oV , V A. D

o T 2i

N NV = V lnn

q

POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA

Para Polarizar un Diodo se aplica un voltaje de cccccccc a travs deel.

Polarizacin Directa es la condicin que permite la circulacinPolarizacin Directa es la condicin que permite la circulacinde la corriente a travs de la unin pnpnpnpn.

pppp nnnn

Contacto metlicoContacto metlicoContacto metlicoContacto metlicoy conductory conductory conductory conductor

Sirve para limitar la

corriente a un valor que no

dae al Diodo.

El voltaje de Polarizacin

++++Sentido ConvencionalSentido ConvencionalSentido ConvencionalSentido Convencional

I


LimitadorR

++++Polarizacin

V(cc )

Polarizacin debe ser mas grande que el

voltaje de Barrera.

POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA La fuente de voltaje de polarizacin

proporciona suficiente energa a loselectrones libres para vencer el Los huecos de la regin ppotencial de barrera.

La Fuente externa Genera un flujo de

electrones(+)(+)(+)(+)

Los huecos de la regin pProporcionan el medio o rutapara que los Electrones devalencia se desplacen hacia ellado izquierdo de la regin p

La carga Positiva

Al llegar al a la regin pppp, loselectrones de conduccin pierdenenerga y se recombinanrecombinanrecombinanrecombinan para luegoser atrados por el polo (+) de lafuentes externa. Regin PRegin PRegin PRegin P Regin nRegin nRegin nRegin n


(+)(+)(+)(+)

( )

La carga Positiva de la fuente

Externa atrae a los electrones de

la regin p

Potencial dePotencial dePotencial dePotencial deBarreraBarreraBarreraBarrera

POLARIZACION EN INVERSAPOLARIZACION EN INVERSAPOLARIZACION EN INVERSAPOLARIZACION EN INVERSA

Una Polarizacin en Inversa en esencia evitaevitaevitaevita lalalala circulacincirculacincirculacincirculacin dedededecorrientecorrientecorrientecorriente aaaa travstravstravstravs deldeldeldel DiodoDiodoDiodoDiodo.

Solo los portadores minoritarios tienen condiciones favorablesSolo los portadores minoritarios tienen condiciones favorablespara cruzar la unin.

++++

pppp nnnn

La regin de agotamiento se

ensancha, debido a ello por el

diodo no circula corriente.

La resistencia no es muy importante

debido a que no hay corriente

elctrica

0I =

Polarizacin Polarizacin Polarizacin Polarizacin en Inversaen Inversaen Inversaen Inversa

IIII

VVVV0I =


Polarizacin

V(cc )

No circula corrienteNo circula corrienteNo circula corrienteNo circula corrienteV

0I =

POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA

Regin deRegin deRegin deRegin deagotamientoagotamientoagotamientoagotamientoRegin pRegin pRegin pRegin p Regin nRegin nRegin nRegin n

0 I =

(+)(+)(+)(+)( )

agotamientoagotamientoagotamientoagotamiento

La Fuente externaAtrae a loselectrones libresDejando ionespositivos

La fuente externaentrega electronesde valenciadesplazndose dehueco en huecohasta llegar a laregin deagotamiento

sI


Las regiones n y p se quedan sin portadores mayoritarios. La E entre los Iones positivos y negativos se incrementa. El potencial a travs de la regin de empobrecimiento en algn

momento llega hacer igual al voltaje de polarizacin, entonces all cesala corriente, excepto por una pequea corriente en inversa IIIISSSS generadapor los portadores minoritarios que casi siempre se desprecia.

sI

CORRIENTE EN INVERSA CORRIENTE EN INVERSA CORRIENTE EN INVERSA CORRIENTE EN INVERSA


Los electrones minoritarios son empujados por la parte negativa del

Los electrones descienden una

colina de energa.

Los electrones Se combinan con los

huecos minoritarios y quedan como electrones de

I

(+)(+)(+)(+)( )

Luego de disiparse la Corriente genera por la fuente se produce una

Regin deRegin deRegin deRegin deagotamientoagotamientoagotamientoagotamiento

parte negativa del voltaje de

polarizacin.electrones de

valencia, fluyen al voltaje (+) y se crea

la corriente en inversa.

sI


Luego de disiparse la Corriente genera por la fuente se produce unacorrientecorrientecorrientecorriente dededede SaturacinSaturacinSaturacinSaturacin enenenen InversaInversaInversaInversa (((( IIIISSSS )))) provocada por los portadoresportadoresportadoresportadoresminoritariosminoritariosminoritariosminoritarios de las regiones nnnn yyyy pppp....

Producida por los pares electrnelectrnelectrnelectrn ---- huecohuecohuecohueco generados trmicamente. Los portadores minoritarios de la regin p fluyen a travs de la

regin de agotamiento con facilidad debido a que lalalala bandabandabandabanda dedededeconduccinconduccinconduccinconduccin dededede lalalala reginreginreginregin pppp estnestnestnestn aaaa unununun nivelnivelnivelnivel dededede energaenergaenergaenerga muchomuchomuchomucho masmasmasmas altoaltoaltoaltoquequequeque lalalala bandabandabandabanda dededede conduccinconduccinconduccinconduccin enenenen nnnn

RUPTURA EN INVERSA RUPTURA EN INVERSA RUPTURA EN INVERSA RUPTURA EN INVERSA

Un alto voltaje de polarizacin en

inversa (Voltaje de (Voltaje de (Voltaje de (Voltaje de NoNoNoNo sesesese recombinanrecombinanrecombinanrecombinandebido a que aun

I

Regin deRegin deRegin deRegin de

Los electrones de Los electrones de Los electrones de Los electrones de valenciavalenciavalenciavalencia de los dems

tomos pasan a la pasan a la pasan a la pasan a la banda de conduccin.banda de conduccin.banda de conduccin.banda de conduccin.Voltaje deVoltaje deVoltaje deVoltaje de

IIII

(+)(+)(+)(+)( )


sI

Ruptura) Ruptura) Ruptura) Ruptura) proporciona proporciona proporciona proporciona energa a los energa a los energa a los energa a los electroneselectroneselectroneselectrones

minoritarios. vr

debido a que auntienen suficienteenerga parapoder atravesarla regin n.

Regin deRegin deRegin deRegin deempobrecimientoempobrecimientoempobrecimientoempobrecimiento

banda de conduccin.banda de conduccin.banda de conduccin.banda de conduccin.Voltaje deVoltaje deVoltaje deVoltaje deRupturaRupturaRupturaRuptura

VVVVZKV


La Fuente externa intenta hacer que: Hace que VVVVOOOO aumente hasta el punto que el CampoCampoCampoCampo es tan intenso,

provocando as:1.- Energa suficientes para romper enlaces en la regin p2.- Aumento Dramtico en la Densidad de Portadores de cargas

disponibles.

sI I>

EFECTO CON LA TEMPERATURAEFECTO CON LA TEMPERATURAEFECTO CON LA TEMPERATURAEFECTO CON LA TEMPERATURAIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

CORRIENTE DE SATURACION ( ICORRIENTE DE SATURACION ( ICORRIENTE DE SATURACION ( ICORRIENTE DE SATURACION ( ISSSS ) ) ) )

La corriente de Saturacin esta dada por:rea de la Constantes de

2 p ns i

p D n A

D DI AqnL N L N

= +

DensidadIntrnseca

Densidad deAceptadores

rea de laUnin IIII

VVVVsI

deDifusin


Longitud de Difusin

Intrnseca Aceptadores

2 3 -6 cmGE / kTin BT e=

V

IIIISSSS depende de la GeometraMateriales y Temperatura del

Diodo

IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA

Note de que T aparece envarios puntos de las ecuaciones.

2 3 GE / kTin BT e=

Densidad IntrnsecaDensidad IntrnsecaDensidad IntrnsecaDensidad Intrnseca

varios puntos de las ecuaciones.

EsEsEsEs importanteimportanteimportanteimportante entenderentenderentenderentender quequequequecambioscambioscambioscambios moderadosmoderadosmoderadosmoderados enenenen lalalalatemperaturatemperaturatemperaturatemperatura producenproducenproducenproducen cambioscambioscambioscambiosdrsticosdrsticosdrsticosdrsticos enenenen laslaslaslas caractersticascaractersticascaractersticascaractersticaselctricaselctricaselctricaselctricas dededede unununun componentecomponentecomponentecomponente....

El diseador debe prestar Voltaje TrmicoVoltaje TrmicoVoltaje TrmicoVoltaje Trmico

Voltaje de BarreraVoltaje de BarreraVoltaje de BarreraVoltaje de Barrera


El diseador debe prestaratencin a la temperatura deoperacin y a la disipacin decalor que produce elcomponente.

Corriente de SaturacinCorriente de SaturacinCorriente de SaturacinCorriente de Saturacin

FABRICACION DE UN DIODOFABRICACION DE UN DIODOFABRICACION DE UN DIODOFABRICACION DE UN DIODOIng. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO

Los Diodos se fabrican en masa utilizando Laminas (Wafers) devarias pulgadas de Dimetro y fracciones de pulgadas devarias pulgadas de Dimetro y fracciones de pulgadas deespesor.

La lamina Inicialmente puede ser material intrnsico o ya habersido dopado con material p o n segn se requiera.

Mediante procesos fotogrficos se va a reproducir el modelo delmismo componente tantas veces como sea necesario.

Una vez que se complete el proceso de fabricacin sobre lalamina, los componentes individuales se cortan y luego seempacan.


empacan. Veamos lo que sucedeVeamos lo que sucedeVeamos lo que sucedeVeamos lo que sucedeEn uno de los En uno de los En uno de los En uno de los

elementoselementoselementoselementos


MATERIAL INICIALMATERIAL INICIALMATERIAL INICIALMATERIAL INICIAL

Para efectos de explicacin comenzaremos con el material tipo Para efectos de explicacin comenzaremos con el material tipon que se constituir en el CtodoCtodoCtodoCtodo....

Pudo haber material del tipo p en cuyo caso seria entonces elAnodoAnodoAnodoAnodo


nnnn

FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO

OxigenoOxigenoOxigenoOxigeno

nnnn

2S iO

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

El El El El SilicioSilicioSilicioSilicio se Oxida para crear una capa de se Oxida para crear una capa de se Oxida para crear una capa de se Oxida para crear una capa de SiOSiOSiOSiO2222 sobre la sobre la sobre la sobre la superficie expuestasuperficie expuestasuperficie expuestasuperficie expuesta

FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO

nnnn

2S iOMaterial Foto sensitivoMaterial Foto sensitivoMaterial Foto sensitivoMaterial Foto sensitivo

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

Sobre la capa de Silicio se coloca un material foto sensitivo.

FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO

2S iOMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto

MascarillaMascarillaMascarillaMascarilla

nnnn

La Mascarilla remarca la zona a remover


2S iOMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto MdificadoMdificadoMdificadoMdificado

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

nnnn

La Luz modifica el material expuesto


nnnn

2S iOMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto ModificadoModificadoModificadoModificado

Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

Un Solvente Disuelve el material modificado y al mascarilla

nnnn

FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO

PercloruroPercloruroPercloruroPercloruro


PercloruroPercloruroPercloruroPerclorurode Hierrode Hierrode Hierrode Hierro


Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.Ing. Samuel Tarqui M.

nnnnSe somete a la superficie a un lavado con

acido, donde la superficie expuesta desaparece


Gas con Gas con Gas con Gas con ImpurezasImpurezasImpurezasImpurezas


pppp2S iO

Material FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto

AceptadorasAceptadorasAceptadorasAceptadoras


La zona expuesta se convierte a material tipo p

nnnnpppp

FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS

pppp2S iO

Material FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto Material FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto

MascarillaMascarillaMascarillaMascarilla


nnnnpppp

La nueva mascarilla definir el lugar del contacto del nodo y se hace el respectivo lavado con el disolvente

FABRICACION DE CONTACTOSFABRICACION DE CONTACTOSFABRICACION DE CONTACTOSFABRICACION DE CONTACTOS

PercloruroPercloruroPercloruroPercloruro

pppp

PercloruroPercloruroPercloruroPerclorurode Hierrode Hierrode Hierrode Hierro

2S iO

Material FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto Material FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial FotoMaterial Foto


nnnn

Se procesa con lavado de acido para luego depositar una lamina de Aluminio.

FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS

ContactoContactoContactoContactoAhora solo queda

colocar el dispositivo en su empaque

nnnnpppp

2S iO AluminioAluminioAluminioAluminio

en su empaque protector


AluminioAluminioAluminioAluminio

PARA OBTENER MAS INFORMACIONPARA OBTENER MAS INFORMACIONPARA OBTENER MAS INFORMACIONPARA OBTENER MAS INFORMACION

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FLOYDDISENO DE CIRCUITOS MICROELECTRONICOS JAEGER

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Prohibida la Reproduccin Total o ParcialProhibida la Reproduccin Total o ParcialProhibida la Reproduccin Total o ParcialProhibida la Reproduccin Total o Parcialsin consentimiento Del Autor.sin consentimiento Del Autor.sin consentimiento Del Autor.sin consentimiento Del Autor.

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cap 1 - operacion interna de un diodo

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