berkas elka 2014.pdf

7/23/2019 Berkas ELKA 2014.pdf

http://slidepdf.com/reader/full/berkas-elka-2014pdf 1/40

Solusi Pekerjaan Rumah #8 EL2005 Elektronika

Karakteristik Arus Tegangan

1.

Gambarkan sketsa kurva arus iX terhadap vX untuk 0 hingga 3,3V pada rangkaian-rangkaian

Gambar 1 berikut ini bila MOSFET memiliki L=0,8m, W=8m, n=450cm2/Vs, dan Vt=0,7V dan

tegangan VDD=3,3V.

Gambar 1 Rangkaian Soal no 1.

Jawab

Pada soal ini nilai Cox terlewat, kita bisa ambil nilai yang ada pada contoh soal 5.2 (edisi

internasional) Cox = 8,6 fF/m2. Dengan demikian

a)

Pada rangkaian

sehingga

FET pada rangkaian dalam keadaaan cut-off atau saturasi.

FET pada rangkaian dalam keadaan cut-off saat atau arus nol untuk

dan saturasi bila atau

Sketsa kurva arus iX terhadap vX

VDD

vX

IX

(b)

vX

IX

(a)

VDD

vX

IX

(c)



b)

Pada rangkaian

sehingga

FET pada rangkaian dalam keadaaan cut-off atau saturasi.atau saturasi.

FET pada rangkaian dalam keadaan cut-off saat atau arus nol untuk

atau

dan saturasi bila atau dengan arus

Sketsa kurva arus iX terhadap vX

c)

Pada rangkaian



FET pada rangkaian dalam keadaaan cut-off bila atau atau

.

FET akan dalam keadaan saturasi bila atau atau

. Arus pada keadaan ini

Sketsa Sketsa kurva arus iX terhadap vX sama dengan kurva pada (b)

2.

Untuk rangkaian pada Gambar 2 berikut carilah V apabila MOSFET memiliki Kn’(W/L)=0,4mA/V2,

Vt=1V dan =0.

Gambar 2 Rangkaian Soal no 2.

Jawab

a)

Pada rangkaian tampak transistor saturasi

+5V

1mA

V

(a) (b)

+5V

1k

V

(c)

+5V

1mA

V

(d)

+5V

V

1k



Dengan demikian karena untuk FET dalam keadaan cut-off

b)



c)


Dengan demikian karena untuk FET dalam keadaan cut-offd)





Solusi Pekerjaan Rumah #9

Penguat MOSFET

EL2005 Elektronika Sem 2 2013-2014

1. Perhatikan rangkaian pada Gambar 1 di bawah ini.

a.

Tentukan titik kerja rangkaian bila Rsig=100k, Rf =100k, RD=3k, RL=10k, VDD=20V,

Vth=5V dan K=1mA/V2. Carilah nilai transkonduktasi gm pada titik kerja tersebut.

b. Gambarkan rangkaian ekivalen sinyal kecil ac rangkaian tersebut. Bila ro=∞, turunkan

persamaan penguatan tegangan tanpa beban, dan resistansi input dan outputnya. Gunakan

hasil pada (a) untuk menentukan nilainya.

c. Bila carilah dan saat beban terpasang. Tentukan

juga batas amplituda agar transistor masih dalam keadaan saturasi.

Gambar 1 Rangkaian soal 1

Jawab

a. Transistor dalam keadaan saturasi karena sehingga

Dan diperoleh karena solusi lain menyebabkan

transistor cut-off.

Juga diperoleh dan arus

Transkonduktasi sinyal kecil transistor

b.

Rangkaian ekivalen sinyal kecil untuk penguat

VDD

Rsig

vsig

Rf

RD

RL

C1

C2

vin

vout



Rangkaian tanpa beban, KCL pada simpul output

c. Dengan beban terpasang, KCL

Tagangan input dapat dihitung

vsig

Rsig Rf

RD RL gmvgs vin=vgs vout



FET memasuki saturasi bila atau sehingga

diperoleh batas atau atau

Untuk menentukan batas sinyal input:

Catatan untuk soal ini resistansi sumber sinyal Rsig 100k sangat besar dan resistansi umpan balik Rf

dan resistansi drain RD terlalu kecil sehingga penguatan menjadi sangat kecil (justru meredam).

2. Perhatikan rangkaian source follower pada Gambar 2 di bawah ini.

a.

Bila R1=2M, R2=1M, RS=1k, RL=10k, VDD=15V, dan transistor memiliki Vth=2V danK=0,2mA/V

2, tentukan titik kerja DC rangkaian dan carilah parameter rangkaian ekivalen

sinyal untuk transistornya.

b.

Gambarkan rangkaian ekivalen sinyal kecil ac dan turunkan persamaan penguatan

tegangan, resistansi input dan output penguat tersebut dengan beban terpasang. Gunakan

hasil pada (a) untuk memperoleh hasilnya.

c. Evaluasi apakah amplituda input sinyal dapat menyebabkan transistor masuk pada mode

cut-off dan mode triode? Bila ya, pada input tegangan berapa keadaan itu dapat tercapai?


Jawab

a.

Tegangan pada gate

Anggap transistor saturasi, arus transistor

VDD

R1

R2 RS

C1

C2 vin

vout



Diperoleh karena solusi lain lebih tinggi dari VDD. Keadaan saturasi dipenuhi

karena

dan

Arus transistor

Transkonduktasi ssinyal kecil transistor

b. Rangkaian ekivalen sinyal kecil untuk penguat

Penguatan tegangan

Resistansi input

Resistansi output

c.

Transistor cut-off bila atau sehingga dapat diturunkan

Kondisi penyebab cut-off adalah

i

0

vsig

Rsig i

RS RL

1/gm

vin

vout



Trioda diperoleh bila memenuhi (1) dan (2)

Evaluasi (1) dari hasil sebelumnya

Evaluasi (2)

Pada rangkaian sinyal kecil , dan

Dengan demikian trioda terjadi bila memenuhi (1) dan (2) di atas, yaitu




Perancangan Penguat MOSFET

EL2005 Elektronika Sem 2 2013-2014

1.

Sebuah penguat Common-Source akan dirancang dengan rangkaian seperti pada Gambar 1

di bawah ini. Spesifikasi yang diharapkan diperoleh mencakup resistansi input R in

sekurangnya 600M, penguatan beban terbuka Av0 -20V/V dan resistansi output Rout

sebesar 1k. Transistor yang digunakan mempunyai kn’ sebesar 2mA/V2 dan Vt=1,5V.

Modulasi panjang kanal dapat diabaikan. Tegangan catu daya diinginkan sebesar 12V. Swing

tegangan output sekurangnya 10Vpp tanpa beban. Tentukan resistansi RD, RS, R1, dan R2 serta

W/L transistor.


Jawab

Dengan menggambarkan rangkaian ekivalen sinyal kecil penguat dan menganalisisnya

diperoleh

sehingga dapat dihitung

Swing tegangan output sebesar 10V diperoleh dari batas tegangan drain tertinggi 12V saat

transistor memasuki cut-off dan terendah 2V saat memasuki batas saturasi.

Pilih tegangan bias tepat di tengah swing sehingga pada saat bias tegangan drain 7V. Dengan

demikian arus drain diperoleh

Dari transkonduktasi transistor dapat diperoleh

VDD

R1

R2 RS

C1

C2

vin

vout

RD

C3



Tegangan terendah pada drain terjadi saat transistor saturasi, yaitu saat

Dari tegangan overdrive DC diketahui

Resistansi source dapat dihitung

Resistansi bias tegangan gate diperoleh dari pembagi tegangan dan resistansi input sbb.:

Geometri transistor dihitung:



Arus bias DC tersajadi saat saturasi sebesar

Parameter transkonduktasi sinyal kecil transistor pada keadaan bias

Dari kedua persamaan diperoleh

Tegangan DC pada terminal source

Tegangan DC pada terminal gate

Resistansi bias tegangan gate diperoleh dari pembagi tegangan dan resistansi input sbb.:



2.

Rangkaian penguat Common Drain di bawah ini menggunakan MOSFET dengan Vt=2V,

Kn=2mA/V2 dan dapat diabaikan. Arus bias transistor sebesar 4mA dan tegangan bias source

sebesar 5V. Resistansi input diketahui sebesar 200k, beban yang dihubungkan mempunyai

resistansi 1k. dan kedua kapasitor kopling memiliki kapasitansi 10F. Tentukan frekuensi cut-

off rendah penguat tersebut.

Jawab

Resistansi output penguat adalah RS||1/gm yang dapat diperoleh dari analisis bias:

Frekuensi pole pada bagian input

Frekuensi pole pada bagian output

Jelas sehingga frekuensi pole output dapat dipastikan dominan. Dengan demikian

+12V

R2

RS

vi

vo

+12V

R1

vG

vS




Respons Frekuensi Rendah Penguat

EL2005 Elektronika Semester 2 2012-2014

1. Rangkaian penguat Common Gate di bawah ini menggunakan MOSFET dengan Vt=1V,

nCoxW/L=0,625mA/V2, Cgs=0,2pF, Cgd=50fF dan dapat diabaikan. Arus bias transistor sebesar

1,25mA diperoleh dari sumber arus ideal. Resistansi output sumber signal Rsig 50 dan resistansi

beban 1k. Kedua kapasitor kopling memiliki kapasitansi 10F.

a. Turunkan fungsi transfer rangkaian pada frekuensi tinggi

b. Carilah frekuensi polenya dan tentukan frekuensi cut-off tinggi penguat tersebut.

Jawab

Transkonduktansi penguat adalah

V mA I L

W C g Doxnm /25,125,1625,022

Rangkaian ekivalen sinyal kecil pada frekuensi tingginya

Rsig

RL vgs

vout

Vsig

Cgd

Cgs gmvgs

vin

+VDD

RL

Rsig C1

C2

vin

vout

Vsig

-VSS

1,25mA

1,25mA



Fungsi transfer rangkaian

Frekuensi pole rangkaian

Tidak ada pole dominan. Frekuensi cut-off tinggi rangkaian



2. Bila untuk rangkaian penguat Common Gate di atas MOSFET memiliki resistansi output 200k.

Demikian juga sumber arus bias memiliki juga resistansi 200k. Carilah frekuensi cut-off tinggi

rangkaian sekarang.

Jawab

Rangkaian ekivalen sinyal kecil frekuensi tinggi adalah sbb.:

Dengan menggunakan pendekatan konstanta waktu seperti pada contoh 9.2 (perhatikan ppt kuliah)

maka diperoleh

Penguatan keseluruhan rangkaian

Resistansi Rgs

Resistansi Rgd

Frekuensi cut-off tinggi

ro

roa

rob

Rsig

RL vgs vout

Vsig

Cgd

Cgs gmvgs

vin



%28281,04

3

4

3

2

14

3

4

3

2

1ˆˆ

2

1

DD

DD

DD

DD

DD

o

L

o

V

V

V

V

V

V

IR

V

2. Untuk sebuah penguat daya digunakan tahap output kelas B push-pull. Transistor BJT yang

dipilih mempunyai rating daya maksimum 80W dan mempunyai suhu junction maksimum

sebesar 125oC. Transistor menggunakan casing TO-3P dengan resistansi termal junction ke

casing JC 1,25oC/W dan junction ke ambient JA 40

oC/W. Bila tegangan cut-in dan tegangan

saturasi dapat diabaikan hitunglah pada temperatur ambient 25oC:

a. Daya output maksimum yang dapat diberikan penguat bila transistor menggunakan

casing TO-03P tersebut tanpa heat sink.

b.

Daya output maksimum yang dapat diberikan penguat bila transistor menggunakan

casing TO-03P tersebut dengan heat sink ideal.

c.


casing TO-03P dan heat sink dengan resistansi termal 2oC/W.d. Daya output maksimum yang dapat diberikan penguat bila transistor menggunakan

casing TO-03P dan heat sink dengan resistansi termal 10oC/W.

e.


casing TO-03P dan heat sink dengan resistansi termal 10oC/W pada temperatur ambient

45oC.

Catatan: Efisiensi terendah pada kelas B adalah 50% sehingga pada keadaan terburuk

disipasi dan daya output penguat sama.

Jawab

a. Transistor tanpa heat sink, daya disipasi maksimum

sehingga daya output maksimum juga 2,5W

b. Transistor dengan heatsink ideal, daya disipasi maksimum

Untuk kelas B disipasi maksimum terjadi saat untuk

sehingga

dapat diketahui

sedangkan daya output maksimum diperoleh saat

dengan daya output sebesar

sehingga

dapat dihitung

c.

Transistor dengan heatsink 2oC/W, daya disipasi maksimum

sehingga daya output maksimum

d. Transistor dengan heatsink 10oC/W, Daya disipasi maksimum


e. Transistor dengan heatsink 10oC/W temperatur ambient 45

oC, daya disipasi maksimum





Rangkaian Logika CMOS

EL2005 Elektronika Semester 2 2012-2014

1. Sebuah inverter CMOS dibuat dengan teknologi yang menggunakan Vt=0,2VDD.

a.

Turunkan dalam besaran nCoxW/L besar arus pada nMOSFET saat output mulai berubah

dari logika “1” dengan tegangan terendah 0,9VDD.

b. Turunkan dalam besaran nCoxW/L besar arus pada nMOSFET saat ouput mencapai

logika “0” dengan tegangan tertinggi 0,1VDD.

c. Bila teknologi yang digunakan mempunyai nCox=120A/V2 dan VDD dipilih 2,5V hitung

besaran arus pada (a) dan (b).

d.

Bila dianggap beban 10fF dan arus turun dengan linier, berapakah selang waktu

perubahan logika tersebut

Jawab

a.

Saat berubah dari logika 1 ke 0 maka tegangan VDS

=0,9VDD

dan VOV

=VGS

-Vt=0,8V

DD.

Dengan demikian VDS > VOV sehingga nMOSFET dalam keadaan saturasi sehingga

b. Saat mencapai logika 0 maka tegangan VDS=0,1VDD dan VOV=VGS-Vt=0,8VDD. Dengan

demikian VDS < VOV sehingga nMOSFET dalam keadaan trioda sehingga

c. Besaran arus saat nilai logika mulai berubah dari 1 ke 0

Besaran arus saat mencapai nilai logika 0

d.

Perubahan jumlah muatan dari tegangan 0,9VDD menjadi 0,1VDD adalah

Muatan yang dikeluarkan saat perubahan arus dengan model arus turun linier adalah

Selang waktu perubahan

2.

Rancanglah rangkaian logika CMOS untuk gerbang logika berikut ini

a.

b.



c. Jawab

a.

Tabel Kebenaran

A B Y Input Keterangan

0 0 0 PD Alur kanan bawah

0 1 1 PU Alur kanan atas

1 0 1 PU Alur kiri atas

1 1 0 PD Alur kiri bawah

Rangkaian disusun dengan menyediakan fungsi untuk setiap sinyal PU dan PD seperti

pada keterangan di atas, sbb.:

b.

Tabel Kebenaran

A B Y Input Keterangan

0 0 1 PU

Alur kiri atas

0 1 0 PD Alur kanan bawah

1 0 0 PD Alur kiri bawah

1 1 1 PU Alur kanan atas

Rangkaian disusun dengan menyediakan fungsi untuk setiap sinyal PU dan PD seperti

pada keterangan di atas, sbb.:

VDD

VDD

VDD



c. Tabel Kebenaran

A B C Y Input

0 0 0 1 PU 0 0 1 00 1 0 0

0 1 1 0

1 0 0 0

1 0 1 0

1 1 0 0

1 1 1 1 PU

Implementasi rangakian dengan menyediakan Pull Up dan rangkaian komplemennya untuk Pull

Down sbb.:

VDD

VDD

VDD



3.

Gambarkan rangkaian gerbang logika full adder satu bit dengan menggunakan teknologi CMOS.

Nyatakan input sebagai IA dan IB dan ouput sebagai C (carry) dan S (sum). Bila diketahui

mobilitas elektron n dan 3 kali lebih besar dari mobilitas hole p, dan ukuran geometri terkecil

adalah 0,1m, tentukan ukuran geometri masing-masing transistor.

Jawab

Fungsi rangkaian full adder adalah sebagai berikut

Fungsi untuk Sum dapat menggunakan rangkaian EXOR pada soal no. 2. Sedangkan fungsi Carry

menggunakan fungsi AND

Rangkaian Carry diimplementasikan dengan gerbang OR dengan input active-low

Rangkaian tampak pada gambar di bawah ini.

Perhitungan untuk ukuran geometri transistor adalah sebagai berikut:

Rangkaian InverterNMOS (Pull down) W/L=0,1um/0,1um

PMOS (Pull Up) W/L=0,3um/0,1um

Rangkaian XOR (Sum)

NMOS (Pull down) seri dua transistor lebar dua kali inverter: W/L=0,2um/0,1um

PMOS (Pull Up) seri dua transistor lebar dua kali inverter: W/L=0,6um/0,1um

Rangkaian AND (Carry)

NMOS (Pull down) satu transistor: W/L=0,1um/0,1um

PMOS (Pull Up) seri dua transistor lebar dua kali inverter: W/L=0,6um/0,1um



VDD

VDD

VDD VDD



Kuis #3 EL2005 Elektronika

Semester 2 2012-2014

1 April 2014

Nama: ____________________________ NIM: _______________ Tanda tangan: _______________

Dengan rangkaian Common Source seperti di bawah ini hendak dirancang penguat. MOSFET yang

digunakan memiliki Vt=1,5V, Kn=1mA/V2 dan dapat diabaikan. Sinyal input vi yang diberikan

berbentuk sinusoid dengan amplituda Vm. Rangkaian dirancang dengan arus bias transistor sebesar

2mA dan tegangan output vo = vd maksimum dan simetris (penguatan sama, linier) untuk sinyal input

positif dan negatifnya. Resistansi input diharapkan sebesar 500k.

1. Sebutkan apa yang menentukan tegangan drain (DC+ac) maksimum vDmax dan carilah

nilainya. Sebutkan juga apa yang menentukan tegangan drain (DC+ac) minimum vDmin dan

carilah nilainya.

2.

Dari hasil (1) tentukan amplituda output maksimumnya Vomax, pilih tegangan bias (DC) drain

VD agar swing naik sama dengan swing turun dan tentukan nilai RD rangkaian.

3.

Carilah nilai tegangan bias (DC) gate VG dan tentukan nilai R1, dan R2 rangkaian.

4. Tentukan batas amplituda input Vm maksimumnya.

Jawab

1.

Yang menentukan batas tegangan drain maksimum adalah VDD dan keadaan cut-off arus nol

sehingga tegangan vDmax=12V.

Yang menentukan batas tegangan drain minimum adalah batas antara saturasi dan trioda

sehingga tegangan vDmin= VOV. Telah diketahui arus 2mA dan mengingat maka

Dengan demikian vDmin= VOV=2V.

2.

Amplituda output maksimum adalah

+12V

R2

vi

RD

vo

R1

+12V

vD

vG



Tegangan bias drain dipilih untuk memperoleh swing maksimum dan simetris maka

Resistansi drain dapat dihitung dari

Tegangan source nol karena terhubung ke ground dan maka

3. Tegangan gate diperoleh dari pembagi tegangan R1 dan R2, dengan demikian

Resistansi input merupakan nilai paralel R1 dan R2.

4.

Penguatan tegangan common source adalah . Apmlitudo output maksimum

2V. Bias arus dan tegangan memberikan

Bila pengaruh input tidak diabaikan

Amplituda tegangan input maksimum



Kuis #3 EL2005 Elektronika

Semester 2 2012-2014

1 April 2014

Nama: ____________________________ NIM: _______________ Tanda tangan: _______________

Dengan rangkaian Common Drain seperti di bawah ini hendak dirancang penguat. MOSFET yang

digunakan memiliki Vt=2V, Kn=2mA/V2 dan dapat diabaikan. Sinyal input vi yang diberikan

berbentuk sinusoid dengan amplituda Vm. Rangkaian dirancang dengan arus bias transistor sebesar

4mA dan tegangan output vo = vd maksimum dan simetris (penguatan sama, linier) untuk sinyal input

positif dan negatifnya. Resistansi input diharapkan sebesar 200k.

1. Batas mode apakah yang yang menentukan batas tegangan source (DC+ac) maksimum vSmax

dan carilah nilainya. Sebutkan juga batas mode apa yang menentukan tegangan source

(DC+ac) minimum vSmin dan carilah nilainya.

2.

Dari hasil (1) tentukan amplituda output maksimumnya Vomax, pilih tegangan bias (DC) source

VS agar swing naik sama dengan swing turun dan tentukan nilai RS rangkaian.

3.

Carilah nilai tegangan bias (DC) gate VG dan tentukan nilai R1, dan R2 rangkaian.

4. Tentukan batas amplituda input Vm maksimumnya.

1.

Yang menentukan batas tegangan drain minimum adalah keadaan cut-off arus nol sehingga

tegangan vDmin=0V.

Yang menentukan batas tegangan drain maksimum adalah VDD dan batas antara saturasi dantrioda sehingga tegangan vDmax= VDD-VOV. Telah diketahui arus 4mA dan mengingat maka

Dengan demikian vDmax= VDD-VOV =12-2=10V.

2. Amplituda output maksimum adalah

+12V

R2

RS

vi

vo

+12V

R1

vG

vS



Tegangan bias drain dipilih untuk memperoleh swing maksimum dan simetris maka

Resistansi drain dapat dihitung dari

Tegangan source 5V dan maka

3. Tegangan gate diperoleh dari pembagi tegangan R1 dan R2, dengan demikian

Resistansi input merupakan nilai paralel R1 dan R2.

4.

Penguatan tegangan common source adalah . Apmlitudo output maksimum

2V. Bias arus dan tegangan memberikan

Bila pengaruh input tidak diabaikan

Amplituda tegangan input maksimum



Bila dihitung dengan pendekatan konstanta waktu maka



1

Solusi Ujian 2 EL2005 Elektronika

Sabtu, 3 Mei 2014 13.00-15.30

1.

Transistor MOSFET

Penguat berikut memiliki penguatan -25V/V. Anggap nilai kapasitor tak berhingga. VDD = 5V, Vt=0,7V,

kn=1mA/V2. Resistansi input Rin sebesar 0,5M. Hitunglah

a)

VOV b)

ID

c)

RD

d)

RG

e)

Amplitudo maksimum sinyal input .

Petunjuk:

Anggap arus AC yang melewati RG=0 untuk perhitungan penguatan sinyal kecil.

Anggap ada arus AC yang melalui RG dalam perhitungan Rin.

Jawab

a)

Arus DC pada RG nol sehingga diperoleh

MOSFET selalu dalam keadaan saturasi apabila , tegangan DC drain-source

dan juga

sehingga

Arus pada MOSFET

Dengan demikian diperoleh (pers 1)

Transkonduktasi sinyal kecil MOSFET

Rin

RG

+VDD=5V

C1

C2

vin

vout

RD



3

Jawab

a)

Pole rangkaian

b)

Pole merupakan pole dominan sehingga frekuensi cut-off rendah = 2213Hz

3.

Respons Penguat Frekuensi Tinggi

Pada rangkaian penguat MOSFET CS di bawah ini, nilai Rsig=120k RG1=300k RG2=200k Cgs=5pF,Cgd=1pF, gm=3,33mA/V, RD=5k, RS=2k, RL=10k, CL=5pF, dengan efek panjang kanal diabaikan (=0),

nilai CC1=CC2=CS= .

CL

RG1

CS

RG2

+VDD

RL

Rsig CC1

CC2

vin

vout

Vsig

-VSS

RD

RS

-VEE

RB

RC

I

Rsig

Vsig

CC1

CE

Cc2

RL

+VCC



6

4.

Tahap Output Penguat Daya

Untuk merancang tahap output sebuah penguat daya akan digunakan transistor dengan casing yang

memiliki resistansi termal 2,5oC/W dan heatsink dengan resistansi termal 5,1

oC/W. Temperatur ambient

penguat dirancang untuk 30o

C dan temperatur junction maksimum transistor ditentukan 125o

C. Tegangansaturasi kolektor-emitor dan tegangan cut-in base-emitor dapat diabaikan.

a)

Transistor dengan daya disipasi maksimum PDmax berapakah yang dapat digunakan dengan pendinginan

di atas yang masih aman digunakan?

b)

Berapakah daya output maksimum pada beban bila tahap output menggunakan kelas A dengan arus

pada sumber arus dipilih agar tegangan swing output maksimum?

c)

Berapakah daya output maksimum pada beban bila tahap output menggunakan kelas B?

Jawab

a)

Nilai resistansi termal total adalah 2,5+5,1=7,6oC/W

Selisih temperatur junction ke ambien 125-30=95 o

C

Daya disipasi maksimum yang dialirkan transistor 95/7,6=12,5W.Jadi transistor yang digunakan harus mempunyai PDmax sekurangnya 12,5W

b)

Pada kelas A daya disipasi maksimum terbesar saat tegangan output nol. Besar daya disipasi ini sama

dengan daya dari catu daya. Daya output maksimum sebesar 25% daya dari catu daya atau sebesar

12,5*25%=3,125W.

Dengan demikian dengan tahap penguat kelas A daya output terbesar diperoleh 3,125W.

c)

Pada kelas B daya disipasi maksimum saat

Daya output maksimum sebesar sehingga daya ouput penguat

Dengan demikian dengan tahap penguat kelas B daya output terbesar diperoleh30,84W.

5.

Rangkaian Logika CMOS

Fungsi logika di bawah ini akan disusun dengan teknologi CMOS dengan L=0,1m dan perbandingangeometri transistor n=1 dan p=3.

Rancanglah rangkaian untuk fungsi tersebut dan tentukan ukuran geometri tiap transistornya. Sinyal input

tersedia dalam bentuk active-high dan active-low .

Jawab

Fungsi logika akhir



Dalam bentuk ouutput active-low

Rangkaian dan ukuran geometri

berkas elka 2014.pdf

Documents