bab 3 2 transistor
TRANSCRIPT
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
1/20
3-22
3.3 Transistor
Pada tahun 1951, Shockley menemukan transistor junction yang pertama. Ini
merupakan salah satu penemuan yang besar. Dampak transistor ini pada elektronika
demikian besarnya, di samping dimulainya industri semikonduktor yang besar,transistor juga telah merintis pada penemuan-penemuan seperti rangkaian terpadu
(integrated circuit: IC), peralatan optoelektronika dan mikroprosesor.
Transistor adalah komponen aktif dengan arus, tegangan atau daya keluarannya
dikendalikan oleh arus masukan. Di dalam sistem komunikasi, transistor digunakan
sebagai penguat untuk memperkuat sinyal. Di dalam rangkaian elektronik komputer,
transistor digunakan untuk saklar elektronik laju tinggi. Ada dua jenis transistor, yaitu
transistor sambungan bipolar (bipolar junction transistor, BJT, sering disebut
transistor saja), dan transistor efek medan (field effect transistor, FET) yang
karakteristik kerja dan konstruksinya berbeda.
Transistor adalah komponen tiga terminal. Ketiga terminal tersebut disebut
Basis (B), Kolektor (C), dan Emiter (E). Transistor mempunyai dua sambungan
(junction), satu di antara emitter (E) dan basis (B), dan lainnya antara basis (B) dan
kolektor(C).
Transistor npn Transistor pnp
Gambar 3-30. Konstruksi transistor (JE: sambungan emiter, JC: sambungan kolektor)
Karena itu, sebuah transistor sama seperti dua buah dioda. Dioda sebelah kiri sebagai
dioda emitter-basis (disingkat dioda emitter) dan sebelah kanan adalah dioda kolektor-
basis (dioda kolektor).
Untuk transistor npn, emitter berfungsi untuk mengemisikan atau menginjeksikan
elektron ke dalam basis. Basis di-dope sedikit dan sangat tipis; basis melewatkan
sebagaian besar electron yang diinjeksikan oleh emitter ke kolektor. Kolektor
mengumpulkan atau menagkap elektron-elektron dari basis, dan merupakan bagian
terbesar dari tiga bagian transistor tersebut, kolektor harus mrndisipasikan lebih banyak
panas dari pada emitter atau basis.
n p n CE
B
JE JC
p n p CE
B
JE JC
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
2/20
3-23
B
C
E
IB
IC
IE
B
C
E
IB
IC
IE
Transistor pnp merupakan komplemen dari transistor npn. Pembawa muatan mayoritas
pada emitter adalah hole.
Transistor npn Transistor pnp
Gambar 3-31. Simbol transistor
3.3.1 Arus dalam Transistor
Gambar 3-32 menunjukkan komponen arus di dalam transistor pada saat
transistor diberi prategangan di daerah aktif (JE berprategangan maju dan JC
berprategangan balik). Arus emiter terdiri atas lubang injeksi maju (IpE) dan aliran
elektron injeksi balik (InE).
IE = IpE + InE (3-28)
Gambar 3-32. Komponen arus di dalam transistor yang bekerja di daerah aktif
Tidak semua lubang yang melewati sambungan emiter sampai sambungan
kolektor, karena sebagian bergabung kembali dengan elektron di daerah basis. Misalkan
arus lubang yang melewati sambungan kolektor adalah IpC maka arus lubang
rekombinasi yang meninggalkan basis adalah: IpE IpC. Ketika emiter terbuka,
sementara sambungan kolektor tetap berprategangan balik maka arus kolektor adalah
arus balik jenuh (reverse saturation current) ICO. ICO terdiri atas Inco (elektron dari p ke
n) dan Ipco (lubang dari n ke p).
ICO = Inco + Ipco (3-29)
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
3/20
3-24
Besarnya Inco sebanding dengan lereng kurva np pada JC, sedangkan Ipco timbul sebagai
akibat konsentrasi lubang yang dibangkitkan secara termal di basis.
Dengan emiter berprategangan maju maka arus total lubang yang melewati JC adalah
jumlah Ipc dan Ipco dan besarnya sebanding dengan lereng kurva pn pada JC.
IC = Ico + Ipc = Ico + IE (3-30)
dengan : bagian arus emiter (lubang) dari emiter menuju kolektor.
Bila ICO > ICO maka IC IB, atau
IC/IB (3-35)
Karena hampir semua rangkaian transistor, sinyal masukan diberikan ke basis dan
sinyal keluaran diambil dari kolektor maka menyatakan peroleh/penguatan arus dc (dc
current gain) dari transistor. Gain arus dc ini kadang-kadang ditulis dengan dc atau hFE.
3.3.2 Karakteristi Transistor
Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang
menggambarkan kerja transistor.
Karakteristik Kolektor
Untuk mempelajari karakteristik transistor maka transistor dipasang dalam
rangkaian seperti pada Gambar 3-33. Kurva karakteristik kolektor menghubungkan IC
dan VCE dengan IB sebagai parameter. Pada Gambar 3-34 terlihat bahwa kurva kolektor
terbagi menjadi 3 daerah, yaitujenuh (saturasi), aktif, dan cut-off.
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
4/20
3-25
+
+
Gambar 3-33. Rangkaian yang digunakan untuk mempelajari karakteristik kolektor
Gambar 3-34. Kurva kolektor
a. Daerah jenuh (saturasi), adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut
(knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis
berprategangan maju. Daerah jenuh arus kolektor tidak tergantung pada nilai IB.
Tegangan jenuh kolektor-emiter VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V,
sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V.
b. Daerah aktif, adalah daerah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break-
down) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter
diberi prategangan maju dan sambungan kolektor diberi prategangan balik. Pada
daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal
masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.
c. Daerah cut-off (putus) terletak di bawah IB = ICO. Sambungan emiter dan
sambungan kolektor berprategangan balik. Pada daerah ini IE = 0, IC = ICO = IB.
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
5/20
3-26
Karakteristik Basis
Kurva karakteristik basis menghubungkan antara arus basis IB dan tegangan
basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat
pada Gambar 3-35.
Pada gambar tersebut terlihat bahwa dengan menghubungsingkat kolektor-emiter (VCE
= 0) dan emiter diberi prategangan maju, karakteristik basis seperti dioda. Dengan
bertambahnya VCE pada VBE konstan maka lebar daerah deplesi di sambungan kolektor
bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif berkurang. Dengan berkurangnya
lebar basis maka arus basis rekombinasi berkurang. Pengaruh ini disebutEarly Effect.
Titik ambang (threshold) atau tegangan lutut VK untuk transistor germanium adalah di
sekitar 0,1 V sampai 0,2 V, sedangkan untuk transistor silikon di sekitar 0,5 sampai 0,6
V. Nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
Kurva Beta ()
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai berubah dengan suhu dan arus kolektor
(Gambar 3-36). Nilai bertambah dengan naiknya suhu. Nilai juga bertambah dengan
naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik di luar nilai tertentu, akan turun.
Gambar 3-35. Kurva karakteristik basis. Gambar 3-36. Kurva beta
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
6/20
3-27
C1
IB
VBE
VCE
IC
RB
RC
+VCC
Sinyal
masukan
C2
RL
keluaran
CCCCCE RIVV =
3.3.3 Rangkaian Prasikap/Prategangan Transistor
Titik Kerja Transistor
Pemilihan titik kerja bertujuan agar transistor bekerja di daerah yang diinginkan.
Pada rangkaian penguat, transistor dirancang untuk bekerja di daerah aktif, sehingga
sinyal keluaran (tegangan dan arus kolektor) merupakan reproduksi sinyal masuk yang
diperkuat. Gambar 3-37 memperlihatkan contoh rangkaian penguat dengan sinyal
masukan diumpankan ke basis dan sinyal keluaran diambil dari kolektor.
Gambar 3-37. Ragam gelombang pada suatu penguat
Dalam pemilihan titik kerja VCC, RB, dan RC dipilih agar transistor tidak melampaui
batas jangkauannya (rating), yaitu:
1. Disipasi kolektor maksimum, PC(maks).
2. Tegangan kolektor-emiter maksimum, VCE(maks).
3. Arus kolektor maksimum, IC(maks).
4. Tegangan basis emiter maksimum, VBE(maks)
Kapasitor C1 dan C2 adalah kapasitor kopling yang digunakan untuk melewatkan
sinyal. Arus dc tidak dapat lewat kapasitor kopling tersebut, sehingga arus dan tegangan
prasikap tidak terpengaruh.Garis beban statis (dc) merupakan pasangan nilai IC dan VCE yang mungkin dari
suatu penguat, yang dinyatakan dengan persamaan garis beban :
(3-36)
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
7/20
3-28
B
BECC
BR
VVI
=
B
CC
B
R
VI
BBFEc IIhI ==
CCCCCE RIVC =
Garis beban dc ini mempunyai leher -1/RC dan memotong titik IC = 0, VCE = VCC dan IC
= VCC/RC VCE = 0 (lihat Gambar 3-38).
Titik kerja transistor Q, merupakan potongan antara garis beban dc dengan kurva arus
basis dc, IB. Garis beban dinamis (ac) mempunyai lereng -1/(RC//RL) untuk komponen
sinyal kapasitor C2 berlaku sebagai hubung singkat dan beban efektif kolektor menjadi
RC//RL garis beban ac ini melewati titik kerja Q.
Gambar 3-38. Titik kerja Q, garis beban ac dan dc (garis beban ac lebih curam dari
garis beban dc)
Prasikap/Prategangan Basis
Arus prasikap basis ditentukan oleh resistor RB (lihat Gambar 3-37)
(3-37)
Tegangan basis emiterVBE pada sambungan emiter yang berprasikap maju adalah 0,7 V
untuk transistor silikon dan 0,2 V untuk transistor germanium. Bila VCC >>VBE maka:
(3-38)
Arus prinsip kolektor IC dapat dihitung dengan persamaan:
(3-39)
VCE dapat diperoleh sebagai berikut:
(3-40)
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
8/20
3-29
CCV2R1R
2RV
+=
2R1R
2R1RR B
+=
ECBBEBB R)II(VRIV +++=
+
Untai/rangkaian prasikap basis mempunyai dua macam kekurangan, pertama pada
penggantian transistor yang sejenis belum tentu menghasilkan titik kerja yang sama,
karena belum tentu sama. Kekurangan kedua adalah ketidakstabilan prasikap karena
perubahan suhu. Seperti diketahui ICO berubah menjadi lipat dua untuk setiap kenaikan
suhu 10C. Sebagai contoh, adanya arus kolektor menyebabkan suhu kolektor
sambungan naik, sehingga ICO naik. Dengan naiknya ICO suhu sambungan makin naik,
sehingga kejadian ini akan berlanjut terus dan mengakibatkan jangkauan trasistor
dilampaui. Akibatnya transistor menjadi sangat panas (termal runaway) atau titik kerja
bergeser kearah jenuh. Untuk menjamim kestabilan titik kerja, digunakan untai prasikap
emiter.
Prasikap/Prategangan Emiter
Untai prasikap (rangkaian prategangan) emiter terlihat pada Gambar 3-39a.
Gambar 3-39. (a). Rangkaian prategangan emiter
(b). Rangkaian setara Thevenin untuk prategangan emiter
Dengan menggunakan Teorema Thevenin, maka untai disebelah kiri titik A-B dapat
diganti dengan sumber tegangan Vdengan resistans sumber RB (Gambar 3-39b).
dan
Dengan hukum kirchoff tegangan pada untai basis diperoleh persamaan:
(3-41)
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
9/20
3-30
VRIdanII BBCB
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
10/20
3-31
BEBCCCC VIRIV ++=
BEBCBCC V)RR(IV ++=
CB
BECC
BRR
VVI
+
=
CB
BECCBC
RRVVII+==
CCCCCE RIVV =
Volt112,212x7,422
7,4V
2R1R
2RV ccB =
+=
+
Dengan hukum Kirchoff tegangan untuk untai basis diperoleh persamaan sebagai
berikut (dengan asumsi IB
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
11/20
3-32
Arus kolektor pada titik kerja ICQ diperoleh dari (dengan mengabaikan IB):
ICQ = VE/RE = 1,412/1,2 = 1,176 mA.
Maka tegangan kolektor-emiter pada titik kerja VCEQ adalah:
VCEQ = VCC ICQ(RC + RE)
= 12 1,176(3,3 + 1,2)
= 6,708 Volt.
3.3.4 Rangkaian Penguat Transistor
Ada tiga jenis konfigurasi transistor, yaitu:
a. Penguat Emiter Bersama (Common Emitter/CE).
b. Penguat Kolektor Bersama (Common Collector/CC).
c. Penguat Basis Bersama (Common Basis/CB).
.
3.3.4.1 Penguat Emiter Bersama
Emiter menjadi bagian bersama bagi rangkaian masukan dan keluaran. Pada bagian
masukan dan keluaran terdapat kapsitor kopling, dan pada emiter terdapat kapasitor
simpang (by pass) yang mempunyai reaktansi yang kecil pada frekwensi kerja, sehingga
pada rangkaian ekivalen ac-nya dapat dianggap terhubung-singkat. Gambar 3-41
memperlihatkan rangkaian penguat emitter bersama.
Gambar 3-41. Rangkaian penguat emitter bersama.
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
12/20
3-33
3.3.4.2 Penguat Kolektror Bersama
Kolektor menjadi bagian bersama dari rangkaian masukan dan keluaran. Rangkaian
penguat kolektor bersama diperlihatkan pada Gambar 3-42.
Karena tegangan keluaran (emitter) mengikuti tegangan masukan (basis) maka penguat
ini biasa juga disebutpengikut emiter.
Karena rangkaian pengikut emitter ini mempunyai resistansi masukan yang tinggi dan
resistansi keluaran yang rendah maka rangkaian ini sering digunakan untuk penyesuai
impedansi (impedance matching) dari penguat berimpedansi keluaran yang tinggi ke
beban berimpedansi rendah.
+
Gambar 3-42. Rangkaian penguat kolektor bersama
3.3.4.3 Penguat Basis Bersama
Penguat basis bersama diperlihatkan pada Gambar 3-43.
Gambar 3-43. Rangkaian penguat basis bersama
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
13/20
3-34
Perbandingan Antar Konfigurasi Penguat Transistor
Pada konfigurasi CE, peroleh (gain) tegangan dan gain arus tinggi (Av > 1, Ai > 1).
Untuk konfigurasi CC, peroleh tegangan mendekati 1 (Av < 1), sedangkan peroleh
arus tinggi seperti pada CE. Resistansi masukan paling tinggi dan resistansi keluaran
paling rendah.
Pada konfigurasi CB, peroleh tegangan tinggi seperti pada CE, peroleh arus kurang
dari 1 (Ai < 1). Resistansi masukan paling rendah, sedangkan resistansi keluaran
paling tinggi di antara ketiga konfigurasi.
Untuk analisis lebih lanjut, dipilih penguat emiter bersama (CE) yang banyak/sering
digunakan.
Karena emiternya dipintaskan ke tanah, penguat ini kadang-kadang disebut penguat
emiter-ditanahkan; berarti bahwa emitter terletakkan pada tanah ac, tetapi tidak pada
tanah dc. Gambar 3-44a memperlihatkan rangkaian penguat CE, dan Gambar 3-44b
memperlihatkan garis beban ac-nya.
Gambar 3-44. a. Rangkaian penguat CE. b. Garis beban ac
Pada penguat-penguat linier, transistor seharusnya beroperasi di daerah aktif sepanjangwaktu. Ini berarti selama satu siklus ia tidak pernah memasuki daerah jenuh atau daerah
putus.
Untuk memperoleh model rangkaian ekivalen ac satu tahap, terlebih dahulu kita harus
membahas impedansi input dan impedansi output.
Model ac dari penguat emiter yang ditanahkan, diperlihatkan pada gambar 3-46.
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
14/20
3-35
Gambar 3-45. Impedansi input dan impedansi output
Impedansi input: '21 //// ein rRRz (3-49)
Impedansi output:zoutRC (3-50)
Pada sisi keluaran, sumber tegangan ac sebesar Avin diserikan dengan impedansi output
RC. Model sederhana penguat emiter-ditanahkan seperti pada Gambar 3-46, akan
mempercepat kita untuk menganalisis tahapan yang dikaskade.
Gambar 3-47 memperlihatkan rangkaian penguat CE dengan beban RL dan
sumber mempunyai tahanan dalam RS. Setiap penguat melihat dua beban : beban dc dan
beban ac. Oleh karena itu, semua penguat mempunyai dua garis beban : garis beban dc dan garis
beban ac.
Resistansi Thevenin ac yang menggerakkan basis:
rB = RS // R1 // R2 (3-51)
Gambar 3-46. Model AC penguat
emitter-ditanahkan
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
15/20
3-36
Resistansi beban ac yang dilihat oleh kolektor :
rC = RC // RL (3-52)
Gambar 3-47. Rangkaian penguat CE dengan beban RL
Gambar 3-48 memperlihatkan garis beban dc dan garis beban ac penguat CE.
Q : titik kerja transistor : titik stationer (quiescent point)
Gambar 3-48. Garis beban dc dan garis beban ac penguat CE
Persamaan garis beban dc :
IC = (VCC VCE)/(RC+RE) (3-53)
Sehingga :
Arus jenuh (saturasi) dc ujung atas dc
IC(sat) = VCC/(RC+RE)
Tegangan putus (cut-off) dc ujung bawah dc :
VCE(cut) = VCC
Grs. Beban ac
Grs. Beban dc
iC
VCE
ICQ
VCEQ
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
16/20
3-37
Persamaan garis beban ac :
IC = ICQ + VCEQ/rC VCE/RC (3-54)
Sehingga :
Arus jenuh (saturasi)ac ujung atas ac
IC(sat) = ICQ + VCEQ/rC
Tegangan putus (cut-off) dc ujung bawah ac:
VCE(cut) = VCEQ + ICQ rC
Kepatuhan Keluaran AC (AC Output Compliance)
Garis beban ac merupakan alat peraga bantuan yang digunakan untuk memahami
operasi sinyal besar. Selama setengah siklus tegangan sumber ac yang positif, tegangan
kolektor berayun dari titik Q ke arah jenuh. Pada setengah siklus negatif, tegangan
kolektor berayun dari titik Q ke arah titik putus. Untuk sinyal ac yang cukup besar,
pemotongan dapat terjadi pada kedua puncak sinyal.
Kepatuhan keluaran ac adalah maksimum puncak-ke-puncak tegangan ac tak terpotong
yang dapat dihasilkan penguat.
Kepatuhan keluaran ac dari sebuah penguat CE, diberikan oleh yang lebih kecil di
antara dua nilai pendekatan ini, yaitu :
PP 2 ICQ rC atau PP 2 VCEQ (3-55)
Penguatan pada penguat CE :
Penguatan tegangan tanpa beban :,e
C
r
RA = (3-56)
Penguatan tegangan dengan beban :,e
Cv
r
rA = (3-57)
Penguatan arus : =b
ci
i
iA (3-58)
Penguatan daya :in
out
p p
pA = daya masuk ac pada basis : pin = vin ib dan daya output
ac dari kolektor : pout = - vout ic (tanda karena adanya pembalikan fasa), sehingga
diperoleh penguatan daya : Ap = -Av Ai
Daya Beban
Beban pada penguat dapat berupa pengeras suara, motor, atau alat lainnya.
Daya ac ke dalam tahanan beban RL adalah:
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
17/20
3-38
L
PPL
R
VP
8
2
= (3-59)
Disipasi Daya Transistor :
CQCEQDQ IVP = (3-60)
Penguras Arus (Current Drain)
Seorang perancang catu daya harus mengetahui berapa banyak arus yang diambil oleh
masing-masing tahapan. Sumber tegangan dc VCC harus memberikan arus searah ke
pembagi tegangan dan rangkaian kolektor. Arus ke pembagi tegangan : I 1 =
VCC/(R1+R2). Pada rangkaian kolektor, penguras arus dc adalah : I2 = ICQ. Penguras arus
dc total : IS = I1 + I2.
Daya dc total yang diberikan ke penguat : PS = VCC IS. (3-61)
Efisiensi Tahapan (Stage Efficiency)
%xP
P
S
(max)L100= (3-62)
Contoh:
Diketahui penguat emiter-ditanahkan seperti pada Gambar 3-49. Jika transistor
mempunyai sebesar 150, berapakah tegangan keluaran ac?
Gambar 3-49. a. Penguat emitter-ditanahkan. b. Rangkaian ekivalen ac
(b)
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
18/20
3-39
Penyelesaian:
Karena tegangan sumber ac memiliki impedansi sumber sebesar 1 k, maka sebagian
dari sinyal sumber akan turun melintasi resistansi ini sebelum mencapai basis. Pada sisi
keluaran, kapasitor menggandeng sinyal ac ke resistansi beban 1,5 k. Hal inimengakibatkan munculnya efek pembebanan, sehingga sinyal keluaran akan terlihat
lebih rendah dari pada sebelumnya.
Untuk melihat pengaruh resistansi sumber dan beban, maka penguat emiter-ditanahkan
tersebut diganti dengan model ac-nya. Mula-mula kita menghitung impedansi masuk
pada basis sebesar:
'ebasisin rz = , di mana:
E
'e
I
mAr
25=
Tegangan dc pada basis yang berasal dari pembagi tegangan:
V,Vk,k
k,VB 8110
2210
22=
+
=
Arus emitter DC: mA,k
V,V,IE 11
1
7081=
=
sehingga == 72211
25,
mA,
mAr'e
'ebasisin rz = = 150 (22,7) = 3,4 k
Selanjutnya, kita menghitung impedansi masuk penguat sebesar:
'
21 //// einrRRz
= 10 k
// 2,2 k
// 3,4 k
= 1,18 k
Penguatan tegangan tanpa beban: 1597,22
6,3'
=
=
k
r
RA
e
C .
Impedansi output sama dengan RC.
Pembagi tegangan masuk mengurangi sinyal pada basis, sehingga tegangannya sebesar:
mVmVk
kvin 541,01
18,2
18,1=
=
Tegangan output Thevenin, adalah:
Avin = -159(0,541 mV) = -86 mV.
Tegangan ini adalah keluaran tanpa beban. Keluaran yang sebenarnya adalah tegangan
yang muncul melintas 1,5 k:
mVmVk
kvout 25)86(
1,5
5,1=
=
Ini berarti keluaran mempunyai tegangan puncak 25 mV
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
19/20
3-40
Tegangan keluaran ini dapat pula dihitung menggunakan persamaan:
vout= Avvin, di mana: 'e
C
vr
rA = ; === kkkRRr
LCC06,15,1//6,3//
Sehingga Av = -(1,06 k)/(22,7 ) = -46,7vout= (-46,7)(0,541 mV) = -25 mV
(nilainya sama dengan perhitungan di atas).
Karena arus kolektor hampir sama dengan arus emiter, arus koletor tenang adalah:
ICQ 1,1 mA
Arus ini menghasilkan tegangan kolektor-emiter dc sebesar:
VCE VCC ICQ (RC + RE) = 10 V (1,1 mA)(4,6 k) = 4,94 V
Atau: VCEQ = 4,94 V
Arus jenuh dc adalah: mA
k
V
RR
V
EC
CC 17,2
6,4
10=
=
+
Dan tegangan putus dc adalah 10 V.
Arus jenuh ac adalah: mAk
VmA
r
VII
C
CEQ
CQsatC 76,506,1
94,41,1)( =
+=+=
Tegangan putus ac adalah:
VCE(cut) = VCEQ + ICQ rC = 4,94 V + (1,1 mA)(1,06 k) = 6,11 V
Garis beban dc dan ac-nya diperlihatkan pada Gambar 3-50.
Gambar 3-50. Garis beban dc dan ac
-
7/22/2019 Bab 3 2 Transistor
20/20